ISL70020SEH, ISL73020SEH 40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors
ISL70020SEH和ISL73020SEH是40V N沟道增强型氮化镓功率晶体管。这些氮化镓场效应晶体管的特点是破坏性单粒子效应(见)和测试总电离剂量(TID)辐射。这些设备的应用包括商业航空航天、医疗和核能发电。
氮化镓具有极高的电子迁移率和较低的温度系数,使得rDS(ON)非常低,而其横向器件结构和多数载流子二极管提供了非常低的QG和零QRR。最终的结果是一个设备,可以在更高的开关频率和更高的效率,同时减少整体解决方案的规模。
通过将密封表面贴装器件(SMD)封装中的氮化镓场效应晶体管的卓越性能与MIL-PRF-38535类似流程的制造相结合,产生了最适合高可靠性应用的同类最佳功率晶体管。
ISL70020SEH,ISL73020SEH 40V,65A增强型氮化镓功率晶体管 |
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ISL70020SEH、ISL73020SEH、ISL7x020SEH、ISL7x023SEH、ISL7x024SEH、ISL70020SEHML、ISL73020SEHML、ISL70020SEHMX、ISL73020SEHMX、ISL70020SEHMX/SAMPLE、ISL73020SEHMX/SAMPLE、ISL70020SEHL/PROTO、ISL73020SEHL/PROTO、ISL70040SEHEV5Z |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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SMD |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Nov.7.19 |
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Rev.1.01 |
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R34DS0007EU0101 |
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787 KB |
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