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KTA1666 SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

2021-04-13 长晶科技 数据手册 英文


●特点:
■与KTC4379互补
■小型扁平封装
■低饱和电压
■功率放大器和开关应用

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产品特性:1.低电压设计 2.SOT-89-3L封装 3.最大集电极-基极电压:30V 4.最大集电极-发射极电压:30V 5.最大发射极-基极电压:5V 6.连续集电极电流:1.5A 7.集电极功率耗散:0.5W 8.工作结温范围:-55℃至150℃ 9.存储温度范围:-65℃至150℃ 10.集电极-基极击穿电压:30V(IC=1mA, IE=0) 11.集电极-发射极击穿电压:30V(IC=10mA, IB=0) 12.发射极-基极击穿电压:5V(IE=1mA, IC=0) 13.集电极截止电流:0.1μA(Vcb=30V, IE=0) 14.发射极截止电流:0.1μA(Veb=5V, IC=0) 15.直流电流增益:100至320(Vce=2V, IC=0.5A) 16.集电极-发射极饱和电压:2V(I=1.5A, Ib=30mA) 17.基极-发射极电压:1V(Vce=2V, IC=0.5A) 18.转换频率:120MHz(Vce=2V, IC=500mA) 19.集电极输出电容:40pF(Vcb=10V, IE=0, f=1MHz);

系列型号: KTC4375_100-200_SOT-89-3L; KTC4375_160-320_SOT-89-3L

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KTA1666 SOT-89-3L塑料封装晶体管

2023/5/30  - 数据手册 本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的KTA1666型PNP晶体管。该晶体管具有与KTC4379相匹配的特性,采用小型扁平封装设计,具备低饱和电压的特点,适用于功率放大器和开关应用。

长晶科技  -  塑料封装晶体管,PNP三极管,PNP TRANSISTOR,PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,KTA1666,功放,POWER AMPLIFIER

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【产品】长晶科技 KTC4376系列 晶体管

产品特性:1.小型扁平封装(SOT-89-3L) 2.高电流应用 3.与KTA1664互补 4.最大集电极基极电压:35V 5.最大集电极发射极电压:30V 6.最大发射极基极电压:5V 7.最大集电极电流:800mA 8.最大集电极功率耗散:500mW 9.结到环境的热阻:250℃/W 10.工作结温和存储温度范围:-55℃至+150℃;

系列型号: KTC4376_160-320_SOT-89-3L; KTC4376_100-200_SOT-89-3L

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【产品】长晶科技 KTC4373系列 晶体管

产品特性:1.小型扁平封装(SOT-89-3L) 2.高压应用 3.高电压 4.高转换频率 5.最大集电极电流:800mA 6.最大集电极功率耗散:500mW 7.热阻从结到环境:250℃/W 8.工作结温和存储温度范围:-55~+150℃;

系列型号: KTC4373_120-240_SOT-89-3L; KTC4373_80-160_SOT-89-3L

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2023/5/30  - 数据手册 本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的KTC4374型号NPN晶体管。该晶体管采用SOT-89-3L小型扁平封装,适用于通用电路设计。

长晶科技  -  塑料封装晶体管,NPN TRANSISTOR,NPN三极管,PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,KTC4374

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【产品】长晶科技 KTC4374系列 晶体管

产品特性:1.小型扁平封装(SOT-89-3L) 2.通用应用 3.最大集电极-基极电压:80V 4.最大集电极-发射极电压:80V 5.最大发射极-基极电压:5V 6.最大集电极电流:400mA 7.最大集电极功率耗散:500mW 8.结到环境的热阻:250℃/W 9.工作结温和存储温度范围:-55℃至+150℃ 10.集电极-基极击穿电压:80V(IC=1mA, IE=0) 11.集电极-发射极击穿电压:80V(IC=10mA, IB=0) 12.发射极-基极击穿电压:5V(IE=1mA, IC=0) 13.集电极截止电流:100nA(VCB=80V, IE=0) 14.发射极截止电流:100nA(VEB=5V, IC=0) 15.直流电流增益:70至240(VCE=2V, IC=50mA) 16.集电极-发射极饱和电压:0.4V(IC=200mA, IB=20mA) 17.基极-发射极电压:0.55V至0.8V(VCE=2V, IC=5mA) 18.集电极输出电容:10pF至100pF(VCB=10V, IE=0, f=1MHz) 19.转换频率:100MHz至1000MHz(VCE=10V, IC=10mA);

系列型号: KTC4374_120-240_SOT-89-3L; KTC4374_70-140_SOT-89-3L

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长晶科技达林顿管&晶体管&双晶体管选型表

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产品型号
品类
Status
hFE@VCE(V)
hFE@IC
VEBO(V)
hFE MIN
VCEsat(V)
VCE@IB
VCBO(V)
VCE@IC
Polarity
VCEO(V)
IC
PCM
Package
hFE MAX
KTA1666_SOT-89-3L
晶体管
Active
-2
-0.5(A)
-5
70
-0.5
-0.05(A)
-50
-1(A)
PNP
-50
-2(A)
0.5(W)
SOT-89-3L
240
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产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
I(AV)(A)
VRRM(I=IRM)(V)
IFSM(A)
VFM(V)
IRM@TA=25℃(µA)
RMSB40M_UMSB
Plastic-Encapsulate Bridge Rectifier
UMSB
4
1000
100
1.3
5
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选型表  -  长晶科技 长晶科技提供如下数字晶体管的技术选型:IO(mA)范围:-100~+500;VCC(V)范围:-50~+50;VO(on)(V)范围:-0.3~+0.3;Pc(mW)范围:+100~+625.....具有PNP、NPN两种Polarity模式可选,长晶科技的数字晶体管有TO-92、SOT-353、SOT-363、SOT-523等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号
品类
Status
Polarity
IO(mA)
VCC(V)
Gi
VO(on)(V)
R1(Ω&KΩ)
Package
UMH14N_SOT-363
双数字晶体管
Active
NPN
100
50
100
0.3
47+(KΩ)
SOT-363
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