ISL70020SEH, ISL73020SEH 40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

2020-11-25
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ISL70020SEH和ISL73020SEH是40V N沟道增强型氮化镓功率晶体管。这些氮化镓场效应晶体管的特点是破坏性单粒子效应(见)和测试总电离剂量(TID)辐射。这些设备的应用包括商业航空航天、医疗和核能发电。
氮化镓具有极高的电子迁移率和较低的温度系数,使得rDS(ON)非常低,而其横向器件结构和多数载流子二极管提供了非常低的QG和零QRR。最终的结果是一个设备,可以在更高的开关频率和更高的效率,同时减少整体解决方案的规模。
通过将密封表面贴装器件(SMD)封装中的氮化镓场效应晶体管的卓越性能与MIL-PRF-38535类似流程的制造相结合,产生了最适合高可靠性应用的同类最佳功率晶体管。

ISL70020SEH,ISL73020SEH 40V,65A增强型氮化镓功率晶体管

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