OSG55R190xF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Data sheet
●一般说明
■OSG55R190xF使用高级绿色MOS™提供低RDS（ON）、低栅极电荷、快速开关和优异雪崩特性的技术。该装置适用于有源功率因数校正和开关电源应用。
●特征
■低RDS（开）和FOM
■极低的开关损耗
■优异的稳定性和均匀性
■易于驾驶
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OSG55R190xF增强模式N沟道功率MOSFET数据表 |
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数据手册,数据表,Data sheet |
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详见资料 |
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TO252;TO220;TO251;TO220F |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2017 |
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1.4 MB |
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品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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现货： 5,000
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