SLM27211 120-V Boot, 4-A Peak, High-Frequency High-Side and Low-Side Driver

时间： 2020-12-10

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SLM27211是一种高频N沟道MOSFET驱动器，包括一个120V的自举二极管和高、低压侧驱动器，具有独立的输入，以实现最大的控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源箝位正激变换器中实现N沟道MOSFET控制。低压侧和高压侧栅极驱动器独立控制，在开关之间匹配2ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。如果驱动电压低于规定的阈值，则为高压侧和低压侧驱动器提供欠压锁定，以强制输出低。
特征：

●在高侧和低侧配置下驱动两个N沟道MOSFET
●输入引脚独立于电源电压范围
●最大启动电压120 V
●8-V至17-V VDD工作范围
●4-A Sink和3-A源输出电流
●1000pF负载下8-ns上升和5-ns下降时间
●20ns（典型）传播延迟时间
●欠压高压侧和低压侧驱动器锁定
●2纳秒延时匹配
●规定温度为-40°C至140°C

中文标题（翻译）:	SLM27211 120 V启动，4 A峰值，高频高压侧和低压侧驱动器
厂牌:	数明半导体
型号:	SLM27211、SLM27211CA-DG、SLM27211EK-7G 查看更多 Part#
品类:	高频N沟道MOSFET驱动器、驱动器查看更多
应用:	[ 半桥和全桥转换器 ][ 推挽变换器 ][ 高压同步Buck变换器 ][ 两个开关正激变换器 ][ 有源箝位正激变换器 ][ D类音频放大器 ][ 数据通信电源 ][ 电信电源 ][ 商户用电源 ] 查看更多
资料类型:	DATA SHEET,数据手册,数据表查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	SOIC-8;DFN8 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	Aug, 2020
过期日期:
版本号:	Rev 0.4
文档编码:
文件大小:	1.1 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

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