NCE2309 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

时间： 2019-12-26

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NCE2309采用先进的沟道技术和设计，以低门电荷提供出色的R-DS（ON）。该设备非常适合用作负载开关或PWM应用。

■一般功能
●V-DS=-60V，I-D=-1.6A
▲R-DS（开）<190mΩ @ V-GS=-10V
●超低R-ds高密度电池设计
●完全特征化的雪崩电压和电流
●良好的散热封装

中文标题（翻译）:	NCE2309 NCE P沟道增强型功率MOSFET
厂牌:	NCE
型号:	NCE2309 查看更多 Part#
品类:	P沟道增强型功率MOSFET 查看更多
应用:	[ PWM应用 ][ 负载开关 ] 查看更多
资料类型:	数据手册查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	SOT-23 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2019/12/17
过期日期:
版本号:	v2.0
文档编码:
文件大小:	470 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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