UF3C065040K3S 42mΩ - 650V SiC Cascode Datasheet
联合碳化硅的共源共栅产品公司将其高性能G3 SiC JFET与共栅优化MOSFET封装在一起,生产当今市场上唯一的标准栅极驱动SiC器件。这一系列显示了超低的栅电荷,但也最好的反向恢复特性的任何类似的额定值。当与推荐的RCBuffer一起使用时,这些设备非常适合切换感性负载,以及任何需要标准门驱动的应用。
UF3C065040K3S 42mΩ-650V SiC共源共栅数据表 |
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数据手册,Datasheet |
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ESD(HBM class 2)、Halogen Free、RoHS |
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详见资料 |
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TO-247-3L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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December 2018 |
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Rev. A |
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UNITEDSIC - 碳化硅共栅,SIC CASCODES,UJ3C065080T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040T3S,UJ3C065030T3S,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UJ3C FAMILY,UJ3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UF3C065080T3S,UF3C120150K4S,UJ3C120040K3S,UF3C FAMILY,UJ3C120080K3S,UF3C065040K3S,UJ3C065080K3S,UF3C065030T3S,UF3C065080K3S,UF3C120080K4S,UF3C065030K4S,UJ3C,UJ3C120070K4S,UF3C,UF3C120040K4S,UF3C120400K3S,UF3C170400K3S,UF3C065040K4S,UF3C065080K4S
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27:HYME-华天微电子附加装配现场资质
本资料为产品变更通知(PCN),编号为27,发布日期为2021年6月4日,实施日期为2021年10月1日。通知由Dixie-Ann Sinnette发起,涉及的产品规格变更属于重大变更,主要原因是增加了一个新的组装地点,以提高制造灵活性。资料中详细列出了受影响的产品型号、可靠性测试结果、客户资格计划等信息,并要求客户在30天内确认变更。
UNITEDSIC - 碳化硅共栅,JFETS,结型场效应管,SIC CASCODES,UF3C120080K3S,UJ3N120035K3S,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UJ3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UJ3N120070K3S,UJ3N065070K3S,UF3C120040K3S,UF3C120400K3S,UJ3C120040K3S,UJ3C120080K3S,UF3C065040K3S,UJ3C065080K3S,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3N120008K3S,UF3C065080K3S,UJ3N120065K3S
21:组装现场转移-PSI Technologies产品变更通知
本通知宣布了产品变更,PCN编号为21,发布日期为2021年6月4日,由Dixie-Ann Sinnette发起,实施日期为2021年12月31日。变更类型为重大变更,涉及产品从Calamba Laguna的PSI Technologies工厂转移到其母公司IMI-Integrated Micro-Electronics Inc.拥有的Binan Laguna工厂。所有受影响的产品均已完成电气特性和高可靠性测试,确保功能性和电气规格无变化。产品代码P2140及以后的版本可能在IMI工厂生产。变更原因是为了生产效率的整合。
UNITEDSIC - UJ3C065080T3S,UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3D06504TS,UJ3N120035K3S,UJ3C065030K3S,UJ3D1220TS,UJ3D1205TS,UJ3D1210KS,UJ3N120070K3S,UJ3C120040K3S,UJ3N065025K3S,UF3C065030T3S,UJ3N065080K3S,UF3N120008K3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ3D06508TS,UJ3D1210KSD,UF3C065030K4S,UJ3D06516TS,UJ3D06512TS,UJ3D06510TS,UJ3D06560KSD,UJ3D1250K2,UJ3D1210K2,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C120400K3S,UF3C065040K4S,UJ3C065030T3S,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UJ3D1250K,UJ3D06520TS,UJ3D1202TS,UF3SC120009K4S,UJ3D1220K2,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UJ3D1725K2,UJ3N120065K3S,UF3C120080K4S,UJ3D06520KSD,UJ3D1210TS,UJ3D06530TS,UF3C170400K3S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S
【技术】第三代SiC FET的导通电阻降至7/9mΩ以下,有效提升功率密度并降低成本
UnitedSiC采用常关型共源共栅的最新第三代SiC-FET器件,在1200V和650V其导通电阻已达到同类产品最低,分别小于9mΩ和7mΩ。这种器件具有低损耗体二极管效应以及固有的抗过电压和短路能力,与Si-MOSFET或IGBT一样易于驱动。其TO-247封装可以替代许多这类器件,实现即时的性能提升。对于新的设计,还有一种低电感、热增强型DFN8x8封装,利用了SiC FET的高频性能。
分立TO-247-3L 650/1200V第3代共源共栅器件组装现场转移确认报告
本报告概述了根据AEC-Q101指南对United Silicon Carbide, Inc.新一代TO-247-3L塑料封装SiC反雪崩晶体管进行的新组装地点的资格认证。报告详细介绍了各种环境应力测试,包括高温反向偏置、高温栅极偏置、高度加速应力测试、温度循环、高压釜处理、间歇操作寿命等,所有测试均未出现故障。此外,报告还提供了可靠性评估数据,包括FIT率和MTTF,表明产品具有高可靠性。
UNITEDSIC - 第3代分立SIC共源共栅,第三代共源共栅分立器件,DISCRETE GENERATION 3 CASCODE DEVICES,GENERATION 3 DISCRETE SIC CASCODES,UF3C120080K3S,UJ3N120035K3S,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UJ3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UJ3N120070K3S,UJ3N065070K3S,UF3C120040K3S,UF3C120400K3S,UJ3C120040K3S,UJ3C120080K3S,UF3C065040K3S,UJ3C065080K3S,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3N120008K3S,UF3C065080K3S,UJ3N120065K3S
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