ESD05D6BU DFN0603 Plastic-Encapsulate ESD Protection Diodes

时间： 2020-07-07

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ESD05D6BU是一种低电容瞬态电压抑制器（TVS），旨在为高速数据提供静电事件放电（ESD）保护接口。与ESD05D6BU的典型电容为0.25pF，旨在保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000-4-2（ESD）、4级（±15kV空气、±8kV接触放电）、IEC 61000-4-4（电快速瞬变（EFT）（40A，5/50ns）、快速充电装置模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等。
ESD05D6BU采用超小型DFN0603封装。每个ESD05D6BU设备可保护一条高速数据线。它为系统设计者提供了灵活性，以保护空间昂贵的单个数据线康塞姆ESD05D6BU具有低电容、超小尺寸和高ESD鲁棒性的特点，是高速数据端口和高频线路应用的理想选择，如手机和高清视频设备。

中文标题（翻译）:	ESD05D6BU DFN0603塑料封装ESD保护二极管
厂牌:	MDD
型号:	ESD05D6BU 查看更多 Part#
品类:	DFN0603塑料封装ESD保护二极管、超低电容esd保护二极管查看更多
应用:	[ 串行数据 ][ 台式机 ][ 服务器 ][ 笔记本电脑 ][ 手机 ][ MDDI端口 ][ usb数据线保护 ][ 显示端口 ][ 数字视觉接口（DVI） ] 查看更多
资料类型:	数据手册,数据表,data sheet 查看更多
安规/环境规范:	ESD(IEC 61000−4−2,Air,±20KV)、ESD(IEC 61000−4−2,Contact,±20KV)、RoHS、UL 94V-0 查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	DFN0603 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:
过期日期:
版本号:	Rev:2020A0
文档编码:	T20402A0
文件大小:	1 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

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GESD0501BU超低电容ESD保护二极管

该资料介绍了GESD0501BU超低电容瞬态电压抑制二极管（TVS）的特性。这种二极管专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护，具有典型电容值为0.25pF，适用于对过压和过电流瞬变事件敏感的系统。它符合IEC 61000-4-2 (ESD)、IEC 61000-4-4 (EFT)等标准，采用极小的DFN1006封装，适合高速数据和高频线路应用。

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2021/8/10 - 数据手册 - REV: G 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

GESD0501BU超低电容ESD保护二极管

该资料介绍了GESD0501BU超低电容瞬态电压抑制二极管（TVS）的特性。这种二极管专为高速数据线提供静电放电（ESD）保护，具有极低的典型电容值（0.25pF），适用于对寄生敏感的系统。它符合IEC 61000-4-2（ESD）和IEC 61000-4-4（电快速瞬变脉冲群-EFT）标准，并采用超小型DFN1006封装。

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2020/05/01 - 数据手册 - REV: E

GESD0501BU-超低电容ESD保护二极管

该资料介绍了名为GESD0501BU-A的超低电容瞬态抑制二极管。它是一种专为高速数据接口设计的静电放电（ESD）保护器件，具有极低的典型电容值（0.20pF），适用于防止过压和电流瞬变事件。该器件符合多项国际标准，采用超小型封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm），适用于手机和高频线路等高速数据端口。

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2023/8/18 - 数据手册 - REV: B

CESD0603UC3V3U超低电容ESD保护二极管，采用DFN0603封装

本资料介绍了CREATEK Microelectronics生产的CESD0603UC3V3U型号超低电容ESD保护器件。该器件采用固态硅雪崩技术，具有低钳位电压、低漏电流等特点，适用于多种电子设备的数据/电源线保护。

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13-Sept.-2024 - 数据手册 - Rev. 4.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

MDD 静电管选型表

提供MDD 静电管选型，具有Bi 和Uni两种POLARITY极性以及SOT、SOD、DFN等多种封装形式可选，覆盖VC(V)范围：+3~+75；IR(uA)范围：+0.03~+40；PD(W)：+8~+3000；ESD (Contact) (KV)：±15~±30，适用于网络通讯设备，消费类电子产品，安防设备，汽车电子，工业电源，充电柱，表计， LED照明，物联网等领域。

产品型号	品类	PD(W)	VRWM(V)	VBR Min (V)	VBR Max (V)	IR(uA)	IT(mA)	VC(V)	IPP（A）	ESD (Contact) (KV)	Package
ESD0504TL	静电管	60	5	6	9	1	1	10	1	±25	SOT-26

选型表 - MDD 代理服务技术支持采购服务立即选型

CESD0603UC5VBSH超低电容ESD保护二极管，采用DFN0603封装

本资料介绍了CREATEK Microelectronics公司生产的CESD0603UC5VBSH型号的ESD保护器件。该器件采用DFN0603封装，具有低电容、双向配置、固态硅雪崩技术和低钳位电压等特点，适用于多种电子设备。

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29-Jul.-2024 - 数据手册 - Rev. 4.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

ESD03D6BU DFN0603塑料封装ESD保护二极管

ESD03D6BU是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而设计。它具有典型的0.25pF电容，适用于保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。该产品符合IEC 61000-4-2（ESD）和IEC 61000-4-4（EFT）等标准，采用超小型DFN0603封装，适用于高速数据端口和高频线路应用。

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2024/5/31 - 数据手册 - Rev:2024A1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

ESD03D6BU DFN0603塑料封装ESD保护二极管

该资料介绍了ESD03D6BU超低电容瞬态电压抑制二极管（TVS），这是一种专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护设计的器件。它具有典型的0.25pF电容，适用于防止寄生敏感系统遭受过压和过流瞬变事件。该产品符合多种国际标准，采用极小的DFN0603封装，适合空间受限的单条数据线保护。

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2023/5/27 - 数据手册 - Rev:2020A0

ESD03D6BU DFN0603塑料封装ESD保护二极管

该资料介绍了ESD03D6BU超低电容瞬态电压抑制二极管（TVS）的特性、应用和规格。这是一种专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护设计的器件，具有极低的典型电容值（0.25pF），适用于对寄生敏感的系统以防止过压和过流瞬变事件。它符合多种国际标准，采用超小型DFN0603封装。

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数据手册 - Rev:2020A0

ESD05D6CU DFN0603塑料封装ESD保护二极管

该资料介绍了ESD05D6CU双向ESD保护二极管，适用于保护电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的损害。该产品具有优异的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，适用于板空间有限的ESD保护设计。其低电容特性使其适用于高频设计，如USB 2.0高速、VGA、DVI、SDI等高速线路应用。

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2024/5/30 - 数据手册 - Rev:2024A2 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

ESD05D6CU DFN0603塑料封装ESD保护二极管

该资料介绍了ESD05D6CU双向防静电二极管的特点和应用。这种二极管专为保护电压敏感组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响而设计，具有优异的钳位能力、低漏电流和快速响应时间。它适用于板空间有限的设计，如手机、便携式设备、数码相机、电源和其他便携式应用。此外，由于其低电容特性，也适合用于高速线路应用，如USB 2.0高速、VGA、DVI、SDI等。

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2023/5/27 - 数据手册 - Rev:2021A1

ESD05D6CU DFN0603塑料封装ESD保护二极管

该资料介绍了ESD05D6CU双向防静电二极管，这是一种专为保护电压敏感组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件影响而设计的器件。它具有优异的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，适用于板空间受限的设计。由于其小型化设计，适合用于手机、便携式设备、数码相机、电源和其他许多便携式应用。此外，由于电容较低，也适用于高速线路应用，如USB 2.0高速、VGA、DVI、SDI等。

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数据手册 - Rev:2019A0

ESD05D6CU DFN0603塑料封装ESD保护二极管

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数据手册 - Rev:2020A0

SLESDTU5V0A1超低电容ESD保护二极管

SLESDTU5V0A1是一款低电容瞬态电压抑制二极管（TVS），专为高速数据线提供静电放电（ESD）保护。该器件具有极低的电容（0.25pF）、超小尺寸（1.0mm×0.6mm×0.5mm）和高ESD鲁棒性，适用于高速数据端口和高频线路应用。

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09 May 2018 - 数据手册 - Rev.1 代理服务技术支持采购服务

ESD3Z3.3D Ultra Low Capacitance ESD Protection Diode

该资料介绍了ESD3Z3.3D是一款低电容瞬态电压抑制二极管（TVS），专为高速数据线提供IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (空气) 和 ±8kV (接触) 静电放电保护。它具有典型的IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50 ns) 电容为0.4pF，适用于电缆放电事件(CDE)保护寄生敏感系统免受高速度线路过压和过流瞬变事件的损害。

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2019-10/01 - 数据手册 - REV:O 代理服务技术支持采购服务

TEP0501D Ultra Low Capacitance ESD Protection Diode

本资料介绍了TEP0501D超低电容ESD保护二极管。该器件具有低电容特性，适用于多种电子设备中的静电放电（ESD）保护。

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2019-05 - 数据手册 - REV:O 代理服务技术支持采购服务

ESD5Z5.0DV超低电容ESD保护二极管

该资料介绍了ESD5Z5.0DV，一款低电容瞬态电压抑制二极管（TVS），专为高速数据接口提供IEC 61000-4-2（ESD）±20kV（接触）静电放电保护。它具有低电容、超小尺寸和高ESD鲁棒性，适用于高速数据端口和高频线路应用。

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2024-07 - 数据手册 - REV:A 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

GESD5Z5.0L超低电容ESD保护二极管

该资料介绍了名为GESD5Z5.0L的超低电容瞬态电压抑制二极管（TVS）。这种二极管专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护，具有极低的典型电容值（0.4pF），适用于对空间敏感的单条数据线进行保护。它符合IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）和非常快速充电设备模型（CDM）标准。

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2020/05/01 - 数据手册 - REV: E 代理服务技术支持采购服务

ESD05D6BU DFN0603塑料封装ESD保护二极管

ESD05D6BU是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS），专为高速数据接口提供静电事件放电（ESD）保护而设计。该器件具有典型电容0.25pF，适用于对寄生敏感系统进行过压和过流瞬态事件保护。它符合IEC 61000-4-2（ESD）和IEC 61000-4-4（EFT）等标准，采用超小型DFN0603封装，适用于高速数据端口和高频线路应用。

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2024/5/30 - 数据手册 - Rev:2024A1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

GESD5Z3.3L超低电容ESD保护二极管

该资料介绍了名为GESD5Z3.3L的超低电容瞬态电压抑制二极管（TVS）。这种二极管专为高速数据接口提供静电放电保护，具有极低的电容值（0.4pF），适用于防止过压和过流瞬态事件。它符合IEC 61000-4-2 (ESD) 和 IEC 61000-4-4 (EFT) 标准，采用超小型SOD-523封装。

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数据手册 - REV: C 代理服务技术支持采购服务

GeSD5Z5BU超低电容ESD保护二极管

该资料介绍了GESD5Z5BU超低电容瞬态电压抑制二极管（TVS）的特性。这种二极管专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护，具有极低的典型电容值0.25pF，适用于防止过压和过流瞬变事件。它符合IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）标准，并采用小型SOD-523封装。

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2022/1/10 - 数据手册 - REV: A 代理服务技术支持采购服务

CEST883UC5VUS超低电容ESD保护二极管，采用SOT883封装

本资料介绍了CREATEK Microelectronics生产的CEST883UC5VUS超低电容ESD保护二极管。该器件具有40瓦峰值脉冲功率（8/20μs），适用于SOT-883封装，提供单向配置，具有低钳位电压和低漏电流等特点。它能够保护数据/电源线免受多种电磁干扰。

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18-Oct.-2023 - 数据手册 - Rev: 4.0 代理服务技术支持采购服务