EPC eGaN®FET第十一阶段产品可靠性测试报告
与传统的硅MOSFET器件相比,由于氮化镓是一种相对较新的半导体技术,因此很多客户要求进行AECQ101认证标准以外的其 它测试,并深入了解可能导致器件故障的独特失效机理。在此报告中,我们提供了附加测试的几个范例。
从2010年3月[11]投入量产以来,氮化镓(GaN)功率器件建立了卓越的现场可靠性记录。本文将讨论实现这个良好记录的策略,是在各种测试条件下,反复对器件进行测试、找出器件的失效原因,从而为业界构建越来越稳固的产品。
EPC2212、EPC2045、EPC2034C、EPC2014C、EPC2203、EPC2202、EPC2206、EPC2201、EPC2051、EPC2053、EPC9126、EPC2036、EPC2001C、EPC9126HC、EPC9126xx |
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产品可靠性报告,测试报告 |
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详见资料 |
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LGA;BGA |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020 |
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3.2 MB |
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
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Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
|
0.42
|
0
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86
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67
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20
|
3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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