ATF-54143 Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package

VMMK-1225 0.5～26ghz低噪声E-PHigh电子迁移率晶体管

本资料介绍了Avago Technologies生产的VMMK-1225低噪声E-PHEMT器件，该器件采用先进的芯片级封装技术，适用于0.5至26 GHz的频段。VMMK-1225具有高动态范围、高增益和低噪声系数，可在单点直流电源下工作。其封装小巧、超薄，便于自动化装配，适用于多种无线通信和军事应用。

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VMMK-1218 0.5～18ghz低噪声E-PHigh电子迁移率晶体管

该资料为Avago Technologies生产的VMMK-1218低噪声E-PHEMT器件的数据手册。该器件采用先进的E-pHEMT技术和革命性的芯片级封装，适用于0.5至18 GHz的宽带应用。VMMK-1218具有高动态范围、高增益和低噪声系数，可在单点直流电源下工作。该器件适用于多种无线通信和军事应用。

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PE15A1017：35 dBm IP3，2 dB NF，20 dBm P1dB，500 MHz至3 GHz，低噪声放大器，14.5 dB增益，SMA

PE15A1017是一款工作在500 MHz至3 GHz频率范围内的低噪声射频同轴功率放大器。该放大器具有典型的噪声系数为2.0 dB，最小P1dB为20 dBm，小信号增益为14.5 dB。其卓越的技术性能是通过使用混合MIC设计和先进的GaAs E-pHEMT器件实现的。该放大器需要一个+5 VDC至+12VDC的电源电压，并具有内置电压调节和偏置序列功能。

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ATF-58143表面贴装塑料封装的低噪声增强型伪晶高电子迁移率晶体管

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ATF-55143表面贴装塑料封装的低噪声增强型伪晶高电子迁移率晶体管

该资料介绍了Avago Technologies的ATF-55143低噪声增强模式HEMT晶体管，适用于450 MHz至6 GHz频段的无线通信系统。该产品具有高增益、高线性度和低噪声特性，适用于蜂窝/PCS手机、无线数据系统（WLL/RLL、WLAN和MMDS）等。

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PE15A1018低噪声放大器

PE15A1018是一款工作在500 MHz至3 GHz频率范围内的低噪声射频同轴功率放大器。该放大器具有典型的噪声系数为2.6 dB，最小P1dB为20 dBm，典型小信号增益为29 dB。它采用混合MIC设计和先进的GaAs E-pHEMT器件，提供高性能。该放大器需要+5 VDC至+12VDC的电源电压，并具有内置电压调节和偏置序列功能。

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ATF-511P8高线性增强模式[1]2x2 mm2 LPCC[3]封装的伪晶高电子迁移率晶体管

本资料介绍了ATF-511P8，一款由Avago Technologies生产的单电压、高线性、低噪声E-pHEMT器件。该器件封装于8引脚JEDEC标准无引线塑料芯片载体（LPCC）中，适用于50 MHz至6 GHz频段的高线性、低噪声、中功率放大器。其特点包括单电压操作、高线性度和P1dB、低噪声系数、产品规格一致性良好、小型封装尺寸、长寿命和环保封装。

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ATF-50189增强模式[1]sot89封装的赝晶高电子迁移率晶体管

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MGA-685T6电流可调，低噪声放大器

MGA-685T6是一款适用于0.1至1.5 GHz频段的GaAs MMIC放大器，具有优异的线性和低噪声系数。该设备采用超薄无引脚封装（UTSLP），具有0.4mm的封装厚度。通过外部电阻设置偏置电流，范围从5mA到30mA，允许设计者根据电路位置调整线性性能（和电流消耗）。放大器输出匹配50Ω，在整个带宽内仅需最小输入匹配。该放大器提供0.93 dB的噪声系数和+18.7 dBm的输出IP3，具有宽动态范围。电路采用先进的E-pHEMT技术，可靠性高。

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ATF-541M4小型无铅封装的低噪声增强型伪晶高电子迁移率晶体管

ATF-541M4是一款由Avago Technologies生产的低噪声增强模式HEMT器件，适用于小型无引脚封装。该器件具有高线性度、低噪声、单电源等特点，适用于蜂窝/PCS和WCDMA基站的前端LNA、无线数据和802.11b WLAN的LNA和驱动放大器等应用。

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ATF-531P8高线性增强模式[1]2x2 mm2 LPCC[3]封装的伪晶高电子迁移率晶体管

本资料介绍了Avago Technologies的ATF-531P8单电压高线性、低噪声E-pHEMT器件，适用于高频段的中功率放大器。该器件具有高线性度、低噪声系数、高增益和良好的均匀性，封装尺寸小巧，热效率高，适用于无线基础设施、WLAN、WLL/RLL和MMDS等应用。

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MGA-61563电流可调低噪声放大器

该资料介绍了Avago Technologies的MGA-61563 GaAs MMIC放大器。该放大器适用于0.1至6 GHz的应用，具有出色的线性和低噪声系数。它采用小型SOT-363封装，仅需一半的板空间。通过外部电阻设置，可以调整器件的偏置电流，从而根据电路位置调整线性性能和电流消耗。该放大器具有50Ω输出匹配，并允许宽动态范围，同时提供1.2 dB的噪声系数和+28.5 dBm的输出IP3。它使用先进的E-pHEMT技术，并具有内部偏置电路和反馈，确保稳定性。

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ATF-521P8高线性增强型[1]假晶高电子迁移率晶体管，2x2 mm2 LPCC[3]封装

本资料介绍了Avago Technologies的ATF-521P8单电压高线性低噪声E-pHEMT放大器。该器件适用于中功率高线性放大，工作频率范围为50 MHz至6 GHz。其封装尺寸小巧，热效率高，可靠性高，适用于多种无线通信基础设施和无线局域网等应用。

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MGA-633P8超低噪声，高线性有源偏置低噪声放大器

该资料详细介绍了Avago Technologies的MGA-633P8低噪声放大器（LNA）。该放大器采用GaAs E-pHEMT技术，具有超低噪声系数、高线性度、低成本和小型封装等特点。适用于450MHz至2GHz的频率范围，特别适合用于GSM和CDMA蜂窝基础设施的低噪声放大器。

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VMMK-2403 2至4 GHz砷化镓高线性低噪声放大器晶圆级封装

Avago的VMMK-2403是一款2至4GHz频段的高线性低噪声放大器，采用微型晶圆级封装（WLP）。该放大器具有低噪声和无条件稳定性，适用于2至4GHz频段的射频接收器中的主增益或后续增益模块。产品采用增强型E-pHEMT技术和先进的晶圆级封装技术，具有小型化、超薄的特点，易于装配和使用。

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