EPC2001C Product / Process Change Notification

基板供应商替代产品/工艺变更通知（PCN）（PCN240501）

EPC宣布Wafer Works成为Si基板第二家批准供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售部分编号见附录I。

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基板供应商替代产品/工艺变更通知（PCN）（PCN240531）

EPC宣布Wafer Works成为第二家合格的Si基板供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售产品编号见附录I。

EPC  -  EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C

EPC2001C产品/工艺变更通知（PCN）

EPC宣布MSEC工厂已通过EPC Generation 4器件的晶圆探针测试资格认证。MSEC现在被批准为附录I中列出的EPC Generation 4销售部件号的晶圆探针测试站点。此次变更不影响制造技术或封装尺寸，也不影响产品规格书中定义的产品形式、尺寸和功能。MSEC将从2020年7月4日或之后（日期代码D2028或以后）开始生产附录I中的EPC产品。在过渡期间，客户可能从任何批准的EPC组装站点接收货物。

EPC  -  EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC8009,EPC2001C,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC2015C,EPC2016C,EPC2007C,EPC8002,EPC8004,EPC8010

EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版（AB003）

本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR)，从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。

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EPC（宜普）从48 V到负载电压：通过GaN晶体管提高低压DC-DC转换器性能

本文探讨了使用氮化镓（GaN）晶体管提高低电压直流-直流转换器性能的方法。文章首先介绍了GaN技术的最新进展，包括其低导通电阻、快速开关速度和较小的尺寸优势。接着，文章详细讨论了eGaN FET的设计基础，包括栅极驱动、热管理、成本比较和功率封装。此外，文章还提供了设计实例，包括布局优化、并联器件和热建模，以实现高效能和可靠的应用。

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EPC2021 Spectre型号

EPC  -  EPC2021

EPC2015C Spectre型号

EPC  -  EPC2015C

增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路视觉特性指南

本文详细介绍了增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和集成电路（IC）的物理特性，包括视觉标准。文章提供了开发利用增强型GaN FET和IC的电路和系统的工具集，并强调了利用现有生产基础设施提高设备成本效益的重要性。文章还介绍了EPC的GaN晶体管结构，包括其独特的金属层和绝缘层设计，以及如何通过优化封装减少不必要的元件，从而提高性能和可靠性。此外，文章还提供了EPC GaN FET和IC的视觉指南，包括器件的组装和参数表征。

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设计EPC egallium氮化物FET和IC的PCB封装

本文介绍了如何设计适用于EPC eGaN® FETs和ICs的PCB焊盘布局。重点包括使用SMD焊盘以降低电感并提高对齐精度，以及根据数据手册中的建议调整焊盘尺寸和开孔大小。文章还提供了LGA和BGA封装的实例，并讨论了丝印设计、铜焊盘设计和焊膏开孔建议。

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EPC2022 Spectre型号

EPC  -  EPC2022