NCE3415 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
●说明：
■NCE3415采用先进的沟道技术和设计，以提供优良的R-DS（ON），低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压运行。该装置适用于负载开关或PWM应用。对此表示抗议。
●一般特征：
■ V-DS=-20V，I-D=-4A
■R-DS（开）<36米Ω @V-GS=-4.5伏
■R-DS（开）<49米Ω @V-GS=-2.5伏
■ESD额定值：2500V HBM
■高功率和电流处理能力
■获得无铅产品
■表面贴装封装
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NCE3415 NCE P沟道增强型功率MOSFET |
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数据手册,数据表,data sheet |
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详见资料 |
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SOT-23 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Sep.2010 |
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V3.0 |
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240 KB |
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