TMV90N20H 200V N-Channel MOSFET

2020-07-10
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VDMOSFET是一种电流垂直流动的双扩散器件,是一种压控器件。在适当的栅极电压的控制下,半导体表面被反转,形成一个导电通道,并在漏极和源极之间流动适量的电流。与双极型晶体管相比,它的开关速度和开关损耗都很小。输入阻抗高,驱动功率低,频率特性好,特别是具有负温度系数。

TMV90N20H 200V N沟道MOSFET

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SJ MOSFET    SJ-Multiepi MOSFET    VD MOSFET    Trench MOSFET    DT MOSFET   

无锡紫光微  -  VD MOS,SJ-MULTIEPI MOSFET,VD M〇S,沟槽MOS管,SJ-DEEP TRENCH MOSFET,TRENCH MOSFET,DT MOSFET,SJ深沟MOSFET,VD-MOSFET,SJ-MULTIEPI MOS,SJ MOSFET,VD 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,TMP50N

2020.08.21  - 选型指南

TMV90N20H、TMW90N20H 200V N沟道MOSFET

本资料介绍了两款高压N沟道MOSFET器件——TMV90N20H和TMW90N20H。这些器件适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域,具有快速切换、雪崩测试和改进的dv/dt能力。

无锡紫光微  -  200V N-CHANNEL MOSFET,200V N沟道MOSFET,TMV90N20H,TMW90N20H,功率因数校正,开关电源(SMPS),SWITCH MODE POWER SUPPLY(SMPS),UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY(UPS),POWER FACTOR CORRECTION(PFC),不间断电源(UPS)

数据手册  - V3.0

TMV50N20H 200V N沟道MOSFET

本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Co., Ltd生产的TMV50N20H型200V N-Channel MOSFET。该器件是一种垂直电流流过的双扩散VDMOSFET,为电压控制设备。具有快速开关、低栅极电荷以减少开关损耗、改进的dv/dt能力等特点。

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数据手册  - V1.0

TMV90N20H 200V N-Channel MOSFET

本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Company生产的TMV90N20H 200V N-Channel MOSFET。该器件具有快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域。

无锡紫光微  -  200V N-CHANNEL MOSFET,200V N沟道MOSFET,TMV90N20H,功率因数校正(PFC),不间断电源(UPS),开关模式电源(SMPS),UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS),POWER FACTOR CORRECTION (PFC),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

2019/05/30  - 数据手册  - V3.0

TMA40N20HG 200V N沟道MOSFET

本资料介绍了TMA40N20HG型200V N-Channel MOSFET的特性及应用。该器件采用垂直电流流过的新型平面技术,具有低导通电阻、快速恢复体二极管等特点,适用于DC-DC转换器、UPS直流-交流逆变器等应用。

无锡紫光微  -  200V N-CHANNEL MOSFET,200V N沟道MOSFET,TMA40N20HG,DC-DC CONVERTERS,DC-AC INVERTERS FOR UPS,UPS用DC-AC逆变器,开关电源和电机控制,DC-DC转换器,SMPS AND MOTOR CONTROLS

数据手册  - V1.0

TMV50N20H 200V N-Channel MOSFET

本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Company生产的TMV50N20H 200V N-Channel MOSFET。该器件具有快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域。

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TMV40N20H 200V N-Channel MOSFET

本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Company生产的TMV40N20H 200V N-Channel MOSFET。该器件具有快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域。

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2019/05/30  - 数据手册  - V3.0

TMA18N20N,TMP18N20N 200V N沟道MOSFET

本资料介绍了无锡微电子有限公司生产的两款200V N-Channel MOSFET器件,TMA18N20N和TMP18N20N。这些器件采用垂直电流流过的高压双扩散结构,为电压控制型元件。它们具有快速开关、高输入阻抗、低驱动功率和良好的频率特性,特别具备负温度系数。

无锡紫光微  -  200V N-CHANNEL MOSFET,200V N沟道MOSFET,TMP18N20N,TMA18N20N,功率因数校正(PFC),不间断电源(UPS),开关模式电源(SMPS),UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS),POWER FACTOR CORRECTION (PFC),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

数据手册  - V1.0

TMA18N20H,TMP18N20H 200V N-Channel MOSFET

本资料介绍了无锡紫光微电子公司的两款200V N-Channel MOSFET器件,TMA18N20H和TMP18N20H。这些器件适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)。资料提供了详细的绝对最大额定值、规格参数、典型特性曲线和应用电路图。

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2019/05/30  - 数据手册  - V3.0

TMA9N20L,TMD9N20L,TMU9N20L 200V N-Channel MOSFET

本资料介绍了无锡紫光微电子公司的三种200V N-Channel MOSFET器件:TMA9N20L、TMD9N20L和TMU9N20L。这些器件适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域。

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2019/05/30  - 数据手册  - V3.0

TMA18N20H, TMP18N20H, TMD18N20H 200V N-Channel MOSFET

本资料介绍了无锡紫光微电子公司的三种N沟道MOSFET器件:TMA18N20H、TMP18N20H和TMD18N20H。这些器件适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域,具有快速切换、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。

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2019/07/11  - 数据手册  - V3.0
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