TE240A4851F01 REACH Declaration for Substances of Very High Concern

TE240A4851F01 RoHS符合性声明

SL Power Electronics Corp. 对产品TE240A4851F01进行RoHS合规性声明，确认该产品符合欧盟2011/65/EU指令关于限制电气和电子设备中某些有害物质的要求。声明中列出了有害物质的最高限量，包括铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBBs）和多溴联苯醚（PBDEs）、十溴联苯醚（Deca-BDE）和全氟辛烷磺酸（PFOS）。SL Power Electronics Corp. 确认所有供应商/制造商的零件编号均符合欧盟TAC（技术适应性委员会）对均质材料的定义。公司使用适当系统和流程确保供应商提供数据的准确性，并保留适当记录以实现产品的可追溯性。此外，若因本声明中的任何不准确或误导性陈述导致任何个人或实体受到政府机构根据上述RoHS指令采取的行动，SL Power Electronics Corp. 授权该个人或实体在必要时向当局披露公司名称进行辩护。

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TB110S24K关于高度关注物质的REACH声明

SL Power Electronics Corp. 声明，其TB110S24K型号的元器件及其所有包装材料符合REACH法规（EC）1907/2006和指令2017/1000/EC的要求，包括附件XVII和2020年1月16日的更新，包含205种物质。此声明适用于所有当前列入高度关注物质的清单，并将随着清单的扩展而持续有效。如未来新增物质影响此声明或供应链不符合要求，SL Power将立即采取措施确保合规。如需详细分析，请联系Roger McCarthy。

SL POWER  -  TB110S24K

CINT1175VXXYYKZZ，CINT1175A4806K02，CINT 1175A4806K03开关电源CB测试证书（US-35908-UL）

本资料为一份IECEE CB方案下的电气设备互认测试证书，由UL（美国）颁发。证书内容涉及一款名为SL Power CTF Stage 3的开关电源，由SL Power Electronics Corp.和SL Xianghe Power Electronics Corp.生产。产品型号包括CINT1175VXXYYKZZ等，具有不同的输入输出规格。证书确认该产品符合IEC 62368-1:2014标准，并附有详细的技术参数和工厂信息。

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TE240系列240W单输出外部电源工业级规格书

该资料介绍了SL Power Electronics Corp.的TE240系列240W单输出外部电源工业级产品。该产品符合多项国际安全标准，具有高效率、宽输入电压范围、IP22防护等级等特点，适用于工业环境。

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TE240系列240W单输出外部电源工业级

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P25LF12SL功率MOSFET 120V，25A，N通道

本资料介绍了P25LF12SL型功率MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、电气特性、特性图和外形尺寸。该器件具有低导通电阻、小SMD封装等特点，适用于各种电子设备。

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TIWI-SL电源指南应用说明

本资料为TiWi-SL模块的功耗指南，详细介绍了模块在启动和连接到WLAN接入点（AP）时的功耗情况。内容包括测试设置、功耗测量、实际使用功耗计算等，旨在帮助工程师和技术管理人员了解TiWi-SL模块的功耗特性，并指导其在不同系统中的应用。

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P24B15SL功率MOSFET 150V，24A，N沟道

本资料介绍了Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.生产的P24B15SL型号功率MOSFET。该器件具有150V耐压、24A连续漏极电流，适用于低栅极驱动电压（4.5V）的应用。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、等效电路图、特性曲线和外形尺寸等信息。

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P72LF7R5SL功率MOSFET规格书

该资料介绍了P72LF7R5SL型号的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它是一种N沟道、小尺寸表面贴装型器件，具有大电流处理能力、低导通电阻、4.5伏栅极驱动电压、低电容等特点。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、等效电路图、外形尺寸等信息。

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P25LF12SL功率MOSFET规格书

本资料介绍了P25LF12SL型号的N沟道功率MOSFET。该器件具有120V电压额定值、25A连续漏极电流和低导通电阻等特点，适用于各种电源转换应用。

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P25LA12SL功率MOSFET 120V，25A，N通道

本资料介绍了P25LA12SL型号的功率MOSFET的特性。该器件为N沟道、小尺寸SMD封装，具有低导通电阻、4.5V栅极驱动电压、低电容等特点。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、特性图和外形尺寸等信息。

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P94FG5R5SL功率MOSFET 55V，94A，N通道

本资料介绍了P94FG5R5SL型号的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。该器件为N沟道、SMD封装，具有低导通电阻、4.5V栅极驱动电压、低电容等特点。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、特性图和外形尺寸等信息。

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P32LF10SL功率MOSFET规格书

本资料介绍了P32LF10SL型号的功率MOSFET器件。该器件具有100V耐压、32A连续漏极电流和低导通电阻等特点，适用于各种电源转换和控制应用。

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P23LA10SL功率MOSFET 100V，23A，N通道

本资料介绍了P23LA10SL型号的N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、小尺寸SMD封装、适用于4.5V栅极驱动等特点，广泛应用于各种电子设备。

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P90FG5R5SL功率MOSFET 55V，90A，N通道

本资料介绍了P90FG5R5SL型号的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。该器件为N沟道、SMD封装，具有低导通电阻、4.5伏栅极驱动电压、低电容等特点，适用于各种电子设备的高电流应用。

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