P3M12080K4 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode
■功能
●符合AEC-Q101标准
●高阻塞电压和低导通电阻
●高频操作
●超小型Q-gd
●100%UIS测试
■标准优势
●提高系统效率
●增加功率密度
●降低散热器要求
●降低系统成本
P3M12080K4 SiC MOS N沟道增强模式 |
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[ 电动汽车电池充电器 ][ 高压dc/dc变换器 ][ 太阳能逆变器 ][ 模式电源开关 ] |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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TO-247-4 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Apr. 2021 |
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Ver. 2.2 |
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1.3 MB |
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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碳化硅场效应管
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650V
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