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无刷直流(BLDC)电机用egallium氮化物®FET和IC
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用于无刷直流(BLDC)电机的氮化镓场效应晶体管和集成电路应用简介
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
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EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
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Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
氮化镓器件逐步替代旧有硅基MOSFET,性能极限高出6000倍
氮化镓(GaN)的问世和应用地逐渐淘汰了目前使用的硅基材料。随着硅材料的MOSFET接近其理论极限,已很难继续改进。同时氮化镓在朝向理论性能边界稳步发展,该性能边界是当前的MOSFET的6000倍。EPC研发的eGaN FET可逐渐代替硅基晶体管,性能上大幅提升。
How2GaN | 如何设计具有最佳布局的eGaN® FET功率级
eGaN FET的开关速度比硅基MOSFET更快,因此需要更仔细地考虑印刷电路板(PCB)布局设计以最小化寄生电感。寄生电感会导致过冲电压更高,同时减慢开关速度。本篇笔记将会探讨使用eGaN FET设计最佳功率级布局的关键步骤,来避免上述不良影响并最大化转换器性能。
【产品】EPC推出300W、双向、1/16砖型转换器评估模块,面向高功率密度且低成本的DC/DC转换
面向高功率密度且低成本的DC/DC转换,宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9151功率模块,利用EPC2152 ePower™功率级实现性能更高和尺寸更小的解决方案。
EPC(宜普)从48 V到负载电压:通过GaN晶体管提高低压DC-DC转换器性能
本文探讨了使用氮化镓(GaN)晶体管提高低电压直流-直流转换器性能的方法。文章首先介绍了GaN技术的最新进展,包括其低导通电阻、快速开关速度和较小的尺寸优势。接着,文章详细讨论了eGaN FET的设计基础,包括栅极驱动、热管理、成本比较和功率封装。此外,文章还提供了设计实例,包括布局优化、并联器件和热建模,以实现高效能和可靠的应用。
EPC - 电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC2102,EPC2101,EPC2024,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC2021,EPC2020,EPC2100,EPC2023,EPC2022,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备
EPC9038 B5001修订版2.0
这份资料主要涉及了元器件行业中的几种关键组件和电路设计。内容包括了EPC210系列高效功率转换器的相位腿设计,AP1017系列100V栅极驱动器的设计,以及AP1010系列通用死区时间控制器的设计。此外,还包含了MCP1703T-5002E/MC线性稳压器和CD D12 V到5V LDO电源供应的设计。资料中详细描述了各个组件的功能、电路连接和设计参数。
EPC - EPC2102,EPC2104,EPC2038,EPC2103,EPC9038
【产品】单片式半桥氮化镓功率晶体管,可使晶体管占板面积减少50%
EPC EPC2103为单片式半桥氮化镓功率晶体管,它通过集成两个eGaN功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙,使晶体管的占板面积减少50%。此产品是面向高频直流/直流转换应用的理想器件,可应用在高频DC-DC转换,电机驱动等领域。符合RoHS,无铅,无卤素,使用芯片规模封装,封装尺寸为6.05mm×2.3mm,功率密度很高。
EPC2152 80 V,12.5 A E电源™ 阶段数据表
EPC2152是一款基于eGaN®技术的单芯片驱动器,集成了高侧和低侧控制输入、电平转换电路、自举充电电路和栅极驱动缓冲电路。该器件适用于同步降压转换器,具有高效能、小尺寸和高电流输出的特点。
EPC - EPOWER™ 级氮化镓®场效应晶体管,EPOWER™ STAGE EGAN® FET,EPC90120,EPC2152,SINGLE PHASE AND THREE PHASE MOTOR DRIVE INVERTER,降压升压变换器,半桥、全桥或LLC隔离转换器,单相和三相电机驱动逆变器,HALF-BRIDGE, FULL BRIDGE OR LLC ISOLATED CONVERTERS,D类开关音频放大器,同步BUCK变换器,SYNCHRONOUS BUCK CONVERTER,CLASS D SWITCHING AUDIO AMPLIFIER,BUCK AND BOOST CONVERTERS
【产品】 GaN高频增强型大功率场效应管,栅极输入电容仅210pF
EPC2031氮化镓增强型功率晶体管有极低的栅极输入电容,实现了低开关延迟。
【产品】单芯片上集成多个器件的ePower™功率级IC EPC2152,可节省33%的PCB面积
2019年初,EPC将驱动功能、单片式半桥、电平转换器、同步升压电路、保护和输入逻辑电路被合并到一个硅基氮化镓基板上,构成了完整的ePower™功率级IC,该IC可工作在多兆赫频率下,并由一个简单的接地参考的CMOS IC控制,只需添加少数的无源器件,就能形成一个完整的DC-DC稳压器。与使用分立器件相比,该器件能够节省至少33%的印刷电路板面积。
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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1:1特大型半桥产品EPC2102、EPC2103、EPC2104高效电源转换公司热工模型
本文档详细介绍了EPIC公司1:1超大半桥产品EPC2102、EPC2103和EPC2104的热模型。包括热模拟、稳态和瞬态模拟结果,以及相应的SPICE热模型参数。资料中提供了关键的热阻和热电容参数,以供电路设计和热分析使用。
EPC - EPC2102,EPC2104,EPC2103
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥50.4722
现货: 485
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥48.8784
现货: 465
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥48.8784
现货: 401
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥50.4722
现货: 337
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