UnitedSiC SiC FETs: Industry’s lowest RDS(on) devices

时间： 2020-09-22

以下内容由AI生成，仅供参考

展开

收起

追求更低的RDS（on）：

•降低直流传导损耗

•在较低的开关频率应用中，这是主要的损耗

•将离散解决方案推向更高的功率水平

•或将更少的离散设备并联到相同的功率电平

•对于模块制造商，较低的RDS（on）芯片意味着可并行的芯片更少

•简化模块布局

•UnitedSiC将超低RDS（on）FET的边界扩展到247封装（650V为7m，1200V为9m）

中文标题（翻译）:	UnitedSiC场效应晶体管：业界最低的RDS（on）器件
厂牌:	UnitedSiC
型号:	UF3SC120009K4S、UF3SC120016K4S、UF3SC120016K3S、UF3SC065007K4S、UF3SC、UF3SC65007K4S 查看更多 Part#
品类:	SiC场效应晶体管、碳化硅场效应晶体管查看更多
应用:	[ 大电流电池充电器 ][ 大功率电动汽车逆变器 ] 查看更多
资料类型:	产品组合,product portfolio,商品及供应商介绍查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO247;TO247-4L;SOT227 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:
过期日期:
版本号:
文档编码:
文件大小:	1.3 MB
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

资料部分预览(2页)

- 预览已结束，资料共 13页，预览全部，请登录/注册 -

立即下载完整资料资料将发送到工作邮箱，自动同步至所有设备，方便管理

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 3
| 转发至：

本文内容由UnitedSiC品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。

平台合作

提交评论

全部评论（3）

brian Lv7. 资深专家 2020-12-05

学习下
刘政 Lv8. 研究员 2020-11-26

谢谢
海波 Lv8. 研究员 2020-11-04

下载备用

没有更多评论了

1200V第4代SiC FET具有业界最佳性能，为高压市场提供最佳SiC电源解决方案

**1200V Gen 4 SiC FETs性能卓越，助力高压市场发展** 本文介绍了UnitedSiC（现Qorvo）推出的1200V Gen 4碳化硅场效应晶体管（SiC FET），该产品家族扩展至更高电压应用。新推出的六款产品，包括23毫欧姆至70毫欧姆的UF4C/SC系列，提供TO247-4L（kelvin连接）封装的1200V/53毫欧姆和70毫欧姆SiC FET，以及TO247-3L封装的70毫欧姆SiC FET。这些SiC FET在性能上具有优势，适用于电动汽车市场向800V车载充电器（OBC）和DC/DC转换器的发展。新FET采用先进的垂直沟槽器件结构，提供行业最佳性能，包括最低的RDS(on) x Area、RDS(on) x Eoss、RDS(on) x Coss、(tr)和RDS(on) x Qg。此外，这些SiC FET还提供优异的热性能，有助于提高功率处理能力和降低开关损耗。

UNITEDSIC - SIC FET,SIC场效应管,GEN 4 SIC FET,第4代SIC FET,UF4SC120030K4S,UF4C120053K3S,UF4C120030K4S,UF4SC SERIES,UF3C120040K4S,UF4C SERIES,UF4C120070K3S,UF4C,UF4C120070K4S,UF4C120053K4S,UF4SC120023K4S,UF4SC,POWER CONVERSION APPLICATIONS,INDUSTRIAL BATTERY CHARGERS,EV MARKET,PV CONVERTERS,电源,EV市场,不间断电源,光伏转换器,UPS,POWER SUPPLIES,工业电池充电器,电源转换应用

May 2022 - 商品及供应商介绍

UnitedSiC 公司及产品介绍

UnitedSiC Company & Product Introduction

UNITEDSIC - 半桥模块,高压PSFB,车载充电器,碳化硅JFET,SIC肖特基二极管,中压快速充电器,碳化硅场效应管,基准测试大电流开关,同步整流器全桥模块,牵引逆变器,超级结碳化硅场效应管,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,IPW65R045C7,TK39A60W,UF3SC065030D8S,UF3C065040B3,IPZ65R065C7,UF3N090350,UJ3D06520,STB43N65M5,UJ3C065080B3,UF3C SERIES,TK040Z65Z,UJ3C120040K3S,UF3C120040B7S,SCT3030ALGC11,UJ3N1701K2,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UFS3C120040B7S,UF3SC120016K3S,STW69N65M5,UF3N170400,UF3C065030K4S,SCT3080ALGC11,STF42N65M5,UF3N120140,IPZA60R024P7,UJ3C065030B3,UF3SC065007K4S,UJ3D06516,CPM3-1200-0016A,UJ3D06510,UJ3D06512,UF3SC120040B75,UJ3D06508,UJ3C120150K3S,UF3C065080B7S,UF3SC120035,STB38N65M5,UF3C065080T3S,S5X,UJ3D06504,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,IPP65R045C7,UJ3D06506,STW88N65M54,IPW65R095C7,STW38N65M54,UF3C120080K4S,UF3N090800,CPM3-1200-0010A,UF3SC065030B7S,TK35A65W5,UJC06505K,UJ3D1250,STF57N65M5,UJ3N120035,IPW60R037P7,SCTW35N65G2V,IPP65R095C7,UF3N06S600,UF3SC120016K4S,STW45N65M5,UF3C1201S0B7S,UJ3C065080T3S,UJ3D1205,UJ3N120035K3S,IPZ65R045C7XKSA1,UJ3D1202,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3C065080B3,TK35N65W5,UJ3N065080,IPB65R045C7,UJ3N120070K3S,IPB65R099C6ATMA1,UJ3D06560,UF3C065030T3S,UF3SC120008Z,STW77N65M5,UFSC065007,SCTW90N65G2V,UJSC065007,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UJ3C SERIES,UF3C065040K4S,STW70N60M24,UJ3C065030T3S,UF3C065030K3S,UJC06505,UJ3D1220,S1F,UF3SC120009K4S,IPP60R040C7,UJ3N065025,UF3C120080B7S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,S1F UF3C065040K4S,UJ3C065080K3S,TK040N65Z,SCT3017AL,TK31Z60X,UJ3C,UF3SC120008,UF3C,C2M0025120D,UJ3D1210,UF3N,UJ3N120070,UF3M06S300,SCT3022KL,UJ3D06530,IMZ120R030M1H,UJ3N,UF3C120150K3S,UJ3D SERIES,UF3SC065040B7S,CPM3-0900-0010A,UF3C065080K4S,INDUSTRIAL BATTERY CHARGIN,EV PLATFORMS,电动汽车直流-直流,DATACENTER POWER SUPPLIES,电动汽车平台,数据中心电源,INDUSTRIAL BATTERY CHARGING,工业电池充电,工业电池充电器,EV DC-DC

2019年 - 商品及供应商介绍

UnitedSiC 750V Gen 4 SiC FET突破性能技术产品概述

**主要内容包括：** - UnitedSiC发布新一代750V Gen 4碳化硅场效应晶体管（SiC FETs），旨在加速宽禁带半导体（WBG）在汽车、工业充电、电信整流、数据中心PFC DC-DC转换以及可再生能源和储能应用中的采用。 - 新系列SiC FETs具有750V的额定电压，为400V或500V电池/总线电压应用提供了额外的设计余量。 - Gen 4器件采用先进的单元密度，降低了单位面积的RDS(on)，在所有封装中提供行业最低的电阻产品。 - 高电流额定值通过先进的烧结芯片键合技术实现，提高了热性能。 - 新SiC FETs在硬开关和软开关电路中提供更高的效率，具有低导通电阻、低输出电容和低存储电荷等优点。 - 这些SiC FETs在硬开关和软开关应用中表现出色，具有优异的整流二极管性能和低电压降。 - 通过降低RDS(on)和输出电容，这些SiC FETs在软开关谐振转换拓扑结构中表现出卓越的性能。 - Gen 4 750V FETs在关键硬开关和软开关参数方面具有无可比拟的优势，为功率设计师提供了更好的系统设计选择。

UNITEDSIC - SIC FET,SIC场效应管,UJ4C075018K4S,UJ4C075018K3S

December 2020 - 商品及供应商介绍

【经验】电机控制应用中三种不同dv/dt控制方法的比较

在电机控制等部分应用中，放缓开关期间的dV/dt非常重要。速度过快会导致电机上出现电压峰值，从而损坏绕组绝缘层，进而缩短电动机寿命。在本文中，UnitedSiC研发高级工程师比较了三种不同的dV/dt控制方法。

2020-09-17 - 设计经验

UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南

Product introduction SiC FETs SiC JFETs SiC Schottky Diodes

UNITEDSIC - SCHOTTKY DIODES,SIC肖特基二极管,高性能SIC FET,高性能SIC JFET,SIC JFETS,HIGH PERFORMANCE SIC FETS,HIGH PERFORMANCE SIC JFETS,碳化硅JFET,SIC FETS,碳化硅场效应晶体管,JFETS,SIC SCHOTTKY DIODES,HIGH PERFORMANCE SIC SCHOTTKY DIODES,高性能SIC肖特基二极管,UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040B3,UJ4C075023K3S,UJ3D1210KS,UF3N090350,UF3C SERIES,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UJ3N1701K2,UF3N SERIES,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3N170400,UF3C065030K4S,UF3N120140,UF3N065600,UF3N170400B7S,UJ3D06510TS,UJ3D06560KSD,SC SERIES,UJ3C065030B3,UJ3D1210K2,UF3SC065007K4S,UF3C120400K3S,UJ4SC SERIES,UF4C120053K4S,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UJ3D1202TS,UF3C065080B7S,UJ3D1220K2,SC,UF3C065080T3S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UF3SC,UF4C120053K3S,UF3C120080K4S,UF3N090800,UJ4C075018K3S,UJ3D1210TS,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ3D06530TS,UJ4C075060K3S,UJ3N SERIES,UJ3N120035,UF4C120070K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC120016K4S,UJ4C SERIES,UJ4C075018K4S,UJ3C065080T3S,UF4SC120030K4S,UJ3N120035K3S,UJ3D06504TS,UJ3C065030K3S,UJ3D1205TS,UF3C065080B3,UJ3N065080,UJ4SC075009K4S,UJ3N120070K3S,UJ4C075033K3S,UF3SC SERIES,UF4C120070K4S,UF3C065030T3S,UJ3D06508TS,UJ3D1210KSD,UJ3D06516TS,UJ3D06512TS,UJ3D1250K2,UJ4SC075006K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UJ3C SERIES,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3D1250K,UJ3D06520TS,UF3SC120009K4S,UF4C SERIES,UJ3N065025,UF3C120080B7S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UJ3C065080K3S,UJ3D1725K2,UJ3N120065K3S,UJ3D,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ3D06520KSD,UF3N065300,UF3C,UF3N,UJ3N120070,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UJ3N,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UJ3D SERIES,UF3SC065040B7S,UF3C065080K4S,DC/DC转换,电信,SERVER,DC/DC CONVERSION,ELECTRIC VEHICLES,ON-BOARD CHARGERS,BATTERY CHARGERS,CIRCUIT,WIRELESS CHARGERS,电动机驱动,MOTOR DRIVES,无线充电器,TELECOM,SERVER PSU,SOLAR INVERTERS,ENERGY STORAGE,车载充电器,蓄电池充电器,太阳能逆变器,电动车辆,服务器PSU,储能

2022/4/22 - 选型指南

UnitedSiC Rediscovers The Perfect Switch with SiC FETs

Cascading silicon MOSFET and a SiC JFET is dubbed a ‘SiC FET‘ by the manufacturer and technology champion UnitedSiC. It has better figures of merit for overall losses than SiC MOSFETs or GaN HEMT cells.

2021-07-17 - 原厂动态

【技术】图腾柱PFC在SiC FET的辅助下日渐成熟，宽带隙开关支持实现可行的解决方案

在宽带隙半导体的辅助下，图腾柱功率因数校正技术日渐成熟，与损耗很低的SiC FET搭配使用后，发挥了全部潜力。本文UnitedSiC解析图腾柱PFC在SiC FET的辅助下日渐成熟。

2022-03-05 - 新技术

SiC FET的起源和发展—与SiC MOS及其他替代技术的性能比较

使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。

2022-06-21 - 原厂动态

【应用】SiC FET UF3SC120009K4S用于电动汽车固态断路器和电池系统，有效降低插入损耗、驱动高压大电流

UnitedSiC的SiC共源共栅器件正越来越多地应用于电动汽车中——使用SiC共源共栅器件的碳化硅（SiC）开关被配置为断路器时，它们可在100纳秒至几微秒内运行，并避免了电弧；传导过程可以被控制来限制浪涌电流或对电容器进行预充电。除此以外，SiC共源共栅器件还可用来切换驱动器和电池系统中的高压和大电流。

2020-01-04 - 应用方案

【产品】采用D²PAK-7L封装的1200V-35mΩ SiC FET，适用于开关感性负载

UF3SC120040B7S是UnitedSiC公司推出的一款1200V-35mΩ SiC FET，这种SiC FET器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中将常开 SiC JFET与Si MOSFET封装在一起来构成常关型SiC FET器件。

2022-01-25 - 产品

电动汽车对提高效率的需求正改变供应链，电池、电动马达、逆变器组成的全新电动动力系统开始渗透

快速的电气化趋势正在创造一个全新的供应链。它包括由电池、电动马达、逆变器组成的新的电动动力系统，以及其他支持子系统组成，包括OBC、DC/DC转换器、PDU和其他辅助设备。对于大多数子系统，电力电子元件是必不可少的。这吸引了一批新的供应商。

2022-06-02 - 行业资讯

UnitedSiC‘s FET-Jet Calculator Taking The Guesswork out of SiC FET Selection

UnitedSiC‘s new FET-Jet CalculatorTM is free-to-use without any registration and enables a designer to select an application, topology, electrical design parameters and ambient temperature, and quickly try a device from UnitedSiC‘s range of SiC FETs and diodes with a chosen heatsink rating. Critical performance results are instantly calculated, including overall efficiency, with component losses separated out into dynamic and conduction contributions, along with junction temperatures and current stress levels. If a resulting voltage is above the rating of the selected part, a warning is given.

2021-07-11 - 原厂动态

UnitedSiC Announces 6 New SiC FETs, Available in 30/40/80/150mΩ Versions

UnitedSiC, a leading manufacturer of silicon carbide (SiC) power semiconductors, continues to expand its FET portfolio with the introduction of six new 650V and 1200V options, all housed in the industry standard D2PAK-7L surface mount package. Available in 30, 40, 80 and 150mΩ versions, these latest SiC FETs represent another step forward in accelerating migration to SiC across applications such as server and telecom power supplies, industrial battery chargers and power supplies, EV on-board chargers and DC-DC converters.

2021-06-08 - 新产品