低损耗、高可靠SiC MOSFET助力工业全面升级
1. SiC MOSFET助力工业升级
●材料特性：高禁带宽度、击穿场强、热导率、电子漂移速度
●器件优势：高击穿电压、开关频率、工作温度、功率密度
●系统功能提升：转换效率、尺寸重量、系统工作频率
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WM1A040120K、WM1A080120K、WM1A160120K、WM1A280120K、WM1A045170K、WM1A01K170K、WM2A017065K、WM2A035065K、WM2A120065K、WM2A025120K |
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产品介绍,商品及供应商介绍 |
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详见资料 |
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TO-247-3;TO-263-7 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020年10月 |
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3.1 MB |
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