UDT1605 120V NPN SILICON HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR

2019-09-23
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● 说明:

■ UTC UDT1605是一种NPN达林顿晶体管。UDT1605利用UTC的先进技术,具有超高直流电流增益和低集电极-发射极饱和电压,适用于高效驱动功能。

■ UTC UDT1605适用于各种高效驾驶功能等。

● 特征:

■ 高击穿电压
■ 低饱和电压
■ 超高直流电流增益

UDT1605 120V NPN硅高压达林顿晶体管

UTC

UDT1605UDT1605L-AA3-RUDT1605G-AA3-RUDT1605L-AB3-RUDT1605G-AB3-R

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产品型号
品类
BVCEO(V)Max
BVCBO(V)Max
IC(A)Max
HfeMIN
hFEtest_IC(mA)
hFEtest_VCE(V)
VCE(Sat)(V)MAX.
VCE(Sat)test_IC(mA)
VCE(Sat)testIB(mA)
fT*Typical(MHz)
MMBTA14L-AL3-R
NPN SILICON TRANSISTOR
30
30
0.5
20000
100
5
1.5
100
0.1
125

选型表  -  UTC 立即选型

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