PROCESS CP268 Power Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip
●工艺细节
■工艺：外延平面
■芯片尺寸：63 X 63密耳
■芯片厚度：10密耳
■基极焊盘面积：9 X 12密耳
■发射极焊盘面积：10 X 18密耳
■顶面金属化：Al-16，000A
■背面金属化：Au-12，000A
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工艺CP268功率晶体管NPN-高压晶体管芯片 |
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测试报告 |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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1-August 2002 |
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R1 |
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215 KB |
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