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华南首台SiC功率器件动态测试系统在深圳美浦森正式交付
深圳美浦森正式交付华南首台SiC功率器件动态测试系统DPT1000A,该系统由泰克科技领衔开发,旨在解决高速SiC器件动态开关过程中的特性表征难题。DPT1000A具备自动化测试功能,可进行几十项动态参数测试,并支持定制化驱动电路板设计。系统采用泰克新五系高分辨率示波器和光隔离探头,提供高带宽和测试精度,同时确保测试过程中仪器设备安全。
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高压MOSFET(VDMOS) 超结MOSFET(SJMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)
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【产品】漏源电压为200V的N沟道MOSFET SLP32N20C/SLF32N20C,栅极电荷典型值低至50nC
美浦森推出的SLP32N20C/SLF32N20C是两款漏源电压为200V的N沟道MOSFET,器件非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用领域。
SLP32N20C/SLF32N20C 200V N沟道MOSFET
该资料介绍了True Semi生产的SLP32N20C和SLF32N20C两款200V N-Channel MOSFET的特性。这些器件采用先进的平面条纹DMOS技术制造,具有低导通电阻、快速开关性能和高鲁棒性,适用于高效率的开关电源和半桥拓扑结构的功率因数校正。
美浦森 - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,POWER MOSFET,功率 MOSFET,SLP32N20C,SLF32N20C,HIGH EFFICIENCY SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,高效率开关电源
美浦森(Maplesemi)MOSFET在推杆电源方面的应用方案
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美浦森 - MOSFET,SLF60R190SS,SLF10N65U,SLF40N26C,电动沙发,按摩椅,头影机,多功能护理床,足浴沙发,电视架,自动上下楼梯轮椅,升降桌,牙科床,美容椅,电动展台升降杆,工业电动升降系统,自动化设备,婚庆系统,推杆立柱电源,家具设备,交通器材,电动医疗床,电动推杆,相机架
你好,你们有国产N沟道的MOS吗?260V TO-220F封装,交期好点的,最近太缺货了
有的,推荐国产品牌美浦森的SLF40N26C,,封装和电压都满足,这种功率MOSFET是使用Maple semi先进的平面条纹DMOS技术生产的。最小化导通电阻,提供优越的开关性能,交期大概8-12W左右,可以申请样品测试看看,附上规格书链接:https://www.sekorm.com/doc/2064489.html
SLP18N40C/SLF18N40C 400V N沟道MOSFET数据表
美浦森 - 400V N沟道MOSFET,400V N-CHANNEL MOSFET,SLP18N40C,SLF18N40C
SLP730C/SLF730C 400V N沟道MOSFET数据表
该资料介绍了SLP730C和SLF730C两款400V N-Channel MOSFET的特性。这些器件采用SL semi先进的平面条纹DMOS技术制造,旨在降低导通电阻、提供优异的开关性能并承受高能量脉冲。它们适用于高效切换模式电源供应和高效率半桥拓扑结构的主动功率因数校正。
美浦森 - 400V N沟道MOSFET,400V N-CHANNEL MOSFET,SLP730C,SLF730C
SLP740C与SLP740UZ与FHP740对比数据
本资料对比了三种元器件:SLP740C、SLP740UZ和FHP740。资料详细比较了它们的封装框架、外形、特性参数(如Vth、BVdss、Rds(on)等)以及测试数据。主要内容包括封装差异、特性参数对比和测试条件说明。
美浦森 - SLP740C,FHP740,SLP740UZ
CS30N25与SLF40N26C对比数据
本资料对比了两种MOSFET器件:CS30N25和SLF40N26C。CS30N25芯片尺寸较SLF40N26C小11%,RDSon小15%,EAS相差不大,跨导较小,整体直流参数优于SLF40N26C。资料还提供了两种器件的Vt、BVd、Rds(on)、EA、RG、CG等参数的详细对比数据。
美浦森 - SLF40N26C,CS30N25
SLP32N20C/SLF32N20C 200V N沟道MOSFET数据表
本资料介绍了True Semi生产的SLP32N20C和SLF32N20C两款200V N-Channel MOSFET。这些器件采用先进的平面条纹DMOS技术制造,具有低导通电阻、高鲁棒性和快速开关性能,适用于高效开关电源和高效率功率因数校正。
美浦森 - 200V N-CHANNEL MOSFET,200V N沟道MOSFET,SLP32N20C,SLF32N20C
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