MR45V064B 64k Bit(8,192-Word×8-Bit) FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) SPI
MR45V064B是一种非易失性8192字x 8位铁电随机存取存储器（FeRAM），采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发。使用串行外围设备访问MR45V064B接口。不像sram，这种设备，其电池是非易失性的，消除了保存数据所需的电池备份。该设备没有擦除和编程存储单元和块的机制，例如用于各种eeprom的单元和块。因此，写入周期时间可以等于读取周期时间，并且可以显著降低写入期间的功耗。
MR45V064B可用于各种应用，因为该设备的写入/读取公差保证为每位10 13个周期，并且重写计数可显著延长。
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数据手册 |
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RoHS |
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详见资料 |
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SOP;P-SOP8-200-1.27-T2K |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Oct.19,2018 |
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FEDR45V064B-02 |
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920 KB |
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