BDX33B, BDX33C (NPN) BDX34B, BDX34C (PNP) Darlington Complementary Silicon Power Transistors

时间： 2021-06-09

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●达林顿互补硅功率晶体管
●这些设备是为通用和低速开关应用而设计的。

●特征：

■ 高直流电流增益−I-C=4.0时h-FE=2500（典型值）
■ 收藏家−100 mAdc V CEO（sus）=80 Vdc（最小）时的发射极维持电压−BDX33B，BDX334B=100 Vdc（最小值）−BDX33C、BDX334C
■ 低集电极−I-C=3.0 Adc时的发射极饱和电压V CE（sat）=2.5 Vdc（最大值）−BDX33B、33C/34B、34C
■ 整体式结构−在基地−发射极并联电阻器
■ 这些设备是Pb−免费且符合RoHS标准*

中文标题（翻译）:	BDX33B，BDX33C（NPN）BDX34B，BDX34C（PNP）达林顿互补型硅功率晶体管
厂牌:	ONSEMI
型号:	BDX334B、BDX34C、BDX33B、BDX33C、BDX3xy、BDX33CG、BDX34CG、BDX334C、BDX34B、BDX34BG、BDX3xyG、BDX33BG 查看更多 Part#
品类:	达林顿互补硅功率晶体管查看更多
应用:	[ 通用和低速开关应用 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO−220 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	November, 2014
过期日期:
版本号:	Rev. 14
文档编码:	BDX33B/D
文件大小:	234 KB
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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