SLM2106B High and Low Side Driver
SLM2106B是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高低压侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,设计用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600v。
●产品概述:
◆最大V偏移600 V。
◆I-O+/-1.4A/1.8 A
◆V-OUT 10 V-20 V
◆t-on/off(典型值)220 ns/200 ns
◆延迟匹配(典型值)无
●特点:
◆设计用于自举操作的浮动通道
◆完全工作至+600 V
◆耐受负瞬态电压,dV/dt免疫
◆门驱动电源范围从10 V到20 V
◆两个通道的欠压锁定
◆3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容
◆两个通道的匹配传播延迟
◆较低的di/dt门驱动以获得更好的抗噪性
◆与输入同相输出
◆符合RoHS标准
◆SOIC-8和PDIP-8封装
SLM2106B高低压侧驱动器 |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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SOIC-8;PDIP-8 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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June 2020 |
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Rev1.1 |
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1.6 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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