CJZM718 DFNWB3×2-8L-I Plastic-Encapsulate Transistors-MOSFETS
特点：
●高直流电流增益
●低阈值
●小封装DFNWB3x2-8L-I
●包括一个CJP718晶体管和一个CJ1012 MOSFET
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CJZM718 DFNWB3×2-8L-I塑料封装晶体管MOSFET |
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[ 充电电路 ][ 便携式设备中的其他电源管理 ] |
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DATA SHEET,数据手册,数据表 |
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详见资料 |
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DFNWB3×2-8L-I |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020/08/06 |
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Rev. - 2.0 |
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2.4 MB |
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| 世强先进（深圳）科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD（Yes/No）
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VDS（V）
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ID（A）
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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产品型号
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品类
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Status
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
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Package
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Active
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Single-N
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Trench
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No
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60
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-
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0.2
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0.8~3
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-
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5000
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-
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6000
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TO-92
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产品型号
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品类
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Status
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Polarity
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Package
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ID(A)
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VGS(th)(V)
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VBR(DSS)(V)
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VCEO(V)
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IC(mA)
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hEF Min(V)
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hEF Max(V)
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CJMNT32_WBHFBP-06L-F
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Power Management Transistors-MOSFET
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Active
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PNP+N-ch
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0.8
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SERIES,CJ5123J8A,ESDU5V0N4,CJ09,CESD5V0D3,CJ08,CESD5V0D1,LMV324,CJ03,ESDBL12VAE1,CESD5V0D5,CJ02,CJAC35N03,CJ6605SP,CJU04N65,CESDLC3V0L4,CJU1117B-XX,LM321,SBD40120TCTB,LM324,CJ79XX,CJAC70N03,CJBE5005,CJU80SN10,CJP140N04,CJQ12SN06,CJ17,CESD3V3AP,CJ16,CJ15,CJ40562,ESDE24VP1,CJAC40SN03,CJ13,CJ11,CJ10,CJS8810,DSS34,DSS36,CJP08N65,ESDTU5V0AG4B,CJ6300,CJS8804,SS36,SS34,CJP200N04,CJPF02N65,SBD30100TCTB,CJO06 SERIES,CJP180SN10,CESD5V0AP,ESDBL24VA1,ESDQ12VFA1,ESDHB5V0AE1,SBDF30100SCTB,CJFB30H20,ESDU5V0K4,CJU100N03S,SBD40150TCTB,CJT1117B-XX,CESDLC5V0K5,CJK09 SERIES,CJ6211 SERIES,CJ78M12,LMV358,2N7002K,ESDBM3V3A1,SMAJ18CA,CJQ18SN06,RC4558,CJ9313,CJ78M05,CJ9311,BAT54S,ESDBL3V3Y1,ESDU3V3AG4,ESDBW712C2,ESDBM24VD3,CESDLC5V0J4,CJPF08N65,CJD04N65,CJ86LXX,CJBD3020,CJP110SN10,ESDBL8V0Y1,CJ03 SERIES,ESD15VAE1,CJ9321,ESDBVD5V0F2,CJP07N65,ESDBM24VC2,CJD80SN10S,ESDBS3V3AE1,SBD30100SCTB,ESDBL5V0Y1,CJ6206 SERIES,CJAB35N03S,CJL8820,ESDBM12VD3,B1040A1,MURW3060CTB,CJ6617SP,CJM05 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SERIES,CJP120SN10,SBDF10100SCTB,CJ5123B5G,CJH2205,ESDM3V3AE1,CJK02,CJK01,SBDF30150SCTB,CJK07,CJK05,ESDBU3V3AE1,CJK08,CJ9218T5,CJK09,SBD30150SCTB,CJAC90SN12,ESDSU5V0A1,CJAC40SN10L,CJ4506SP,GBJ1510,ESDD24VP1,ESDBL18VD3,ESDU5V0E2,ESDBVD5V0AE1,ESDHBM5V0A1,ESDBL12VY1,CJ9217T5,CJ75系列,GBJ2510,ESDBL5V0AH1,ESDU5V0D5,CJP04N65,CJ4054A420M,CD431,CESD5V0M5,ESDBT4V5FD1,CJAC50SN03,ESDHBL5V0AE1,CJAC110N03A,CJ40563A420FB10,CJ63系列,CJ86系列,CJAC130SN04L,SBD10100TCTB,DTESDB5V0LED02,ESDQ4V5D3,CJ9107,CJMNT33,CJDW01A,MMBT3904,CJPF07N65,CJH0103,CJH0104,RMSB40M,ESDBP5V0Q4,CJ2302,CJH1311,CESDLC5V0G3,CJ2301,CJP02N65,ESDBS1V8AH1,CJM05,ESDBL18VA1,CJM03,CJAC150N03A,ESDU5V0AE1,CJM06,CJM07,CJ4612SP,SBDF40100TCTB,CJ9112,CJ9113,CJAC13TH06,CJ9117,CJAB2003,CJ40563A420FC10,SBDF10100TCTB,ESDBL8V0D3,ESDH5V0P1,ESDH5V0FD1,ESDBU3V3A1,RS4MBF,JBF310,SMAJ36CA,CJU12P06,CJ40561A420FB8,SBDF4045TCTB,ESDBM7V0A1,CJAE35SN06,CJ9219T5,CJM07 SERIES,CJP02N80,CJP120SN08,CJP180N04A,5.0SMDJ85CA,CJ3139K,CJP180N04,CJD02N65,CJ88系列,ESDBM12VA1,SMAJ24CA,CJU130SN04,CJ17 SERIES,CJAB55N03S,RS1ML,CJ8218SP,CJA1117B-XX,CJ6320系列,CJK07 SERIES,CESD3V3D7,CESD3V3D5,ESDR0502N2,CESD3V3D3,ESDBM3V3AE1,CJO03,CJO06,CJS8205B,CJO07,CJO04,CJB130SN10,CJO05,SBD30120SCTB,SMBJ6.5CA,ESDBL15VD3,ESDBL7V0D3,ESD36VD5,CJB110SN10,CJ6331系列,CJ809CXXM,CJ5123D0A,CESDBLC5V0D7,SMBJ85CA,CJ809NXXM,CESDBLC5V0D5,CESDBLC5V0D3,SBD20100TCTB,ESDG5V0AP,CJAB75N03U,SBDF20120TCTB,CJ09 SERIES,CJ4502SP,CJS8820,CJAE2002,ES1D,CJPF03N80,CESD15VD5,CJAC80N03,CJA6206,ESDBL7V0AE1,SBD20120TCTB,ESDBH4V5P1,CJ3415,SBDF30120SCTB,CJP130SN10,CJAC140SN04,ESDBKV12VD3,CJ8208SP,CJMN2012,ESDBM18VD3,ESD36VAP,CJAC200SN04,ESDQ7V0D3,CJCD2008,ESDF5V0J4,CJK01 SERIES,CJAB35SN03,CJ6330系列,CJP12N65,CJCD2007,CJCD2004,CJCD2005,CJCD2003,CJO04 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航林-新洁能/长晶科技/锐骏/GOFORD/安世/锐骏/鲁晶-中低压MOS管对照表
描述- 航林-新洁能/长晶科技/锐骏/GOFORD/安世/锐骏/鲁晶-中低压MOS管对照表：这些中低压MOS管具备多种优势特性，如低导通电阻（RDS(ON) 最低至15mΩ）、高耐压（VDS(max) 最高至60V）、大电流（ID(max) 最高至8.5A）等。可选参数丰富，包括不同的VDS、ID、RDS(ON)值以及工作电压范围。封装形式统一为SOT23，适用于多种应用场景，如PWM应用、负载开关、电源管理等。
型号- NCE2302H,RU17P6C,RU340B,2N7002A,G3035,RU3407C,NCE2312,G3416,G2305,TCS2302,HL2301DNR,CJ2305,CJ3415,CJ2302,HL3407LNR,CJ2204,2300,CJ2301,HL3415KNR,2N7002K,HL2N7002ENS,RU205B,RU20P4C,NCE3404X,NCE3400X,NCE2301C,2301A,HL3404LNR,G3400,NCE3415,NCE3407A,G3404,NCE2302,G250N03IE,HL3400ANR,RU3400B,CJ3407,HL2300DNR,CJ3404,HL2305FMR,CJ3400,CJ2312,HL3416KNR,3415A,RU20P3C,NCE2305A
长晶科技TVS二极管&ESD二极管选型表
长晶科技提供如下TVS二极管&ESD二极管的技术选型:Ppp(W)范围：+19~+15000；VRWM(V)范围：+1.5~+45633；IR(uA)范围：+0.01~+5000；VC(V)范围：+3.88~+828.....长晶科技的TVS二极管&ESD二极管有SOD-723、SOP8、SOT-143、DFNWB2×2-3L、DO-15等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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Ppp(W)
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VRWM(V)
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VBRMin(V)
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VBRMax(V)
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IR(uA)
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VC(V)
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IPP(A)
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it(mA)
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Package
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SMDJ440CA_SMCG
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TVS二极管
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Active
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3000
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440
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492
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543
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1
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713
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4.21
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1
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SMCG
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ESDU5V0K4 SOT363，厂牌：长晶科技，请确认此款产品晶圆是境内流片，还是境外流片？如果是境外流片，请提供具体国别；如是境内流片，请提供具体厂家信息
你好，长晶科技的是有自己的晶圆厂和封装厂，而晶圆厂在国内就有4家。
长晶科技推出小型化基准源芯片CJ431D系列，具有0.4%高精度，可调输出电压最高可达36V
江苏长晶科技的基准源芯片CJ431D，大量应用于电源适配器，充电器，反激开关电源电路、ADC＼DAC＼MCU参考电压电路中。如电源适配器，开关电源，PD充电器，可调电源等产品。 基准源芯片系列完整，有CJ432E，CJ431E，CJ431B，CJ431D，CD431D等系列。整体方案小型化，市场占有量大。
长晶科技达林顿管&晶体管&双晶体管选型表
长晶科技提供如下达林顿管&晶体管&双晶体管的技术选型:VCEO(V)范围：-400~+400；PCM范围：150(mW)~2(W)；IC范围：-10(A)~10(A)；VCBO(V)范围：-400~+400；VEBO(V)范围：-10~+15，具有PNP、NPN两种Polarity模式可选.....长晶科技的达林顿管&晶体管&双晶体管有TO-126、TO-220-3L、DFNWB3×2-8L、SOT-223、SOT-23等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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Polarity
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VCEO(V)
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PCM
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IC
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VCBO(V)
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VEBO(V)
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hFE@VCE(V)
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hFE MIN
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hFE MAX
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hFE@IC
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VCEsat(V)
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VCE@IC
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VCE@IB
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Package
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MMDT3906_SOT-363
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双晶体管
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Active
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PNP
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-40
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200(mW)
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-200(mA)
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-40
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-5
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-1
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100
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300
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-10(mA)
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-0.4
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-50(mA)
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-5(mA)
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SOT-363
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