EPC eGaN®FET第十一阶段产品可靠性测试报告

2020-11-24
由于宜普电源转换公司(EPC)eGaN®FET器件迅速在宽泛的不同应用中被采纳,因此需要继续不断累积可靠性统计数据,并对氮化镓器件的基本失效物理特性进行研究。第十一阶段可靠性报告增加了在前十分报告中发布的不断增长的知识,以及涵盖了几个关键的全新题目。
与传统的硅MOSFET器件相比,由于氮化镓是一种相对较新的半导体技术,因此很多客户要求进行AECQ101认证标准以外的其 它测试,并深入了解可能导致器件故障的独特失效机理。在此报告中,我们提供了附加测试的几个范例。
从2010年3月[11]投入量产以来,氮化镓(GaN)功率器件建立了卓越的现场可靠性记录。本文将讨论实现这个良好记录的策略,是在各种测试条件下,反复对器件进行测试、找出器件的失效原因,从而为业界构建越来越稳固的产品。

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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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