PROCESS CP250 Power Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip
●工艺细节：\n
■芯片尺寸：99 X 69密耳
■芯片厚度：11.6密耳
■基极焊盘面积：18 X 21密耳
■发射极焊盘面积：18 X 26密耳
■顶面金属化：Al-Si-60，000Å
■背面金属化：Ti/Ni/Au-5，500Å
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工艺CP250功率晶体管NPN-高压晶体管芯片 |
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测试报告 |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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19-July 2010 |
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R0 |
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758 KB |
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CENTRAL SEMICONDUCTOR - 功率晶体管,POWER TRANSISTOR,MJ6503
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