TRS8E65F SiC Schottky Barrier Diode
●特点
■第二代芯片设计。
■高浪涌电流能力：I-FSM=69A（最大值）
■结电容小：C-J=28 PF（典型值）
■反向电流小：I-R=0.4μA（典型值）
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TRS8E65F SiC肖特基势垒二极管 |
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数据手册 |
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详见资料 |
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TO-220-2L;2-10AE1A |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2018-06-27 |
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Rev.2.0 |
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374 KB |
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