MB85RC64TA Memory FRAM 64 K (8 K x 8) Bit I²C

数据处理FRAM 16 K（2 k×8）位双通道SPI MB85RDP16LX富士通半导体存储器解决方案数据表

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64 K（8 K x 8）位I2C MB85RC64TA富士通半导体产品介绍

该资料介绍了富士通半导体生产的MB85RC64TA型铁电随机存取存储器（FRAM）芯片。该芯片具有8,192字×8位的容量，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造的非易失性存储单元。与SRAM相比，MB85RC64TA能够在不使用数据备份电池的情况下保留数据。其非易失性存储单元的读写耐久性达到至少10^13次，显著优于闪存和EEPROM。此外，该芯片支持I2C接口，并具备低功耗、宽工作温度范围等特点。

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2M（256 k×8）位SPI MB85RS2MTY存储器FRAM富士通半导体存储器解决方案数据表

本资料介绍了富士通半导体公司生产的MB85RS2MTY型FRAM（铁电随机存取存储器）芯片。该芯片采用串行外围接口（SPI），适用于高温环境应用，具有高耐用性、低功耗等特点。

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FUJITSU（富士通）铁电随机存储器 FRAM 产品概览（中文）

FRAM特长与产品阵容    FRAM热点产品    独立FRAM存储器    FRAM内置RFID用LSI   

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铁电随机储存器 FRAM 产品介绍

本文介绍了FRAM（铁电随机存取存储器）的技术特点和应用。FRAM具有非易失性、快速读写、低功耗等优点，适用于各种存储应用。文章详细比较了FRAM与EEPROM、FLASH等存储器的性能差异，并介绍了FRAM在RFID、物联网等领域的应用。此外，文章还介绍了Fujitsu半导体公司生产的FRAM产品及其技术规格。

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FUJITSU（富士通）铁电随机存储器 FRAM 产品概览（英文）

FRAM    Standalone Memory    FRAM-Embedded LSI   

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“FRAM”，高品质、高可靠性的非易失性存储器，具有成熟的制造经验

富士通半导体有限公司提供基于铁电随机存取存储器（FRAM）的内存产品，具有高可靠性和成熟的制造经验。FRAM结合了随机存取和非易失性，适用于需要快速写入、高读写耐久性和低功耗的应用。富士通提供多种FRAM产品，包括独立内存和嵌入式LSI，适用于智能卡、RFID标签、电力计量、自动化机械和医疗RFID标签等应用。此外，富士通还开发了适用于高温环境的汽车级FRAM产品，以满足汽车应用的需求。

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2M（256 k×8）位SPI MB85RS2MTY（符合AEC-Q100标准）存储器FRAM富士通半导体存储器解决方案数据表

该资料介绍了富士通半导体公司生产的MB85RS2MTY型FRAM（铁电随机存取存储器）芯片。该芯片采用串行外围接口（SPI），适用于高温环境下的汽车应用。具有高耐久性、低功耗等特点，支持高达10^13次读写操作。

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16 K（2 k×8）位SPI MB85RS16N存储器FRAM富士通半导体存储器解决方案数据表

本资料介绍了富士通半导体（FUJITSU SEMICONDUCTOR）生产的MB85RS16N型铁电随机存取存储器（FRAM）。该芯片采用串行外设接口（SPI），具有高耐用性、低功耗和数据保持时间长等特点。资料详细说明了产品特性、引脚分配、功能描述、操作模式、指令集、电气特性、封装尺寸和订购信息。

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铁电随机存储器FRAM 具有丰富量产业绩的、 高质量、高可靠性存储器FRAM

本文介绍了FRAM（铁电随机存取存储器）的技术特点和应用。FRAM具有非易失性、高速读写、低功耗等优点，适用于汽车电子、RFID等领域。文章详细阐述了FRAM的工作原理、性能参数、封装形式以及与EEPROM、FLASH等存储器的比较。此外，还介绍了FRAM在汽车电子、RFID等领域的应用案例。

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FUJITSU Semiconductor FRAM 产品介绍

富士通半导体有限公司提供基于铁电随机存取存储器（FRAM）的存储产品，具有高质量和高可靠性。自1999年开始量产FRAM产品以来，富士通已向全球50多个国家的客户提供了超过200种应用的产品。FRAM产品适用于消费、工业和医疗等领域，包括IC卡、打印机、电力计量表、工业机械、医疗RFID标签、可穿戴设备、工业机器人和无人机等。富士通还提供基于FRAM的解决方案，如RFID LSI和认证LSI，以及电池无线解决方案。FRAM具有快速写入速度、高读写周期耐久性和低功耗等优势，适用于需要连续重写、实时记录和数据鲁棒性的应用。

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MB85RS2MTY（符合AEC-Q100）256K（256Kx8）位SPI数据表

本资料介绍了富士通半导体公司生产的256K位（262,144字×8位）串行外设接口（SPI）铁电随机存取存储器（FRAM）芯片MB85RS2MTY。该产品适用于高温环境，如汽车应用，具有高耐用性、低功耗等特点。

FUJITSU  -  铁电随机存储器,FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY,MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1,MB85RS2MTYPNF-GS-AWERE2,MB85RS2MTY,MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2,HIGH-TEMPERATURE ENVIRONMENT SUCH AS AUTOMOTIVE,汽车等高温环境

Memory FRAM64 K (8 K × 8) Bit I2C MB85RC64TA

该资料介绍了富士通半导体生产的MB85RC64TA型铁电随机存取存储器（FRAM）芯片。该芯片具有8,192字×8位的配置，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造非易失性存储单元。与SRAM相比，MB85RC64TA能够在不使用数据备份电池的情况下保留数据。其读写耐久性达到至少10^13次循环，显著优于闪存和E2PROM。此外，该芯片支持两线串行接口，工作频率最高可达3.4 MHz。

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MB85RS256TY 256K（32Kx8）位SPI数据表

该资料介绍了富士通半导体公司生产的MB85RS256TY型铁电随机存取存储器（FRAM）芯片。该芯片具有32,768字×8位的容量，采用串行外设接口（SPI），适用于高温环境，如汽车应用。其主要特点是高耐久性、数据保持时间长、低功耗和宽工作温度范围。

FUJITSU  -  铁电随机存储器,FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY,MB85RS256TYPNF-G-AWE2,MB85RS256TYPNF-G-AWERE2,MB85RS256TYPNF-G-BCERE1,MB85RS256TYPNF-G-BCE1,MB85RS256TY,HIGH-TEMPERATURE ENVIRONMENT SUCH AS AUTOMOTIVE,汽车等高温环境

MB85RS256TY (AEC-Q100 Compliant) Memory FRAM 256K (32 K x 8) Bit SPI

本资料介绍了富士通半导体公司生产的256K位（32K x 8位）串行外围接口(SPI) Ferroelectric RAM (FRAM)芯片MB85RS256TY。该产品采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造，适用于高温环境，如汽车应用。具有高耐久性、低功耗、无需后备电池等特点。

FUJITSU  -  FRAM (FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY) CHIP,铁电随机存取存储器芯片,MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1,MB85RS256TYPNF-GS-BCE1,MB85RS256TY