NVMFD5C466NL MOSFET – Power, Dual N-Channel

2021-06-18
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●40伏,7.4mΩ, 52安培
●特征
■占地面积小(5x6 mm),设计紧凑
■低R-DS(on)以最小化传导损耗
■低Q-G和电容,最大限度地减少驱动器损耗
■NVMFD5C466NLWF公司− 加强光学检查的可湿侧面选项
■AEC公司−Q101合格且具备PPAP能力
■这些设备是Pb−免费且符合RoHS标准

NVMFD5C466NL MOSFET–功率,双N沟道

ONSEMI

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