本文内容由英诺赛科品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
评论
全部评论(3)
-
叶少专注高频微波pcb116425136 Lv8. 研究员 2020-11-10学习
-
歪萌 Lv5. 技术专家 2020-11-10学习了
-
厦门天之痕 Lv7. 资深专家 2020-11-10学习
相关推荐
【应用】英诺赛科氮化镓开关管助力双向AC-DC变换器设计,转换效率达95%
芯仙能源技术推出的这款双向AC-DC变换器具备2000W输出功率,支持整流输出模式和逆变模式,适合用于48V电池系统的储能应用等场合。逆变模块内部采用英诺赛科的氮化镓器件、继电器来自Churod中汇瑞德,线圈电压12V,触点容量50A;通过纳芯微驱动器驱动氮化镓开关管,交流输入和输出保险丝来自华德电子,为WM50系列电力熔断器。
【应用】iQOO手机原装120W超快迷你充电器,内置英诺赛科定制氮化镓芯片,支持超高开关频率
充电头网最近拿到了iQOO手机标配的一款120W超快闪充迷你充电器,这款充电器内置英诺赛科定制氮化镓功率芯片,由奥海科技代工生产,整体十分小巧且通用性不错。 充电器不仅支持自家私有闪充,还支持65W PD快充以及具备PPS电压档位,可以满足绿厂用户外出情况下,手机和笔记本电脑共用充电,降低携带成本。
我是研究增强型氮化镓课题的研究生,我的教授目前在做P-gan HEMT器件的可靠性分析。我想知道市场上的增强型氮化镓HEMT器件哪些公司运用这种方案?
目前世强代理的英诺赛科的氮化镓为增强型的,但应该不是P-GaN类型的,P-GaN类型的应该比较少见
【应用】英诺赛科60W氮化镓LED驱动电源方案,支持90~264V输入电压,满载输出效率达93.5%
英诺赛科推出了一款60W LED驱动电源参考设计,这款电源为单级高PF值反激设计,并且为原边反馈,无需光耦和输出电流检测电路,在初级完成恒压控制,电路精简,简化设计并降低成本;电源支持90~264V输入电压,220V输入满载输出效率高达93.5%。
近期在平台上看到英诺赛科的65W PD快充充电方案,上面使用的电源控制芯片是哪家方案,对应的GaN规格型号?
您好,英英诺赛科的65W PD快充采用的电源控制芯片及同步整流芯片为国产必易微的: 65W单C快充方案KP2206SSGA+KP4060LGA. 详见文章:https://www.sekorm.com/news/46700782.html
DC-DC电源项目,找一款GaN芯片,规格要求:650V 30mΩ 最好是TOLL封装,请问贵司有代理英诺赛科的产品吗?
推荐英诺赛科,INN650TA030AH。VDS(MAX),650V;ID 100A 英诺赛科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体,拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压(30V-650V)的氮化镓功率器件,产品设计及性能均达到国际先进水平。 规格书链接:https://www.sekorm.com/doc/3727321.html
替代NV6136A,可以用英诺赛科GaN的什么型号?
您好,推荐英诺赛科的INN650D150A,耐压650V的GaN增强模式功率晶体管,导通电阻最大仅有150毫欧,超高开关频率,超小封装DFN 8mmx8mm,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/2746392.html
请问英诺赛科的GaN器件有适合做220VAC转48VDC开关电源的型号吗?
型号为:INN650D02;参数:650V/200mΩ ,漏源电压650V可满足220VAC交流转换输入需求,DFN8*8封装;详细的数据手册请查看世强网址:https://www.sekorm.com/doc/2111203.html
YU-Q65W快充项目,需求一款GaN场效应晶体管,输入:90-260V、输出:5-20V ;输出 2路 : 1A+1C,导通电阻低,因为要控制温升在65或者75℃。请帮忙推荐,谢谢!
您好,推荐:英诺赛科INN650D150A,导通电阻仅为150毫欧,体积DFN8mmX8mm
你好:我想请问一下GaN基HEMT有那个型号是裸片卖的吗?由于我们需要裸片进行测试,若是没有裸片,封装后的产品我们可以拆开或者您帮拆开吗?
和英诺赛科原厂沟通过,目前暂时不卖GAN HEMT裸片。封装后的产品客户可以考虑拆开测试裸片,世强暂时不能帮助拆解。
英诺赛科多款TO252/TO220封装的GaN强势出货,耐压从650V升级到700V为电源设计提供丰富选择
英诺赛科推出多款采用TO252/TO220 封装的直驱氮化镓芯片INN700TK140C、INN700TK190B、INN700TH240B,基于先进的8英寸硅基氮化镓技术,耐压从650V升级到700V,并迅速量产出货,为终端产品的电源设计提供了丰富选择。
英诺赛科(Innoscience)——世界领先的8英寸硅基氮化镓产业化平台
英诺赛科(Innoscience)创办于2015年12月,是第三代半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。英诺赛科(Innoscience)主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发与产业化,并已于2017年底建成了我国首条8英寸硅基氮化镓功率器件的量产线。
英诺赛科荣获“2023年行家说极光奖”三大奖项,未来将持续推进氮化镓的深入应用
12月13-14日,由行家说主办的第三代半导体年会(碳化硅&氮化镓产业发展高峰论坛暨行家说极光奖颁奖典礼)在深圳成功举办。在2023行家极光奖颁奖典礼上,英诺赛科荣获“第三代半导体年度中国领军企业”、“中国GaN十强企业”和“年度最具影响力产品”三大奖项。
出货量已超过1.2亿颗,英诺赛科推出VGaN双向导通系列、SolidGaN合封系列等多款氮化镓芯片
英诺赛科是全球领先的8英寸硅基氮化镓 IDM 企业,拥有世界上最大的氮化镓生产基地,先进的研发与制造能力,配套全自动生产线与全流程质量管控体系。2022年,英诺赛科全面增加研发投入,打造了40V、100V及150V工艺平台,推出了多系列创新型产品,并成功量产,在终端应用中表现出色。当前英诺赛科出货量已经超过1.2亿颗。
英诺赛科半桥氮化镓功率芯片ISG3201发布,支持客户在尺寸、成本、灵活性和性能方面进行优化
ISG3201 半桥氮化镓功率芯片包括两个100V 3.2mΩ 具有驱动器、驱动电阻器、自举和Vcc电容器的e-mode GaN HEMT。它具有34A的连续电流能力、零反向恢复电荷和超低导通电阻。由于集成度高,栅极环路和功率环路寄生电流保持在1nH以下。因此,开关节点上的电压尖峰被最小化。半桥GaN HEMT的导通速度可以通过单个电阻器来调节。
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论