R-C Thermal Model Parameters Si1424EDH_RC
■说明:
●利用曲线拟合技术推导了R-C热模型中的参数值。包括Foster/Tank和Cauer/Filter配置中电路的R-C值。当在P-Spice中实现时,这些值具有与MOSFET的单脉冲瞬态热阻抗曲线匹配的特性曲线。
●这些RC值可用于P-SPICE模拟中,以评估在定义功率剖面下MOSFET结温度的热行为。应用说明AN609“P-Spice平台上功率MOSFET的热模拟”中描述了这些技术
R-C热模型参数Si1424EDH\U RC |
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数据手册,数据表,Data sheet |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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10-Feb-11 |
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Revision: 10-Feb-11 |
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67592 |
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90 KB |
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