EG1611 推挽准谐振控制芯片 数据手册
●EG1611芯片是一款专用于逆变器前级推挽升压的控制芯片,提供了蓄电池欠压和过压关断、欠压蜂鸣和过流关断保护,输出两路推挽模式的40K-100KHz PWM信号,电压反馈采用了浅闭环稳压模式,能实现最高电压限制,防止空载时电压过高而导致烧MOS管的现象,同时节省了变压器输出的滤波电感,降低整体成本及PCB空间。
●特点
■专用于推挽电路结构
■输出电压反馈采用欠闭环控制方式
■工作频率可调,范围为40KHz-100KHz
■PWM软启动功能
■50%占空比输出,死区时间为500nS
■电压、电流、温度反馈实时处理
■过压、欠压、过流、过热保护功能
■根据客户的应用场合,屹晶微电子公司提供修改相应的功能或参数
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屹晶微电子逆变器芯片选型表
屹晶微电子逆变器芯片提供以下参数信息:载波频率范围在5~23.4KHz,输出频率范围在0~400KHz,有单相、双相、三相等类型特特点。
耐压可达600V的多功能半桥驱动芯片EG1160,最高频率支持500kHz,静态功耗<1.5mA
屹晶微电子EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片,内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,非常适合电源、电机等场合使用。
碳化硅功率半导体和芯片解决方案
上海瞻芯电子科技股份有限公司专注于碳化硅(SiC)半导体领域,提供SiC功率器件、驱动和控制芯片产品。公司拥有6英寸SiC MOSFET产品及工艺,产品应用涵盖新能源汽车、光伏逆变器等领域。资料详细介绍了瞻芯电子的产品线,包括SiC MOSFET分立器件、晶圆产品、模块产品和栅极驱动芯片等,并展示了产品目录和关键参数。
瞻芯电子 - 碳化硅 (SIC) MOSFET,驱动和控制芯片,IV3Q12120T9Z*,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV3Q33050T4*,IV2Q07014T4Z,IV3Q12035D7ZB,IV2Q12100D7Z,IV1Q12050D7Z,IV3Q12150T4Z*,IV3Q12060T4Z*,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IV3Q12018K1Z*,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IV2Q12040T4Z,IV3Q12018T4Z*,IV1Q12080T3Z,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV2Q17080T4Z*,IV3Q12035T4Z*,IV2Q12200D7Z,IV2Q17020T4Z*,IV2Q20045T4,IV2Q12030D7Z,IV1Q12750T3,IV2Q06060T4Z,IV3Q12060D7Z*,IV1Q06060T4ZGB,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV1Q06060T3G,IV2Q12065D7Z,IV3Q12150K1Z*,IV2Q12160T4Z,IV1Q12017T4G,IV3Q06025T4Z*,IV3Q12120K1Z*,IV2Q12200T4Z,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV2Q06060L1*,IV3Q12150D7Z*,IV3Q12035T4ZB*,IV3Q12120D7Z*,IV3Q12035K1Z*,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12080T4Z,IV2Q171R0T3,IV1Q12160D7Z,IV3Q12013T4Z,IV2Q12040K1Z,IV2Q06025D7Z,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV3Q12021K1Z*,IV3Q12035T9ZB*,IV3Q07011T4Z3R*,IV3Q12120T4Z*,IV3Q12150T9Z*,IV1Q06060D7G,IV2Q12017T4Z,IV2Q12160D7Z,IV3Q12021T4Z*,IV2Q06060D7Z,IV3Q12035T9Z*,IV3Q12060T9Z*,IV1Q06040T4Z,IV1Q06060T4ZG,IV1Q12030T4G,IV3Q12035K1ZB*,IV2Q12080T4Z,IV1Q12080T3,IV3Q12075K1Z*,IV3Q12035D7Z,IV1Q12080T4,IV2Q12080D7Z,IV1Q12050T4Z,IV2Q12100T4Z,IV2Q17040T4Z*,IV3Q12075T9Z*,IV3Q14025T9Z,IV3Q12060K1Z*,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV3Q12075D7Z*,IV2Q06025T4Z,通信与工业电源,充电桩,储能变流器,新能源汽车,光伏逆变器,AI 服务器供电和家电
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