NTGD1100L, STGD1100L MOSFET – Power,P-Channel, Load Switch with Level-Shift, TSOP-6

NTGD1100L双P沟道带电平漂移的小信号MOSFET产品概述

NTGD1100L是一款双通道P沟道小信号MOSFET，具有电平移位功能。该器件适用于便携式电子设备，具有低控制信号、低电池电压和高负载电流的特点。它集成了P沟道和N沟道MOSFET，P沟道作为负载开关，N沟道通过外部电阻实现电平移位。该器件具有极低的RDS(on)值，内部ESD保护，并支持低至1.5V的逻辑信号驱动。

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NVMFS5A160PLZ功率MOSFET，单通道P沟道

本资料详细介绍了ON Semiconductor公司生产的NVMFS5A160PLZ型单通道P沟道功率MOSFET。该产品具有低RDS(on)以减少导通损耗，适用于紧凑型设计。产品经过AEC-Q101认证，符合RoHS标准，适用于多种电子应用。

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NVTFS002N04CL MOSFET–功率，单N沟道

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NTJD1155L MOSFET–功率、P沟道、高端负载开关，带电平转换，SC-88

该资料介绍了ON Semiconductor公司生产的NTJD1155L功率MOSFET，该器件集成了P沟道和N沟道MOSFET，适用于便携式电子设备，具有低控制信号、低电池电压和高负载电流的特点。该器件采用先进的沟槽技术，具有极低的RDS(on)和ESD保护，适用于1.8V至8.0V的供电电压，可驱动高达1.3A的负载。

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NTGD1100L 8 V、3.3 A MOSFET-功率、P沟道、带电平转换的负载开关，TSOP-6

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NVMFS5C460NL MOSFET-功率，单N沟道\n

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FDME1034CZT MOSFET-互补、powerTrench®n−沟道：20 V、3.8 a、66 MΩp−沟道：−20 V、−2.6 a、142 MΩ

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NTJD1155L 8 V、±1.3 A MOSFET–功率、P沟道、高端负载开关，具有电平转换功能，SC-88

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NTBLS1D7N10MC MOSFET-功率、单N沟道、Toll 100 V、1.8 mΩ、272 A数据手册

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NTMYS020N08LH MOSFET-功率，单N沟道\n

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NTMFS5H414NL MOSFET–单通道、N沟道

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NTBLS1D5N10MC MOSFET-功率、单N沟道、Toll 100 V、1.5 mΩ、312 A数据手册

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NTMTS0D4N04C MOSFET-功率，单N沟道

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NVMFS040N10MCL MOSFET–电源，单N沟道\n

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NVMFWS004N10MC MOSFET–功率，单N沟道

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