RU1HP60S P-Channel Advanced Power MOSFET

RU20P7C高级P沟道功率MOSFET

本资料介绍了RU20P7C型号的P沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高密度细胞设计、可靠耐用等特点，适用于负载开关、电源管理和电池保护等领域。

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RU40L12M2 P沟道高级功率MOSFET

本资料介绍了RU40L12M2型P沟道高级功率MOSFET的特性、绝对最大额定值、电气特性、典型特性和封装信息。该器件具有超高性能和高可靠性，适用于电源管理和负载切换等领域。

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RU30L40M3 P沟道高级功率MOSFET

本资料介绍了RU30L40M3型P沟道高级功率MOSFET的特性、引脚描述、绝对最大额定值、电气特性、典型特性和订购信息。该器件采用Ruichips先进的Trench技术，具有优异的QgxRDS(on)产品（FOM）和可靠的鲁棒性。

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锐骏半导体（Ruichips）沟槽MOSFET和超结MOSFET选型指南

P-MOSFET    N-MOSFET   

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RU30S15H PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

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PTS60P05-60V/-5A P沟道高级功率MOSFET

本资料介绍了PTN60P05型号的-60V/-5A P-Channel高级功率MOSFET。该器件具有改进的dv/dt能力和高鲁棒性，适用于便携式产品的电源管理应用，如H桥、逆变器、车载充电器等。

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RU30L30M高级P沟道功率MOSFET

本资料介绍了RU30L30M P-Channel Advanced Power MOSFET的特性、绝对最大额定值、引脚描述、电气特性、动态特性、门极电荷特性以及订购和标记信息。该器件适用于电源管理和负载切换。

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RU30P5H高级P沟道功率MOSFET

本资料介绍了RU30P5H型P沟道高级功率MOSFET的特性、电气参数和应用。该器件具有高密度细胞设计，适用于电源管理等领域。

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RU40L60L P沟道高级功率MOSFET

本资料介绍了RU40L60L型号的P沟道高级功率MOSFET的特性、电气参数和应用。该器件采用Ruichips先进的Trench技术，具有超低导通电阻、可靠耐用等特点，适用于开关应用系统、服务器板载电源和同步整流等领域。

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RU40S4H高级P沟道功率MOSFET

本资料介绍了RU40S4H型P沟道高级功率MOSFET的特性、绝对最大额定值、电学特性、典型特性和订购信息。该器件具有高密度细胞设计，可靠耐用，且提供无铅绿色选项。

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RU30L15H高级P沟道功率MOSFET

本资料介绍了RU30L15H型P沟道高级功率MOSFET的特性、绝对最大额定值、电学特性、典型特性曲线以及订购和标记信息。该器件具有高密度细胞设计、可靠的鲁棒性、ESD保护等特点，适用于负载开关和PWM应用。

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RU15P12C P沟道高级功率MOSFET

本资料介绍了RU15P12C型号的P沟道高级功率MOSFET。该器件采用Ruichips先进的Trench技术，具有超低导通电阻、快速开关特性、低阈值电压等特点。适用于负载切换、电源管理和电池保护等领域。

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RU55L18L高级P沟道功率MOSFET

本资料介绍了RU55L18L型P沟道增强型功率MOSFET的特性、电气特性、典型特性和封装信息。该器件具有高耐压（-60V）、低导通电阻（100mΩ Typ. @VGS=-10V，125mΩ Typ. @VGS=-4.5V）等特点，适用于电源管理、负载开关和直流/直流转换器等领域。

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RU3415C P沟道高级功率MOSFET

本资料介绍了RU3415C型P沟道增强型功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有低导通电阻、ESD保护、可靠耐用等特点，适用于负载开关、电源管理和电池保护等领域。

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RU30P60L P沟道高级功率MOSFET

本资料介绍了RU30P60L型P沟道先进功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用Ruichips先进的Trench技术，具有超低导通电阻、可靠耐用等特点，适用于高效直流-直流转换器、笔记本电脑和移动设备等领域。

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