NCE65T540D,NCE65T540,NCE65T540F N-Channel Super Junction Power MOSFET III

2019-06-21 NCE
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●一般说明:

■该系列器件采用先进的超结技术和设计,以低栅极电荷提供优异的RDS(ON)。这种超结MOSFET符合PFC、AC/DC功率转换和工业功率应用的行业AC-DC SMPS要求。

●特征
■高压设备新技术
■低导通电阻和低传导损耗
■小封装
■超低栅极电荷导致更低的驱动要求
■100%雪崩测试
■符合ROHS标准

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产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
车规级/工业级
Technology
Polarity
BVDSS(V)
ID(A)
VTH(V)
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
VGS(th)(V)
CISS(pF)
QG(nC)
PD(W)
NCE12P09S
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
SOP-8
工业级
Trench
P
-12
-9
-0.7
11.5
18
14
22
±12
2700
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