INN100W01—100V E-Mode GaN FET Preliminary Datasheet

INN100W08-100V E型氮化镓场效应管

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Innoscience（英诺赛科）INN100W03 -100V E-Mode GaN FET Preliminary Datasheet

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Innoscience（英诺赛科） INN100W01 -100V E-Mode GaN FET Preliminary Datasheet

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英诺赛科（Innoscience）E-Mode GaN FET选型指南

E-Mode GaN FET   

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INN100W01 PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

英诺赛科  -  E型氮化镓场效应晶体管,E-MODE GAN FET,INN100W01

高性能国产GaN FET助力汽车电子系统高功率密度设计

本文主要介绍了高性能国产GaN FET在汽车电子系统中的应用，特别是其在电动汽车领域的应用机会。文章详细阐述了GaN在Lidar、车载OBC、DC-DC模块等领域的应用优势，并对比了GaN与硅基器件的性能差异。此外，还介绍了英诺赛科作为国内首家量产8英寸硅基氮化镓功率器件的IDM厂商，其产品线、产能、商业模式以及产品计划等内容。

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INN100W01-100V E型氮化镓场效应晶体管工程数据表

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INN100W12-100V E型氮化镓场效应管

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高性能国产氮化镓（GaN）应用于无人驾驶及新能源汽车OBC、DC/DC

氮化镓（GaN）在电动汽车领域的应用前景广阔，尤其在OBC、DC/DC转换器、BMS和牵引逆变器等方面具有显著优势。GaN器件在Lidar、OBC和DC/DC模块中的应用提高了系统效率、减小了体积和重量。英诺赛科作为国内首家量产8英寸硅基氮化镓功率器件的IDM厂商，拥有完整的产业链平台，其产品在可靠性、成本和产能方面具有竞争优势。

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INN100W03-100V E型氮化镓场效应晶体管初步数据表

本资料为INN100W03型100V E-Mode GaN FET的初步数据手册，介绍了该产品的特性、电气特性、热参数、封装尺寸等信息。该产品具有超高的开关频率、极低的导通电阻、快速可控的下降和上升时间以及零反向恢复损耗，适用于高效功率转换、高密度功率转换、电机驱动等领域。

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INN100W03-100V E型氮化镓场效应晶体管工程数据表

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INN100W02-100V E型氮化镓场效应晶体管工程数据表

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Innoscience（英诺赛科）INN100W02 -100V E-Mode GaN FET Preliminary Datasheet

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