GT8101 85V Half-Bridge MOSFET Driver With Adaptive Dead Time and Shoot-Through Protection
●一般说明
■GT8101是一款85V半桥MOSFET驱动器,具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路主动监测半桥输出,以尽量减少高侧和低侧MOSFET转换之间的时间,从而最大限度地提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声同时开启两个MOSFET。GT8101还提供宽的5.5V到18V工作电源范围,以最大限度地提高系统效率。低5.5伏的工作电压允许更长的运行时间在电池供电的应用。此外,GT8101的可调栅极驱动将栅极驱动电压设置为VDD,以实现最佳MOSFET R-DS(ON),最大限度地减少功率损失,由于MOSFET的R-DS(ON)的。GT8101具有高钳位电压的HS引脚,使器件不会烧毁时,负电压低于-7V的开关过程中,一个外部肖特基二极管消除。GT8101可在一个8引脚SOP封装和一个微小的10引脚2.5毫米x 2.5毫米UDFN封装。这两个封装的工作结温度范围为-40℃°C至+125°C.
●功能
■5.5V至18V栅极驱动电源电压范围
■85V工作电压提供了防止反电动势(EMF)的裕度
■-HS引脚上的7V卡箍电压
■高级自适应死区时间
■智能直通保护
▲—GT8101D:双TTL输入
▲—GT8101S:单PWM输入
■启用开/关控制输入(UDFN)
■片上自举二极管
■35ns快速传播时间
■以20ns的上升和下降时间驱动1000pF负载
■低功耗:120μ弱电流
■分高低压侧欠压保护
■–40°C至+125°C结温度范围
■提供8引脚SOP封装和10引脚2.5mmx2.5mm UDFN封装
GT8101 85V半桥MOSFET驱动器,具有自适应死区时间和直通保护功能 |
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GT8101、GT8101D、GT8101S、GT8101-X-X-XXX-X-XX、GT8101-DEU25I-TR、GT8101-DIGI-TR、GT8101-SEU25I-TR、GT8101-SIGI-TR |
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数据手册,数据表,Data sheet |
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详见资料 |
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SOP-8;SOP;UDFN;UDFN2.5X2.5 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Dec. 2020 |
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Revision C1 |
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2 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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聚辰-车规级EEPROM主推选型表
聚辰车规级EEPROM主推产品,包括I2C、SPI和Microwire等标准接口的系列,容量2k~512k,电压最高5.5V,工规温度至125℃,同时提供SOP8、TSSOP8、UDFN等封装。
产品型号
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品类
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封装
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密度
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电源电压范围
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速度(Hz)
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内存组织
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输出电流
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工作温度范围
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存储温度范围
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GT24C02C-2GLA1-TR
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I2C series EEPROM
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SO8
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2K
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1.7-5.5V
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1MHz
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256x8
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5mA
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-40℃~+125℃
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-65℃~+150℃
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聚辰-非车规级EEPROM主推选型表
聚辰非车规级EEPROM主推产品,包括I2C、SPI和Microwire等标准接口的系列,容量2k~512k,电压最高5.5V,工规温度至105℃,同时提供SOP8、TSSOP8、UDFN等封装。
产品型号
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品类
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封装
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密度
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电源电压范围
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速度(Hz)
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内存组织
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输出电流
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工作温度范围
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存储温度范围
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GT24C02C-2GLA2-TR
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I2C series EEPROM
|
SO8
|
2K
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1.7-5.5V
|
1MHz
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256x8
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5mA
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-40℃ to +105℃
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-65℃~+150℃
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产品型号
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品类
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Voltage
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Speed
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Operating Temperature
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Features
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Status(Industrial)
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Status(Automotive)
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GT25Q05C-U
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NOR Flash
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1.65~3.6V
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120MHz
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-40~125℃
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SPI/D-SPI/Q-SPI
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MP
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MP
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电子商城
现货市场
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