RGW50TS65D 650V 25A Field Stop Trench IGBT
特点:
●低集电极-发射极饱和电压
●高速开关
●低开关损耗和软开关
●内置极快和软恢复FRD
●无铅镀铅;符合RoHS规范
RGW50TS65D 650V 25A场截止沟槽式IGBT |
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数据手册,数据表,Data sheet |
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详见资料 |
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TO-247N |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2021.02 |
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Rev.B |
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6.8 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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电压(V)
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电流(A)
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封装
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器件等级
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RGS30TSX2GC11
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Field Stop Trench IGBT
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1200V
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15A
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TO-247N
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Industrial Grade
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650V Field Stop IGBT MSG40T65FL with High Speed Switching & Low Power Loss for PFC, UPS & Inverter Applications
This MSG40T65FL IGBT is produced using advanced MagnaChip‘s fieldstop trench IGBT technology, which provides high switching series and excellent quality. This device is for PFC, UPS & Inverter applications.
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