PNJ Company Profile
PNJ公司简介 |
|
P3M06060T3、P3M06060K3、P3M06060K4、P3M06040K3、P3M06040K4、P3M06500D5、P3M12080K3、P3M12080K4、P3M12040K4、P3M12025K4、P3M12017K4、P3D06008I2、P3D06010I2、P3M171K0K3、P3M171K0K4、P3M173K0K3、P3M173K0T3、P3M173K0F3、P4D06010T2、P3D06010T2、P2D06010T2 |
|
|
|
Company Profile and product information,公司简介及产品信息,商品及供应商介绍 |
|
|
|
详见资料 |
|
|
|
|
|
TO252-2;TO-220-2;TO-220F-2;TO-220I-2;TO-247-3;TO220AC;TO220F;TO220I;TO-252;TO-220;TO-247;TO-247-4;QFN5*6;TO-220-3;TO-220F-3 |
|
中文 英文 中英文 日文 |
|
2021.05 |
|
|
|
|
|
|
|
1.8 MB |
|
世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由派恩杰品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
温漂小,低损耗650V,1200V,1700V车规标准碳化硅SBD和MOSFET
PNJ半导体公司专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的研发和生产。公司产品包括650V、1200V和1700V车规标准碳化硅SBD和MOSFET,具有低温漂、低损耗等特点。PNJ采用无厂半导体模式,与全球领先的SiC代工厂合作,并拥有40多项专利和知识产权。产品应用涵盖充电器、服务器、电信、光伏逆变器、工业备用电源等领域。
派恩杰 - MOSFET,SIC场效应晶体管,SIC二极管,SIC MOSFET,碳化硅SBD,SIC DIODE,电信,伺服器,SERVER,PV INVERTER,ADAPTER,双微逆变器,EV APPLICATION,SINGLE PHASE PV INVERTER,INDUSTRY STANDBY POWER,切换PSU,单微逆变器,IT INFRASTRUCTURE TOPOLOGY,行业备用电源,SWITCHING PSU,适配器,CONSUMER,SINGLE MICROINVERTER,消费者,CHARGER,四路微型逆变器,PV逆变器,IT基础架构拓扑,充电器,EV应用,DUAL MICROINVERTER,微型逆变器应用,TELECOM,QUAD MICROINVERTER,单相光伏逆变器,MICRO INVERTER APPLICATION
【视频】派恩杰温漂小,低损耗650V,1200V,1700V车规标准碳化硅SBD和MOSFET
PN Junction半导体公司专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的研发和生产。公司成立于2018年,拥有超过10年的行业经验,产品包括650V、1200V和1700V的车规标准SiC二极管(SBD)和MOSFET。产品性能优异,具有低温漂、低损耗等特点,广泛应用于汽车、消费电子、IT基础设施和电动汽车等领域。公司拥有40多项知识产权和14项专利,产品符合AEC-Q101和JEDEC标准。
派恩杰 - MOSFET,SIC场效应晶体管,SIC二极管,碳化硅SBD,电信,伺服器,四路微型逆变器,PV逆变器,IT基础架构拓扑,充电器,EV应用,双微逆变器,微型逆变器应用,单微逆变器,切换PSU,行业备用电源,适配器,单相光伏逆变器,SWITCHING PSU,消费者
派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
派恩杰 - SIC SBD,碳化硅肖特基二极管,SIC场效应晶体管,SIC SBD,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,SIC备用电池,P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
派恩杰的SiC MOSFET产品顺利通过AC BTI可靠性测试,性能稳定可靠
作为一种更接近实际应用的可靠性测试方法,AC BTI能够更加准确的评估SiC MOSFET芯片的可靠性,在同等试验条件下,平面栅的SiC MOSFET的AC BTI可靠性优于沟槽栅的可靠性。
派恩杰首推2000V SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核!
产品不停迭代、技术不断升级,派恩杰在2024年第三季度首次推出2000V 45m2 SiC MOSFET产品。本次首推2000V 45mΩ SiC MOSFET已经成功通过HV-H3TRB考核,且经历HV-H3TRB考核后器件各项电性参数均无显著变化,充分证明其在极端运行环境下的优良耐受能力,确保在实际应用中的稳定性和安全性。
派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET),覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等,RDS:13-3000毫欧,温度高达175℃
产品型号
|
品类
|
Blocking Voltage(V)
|
Package
|
RDS(ON) @25℃(mΩ)
|
Current Rating(A)
|
Qgd(nC)
|
Output Capacitance(pF)
|
Max Junction Temperature(℃)
|
P3M06025K3
|
碳化硅场效应管
|
650V
|
TO247-3
|
25mΩ
|
97A
|
34.7nC
|
297pF
|
175℃
|
派恩杰在国内率先推出1200V/20mΩ SiC MOSFET,提升电动汽车性价比
据业内人士统计,使用SiC MOSFET作为主驱逆变器的电动汽车,其整车混合使用效率较传统IGBT高出5-7%!针对未来车用市场的需求,派恩杰在国内率先推出1200V 20mΩ SiC MOSFET,根据封装散热条件不同,额定电流74~105A。
P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
该资料详细介绍了PNJ半导体公司生产的P3M12020K4型号SiC MOSFET的特性、电气参数、应用领域和订购信息。该MOSFET适用于高电压、高频率应用,具有低导通电阻和高压阻断特性。
派恩杰 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SIC MOSFET,N沟道增强型SIC MOSFET,P3M12020K4,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
【技术】SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压?
目前SiC MOSFET多为+15/-3V与+20/-5V电压驱动。要在Si MOSFET单电源正压驱动电路中中实现负压电路,可以在驱动回路中增加少量元件产生所需要的负压,如需要+15/-3V的驱动电压,则单电压需要提供+18V即可,具体两种方案可以实现,本文将具体讲解。
派恩杰首推2000V/45mΩ SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核
派恩杰首推2000V SiC MOSFET,成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核,适用于耐压1500V以上的应用,在不增加电流的情况下显著提高了功率,同时又减少了系统成本。
国产SiC MOSFET“隐形王者”派恩杰半导体,打入汽车市场迎接OBC爆发期
碳化硅MOS不限于汽车领域,在工业变频控制器、空压机、水泵、工业传动以及储能、光伏逆变等都能得到应用。派恩杰已经率先进入碳化硅MOSFET领域并实现工业级、车规级量产出货,必将在政策推动、新兴产业蓬勃发展的机遇下,实现更高的成长。
经过严格测试,派恩杰SiC MOSFET短路能力已达世界一流水平
测试表明,派恩杰短路测试平台稳定可靠。派恩杰的SiC MOSFET中 P3M12017K4和P3M12025K4的短路能力已经达到了实际应用电路的使用要求,P3M06060K4(650V、60mΩ)的短路能力更是达到了世界一流水平。
P3D060006T2 650V碳化硅SBD
该资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)P3D06006T2。该器件具有高耐压、快速开关特性,适用于提高系统效率、减少散热器需求和高频操作。
派恩杰 - SIC SBD,SIC肖特基二极管,SIC SCHOTTKY DIODE,SIC备用电池,P3D06006T2,CONSUMER SMPS,BOOST DIODES,AC/DC CONVERTERS,交直流变换器,升压二极管,消费型SMPS
【产品】具有开尔文引脚的车规级SiC MOSFET-P3M06025K4,栅氧层可靠性卓越,提升整体效率
派恩杰平面型SiC MOSFET P3M06025K4具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。采用TO247-4引脚封装,具有开尔文引脚,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,提高效率。
【产品】派恩杰推出高性能SiC MOSFET动态性能评估板,提供驱动设计解决方案
考虑到SiC MOSFET的高速性,对回路寄生参数极其敏感,对PCB Layout要求严格,因此派恩杰推出高性能SiC MOSFET动态性能评估板,给客户提供驱动设计解决方案,同时用于搭建双脉冲测试平台评估SiC MOSFET开关动态性能。
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论