Maximum Input Power Analysis of MMIC Amplifiers
在许多应用中,放大器可能会受到各种射频环境的意外异常操作,使放大器无法在系统中正常工作。我们做了一个测试,以提供一个最大的输入功率水平之前,我们的放大器是损坏和失败的运作,这可以帮助用户实现一个安全的系统设计。
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微波单片集成电路放大器的最大输入功率分析
本资料分析了ASB公司MMIC放大器的最大输入功率。通过测试不同型号的MMIC放大器,在特定负载条件下,记录了其在正常工作状态下的电流和增益,以及在超过正常工作功率时的烧毁水平。测试结果提供了每种放大器的最大输入功率,有助于用户进行安全系统设计。
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ASB微波单片集成电路放大器最大输入功率分析应用说明
本资料分析了ASB公司MMIC放大器的最大输入功率。通过测试不同型号的MMIC放大器,在特定负载条件下,确定了其在损坏前的最大输入功率水平。测试包括静态RF PIN测试,并记录了测试前后的电流和增益变化。资料提供了详细的测试结果,包括不同型号的MMIC放大器的最大输入功率和烧毁水平。
ASB - 微波单片集成电路放大器,MMIC AMPLIFIERS,ASF143,AWB519,ASF140,ASL51T8,ASL362,ASL360,ASW126,AHB5614S9,AAT2074B2,AWB512,AWB478,AWG0123E,AWB517,ASL19C,ASL912,AHX5406DS6,ABU2513,ABU2518,ASF150,ASF153,ASL5543,ABU2516,ASX201,AAT2075B2,ASW234,ASW114,ASW235,AWG1023E,ASL59D4,AHB5614T8,ASX601,ASX602,ASL882,AWG0015E,ASL920,ASL425,AWG0117E,ABU1513,AWG3023,ABU1516,AWG3020,ASW301,AWG1020E,ASL380,AST54S,ASA307,AAT2073B2,ASL13C,AWB578,AWB577,ASL09C,AWB459,ASL51S9,ASL552,ASL551,ASX101,ASL550,ASW135,ASX621,ASX620,ASL30G,ASL390,AWB51D2,AWG1017E,ASX501,ASL52D6,AWB51D9,AWB589,AWG3015,ABU1519,AHL5218T8,ASA306B,AWB51D7,AWG3017,AWG0115E,ASL41S9,AHX5607ST6,ASW320,ASL560,AST20S,ASW207,ASW208,ASL31C,ASW204,ASW205,ASX415,AWB312,AWB319,AWB317,ABB2518,AWG2020,ABB2516,ASL210,ASX520,ABB2513,ASL331,ASL5463,ASL330,ASW311,ASX401,AWG1015E,AAT2077B2,ASX521,ASW318,AWB31D1,ASW313,ASX403,AHB5616T8,ASW314,ASW316,AWB688,AWB31D7,AWG2023,AWG0120E,AWB31D9,AWB31D2,AWG0023E,ASL54T8,ASL226,ABB1519,ABB1516,ASF240,ASW101,ABB1513,ASW103,ASL580,ASW220,AHX5406SS6,AHL5220T8,ASW105,ASL33C,AHX5607DT6,AWG2015,AWG0020E,AWG2017,ASF133,ASF255,ASF250,ASF130,ASL5563,ASX420,AAT2076B2,ASW212,ASX423,ASL590,ASL39D2,ASW214,ASW335,ASW215,ASW216,ASW338,AWB389,AHL5216T8
ASB低噪声放大器选型表
ASB提供以下技术参数的低噪声放大器(LNA)芯片选型,ASL30G,覆盖SUB 6G频段,最高可达30dB高增益,噪声系数低至0.32dB ,提供SOT封装。
产品型号
|
品类
|
Frequency Range(MHz)
|
Application
|
Frequency(MHz)
|
Gain(dB)
|
NF(dB)
|
OP1dB(dBm)
|
OIP3(dBm)
|
Vd(V)
|
Id(mA)
|
Package
|
AHL5216T8
|
Low Noise Amplifier
|
1000 ~ 3000
|
1100~1700 MHz, Vd=1.8V
|
1100
|
19.5
|
0.45
|
8
|
18
|
1.8
|
10
|
TDFN8
|
选型表 - ASB 立即选型
AHL5421T8 InGaAs e-p高电子迁移率晶体管放大器的平均寿命预测
本资料主要针对AHL5421T8 InGaAs E-pHEMT放大器的MTTF(平均无故障时间)进行预测。内容包括热阻、加速寿命测试结果、MTTF预测值、FIT(时间故障数)预测值以及结温与引脚温度的关系。资料还详细介绍了MTTF的确定方法,包括加速寿命测试、计算MTTF与故障率的关系,以及应用Arrhenius经验方程进行温度依赖性分析。
ASB - INGAAS电子迁移率晶体管放大器,INGAAS E-PHEMT AMPLIFIERS,AHL5421T8
ASB增益块放大器选型表
ASB提供以下技术参数的增益放大器(Gain Block)芯片选型,ASW338,覆盖SUB 6G频段,23.7dB高增益,噪声系数低至1.4dB ,提供SOT封装。
产品型号
|
品类
|
Frequency Range(MHz)
|
Application
|
Frequency(MHz)
|
Gain(dB)
|
NF(dB)
|
OP1dB(dBm)
|
OIP3(dBm)
|
Vd(V)
|
Id(mA)
|
Package
|
AHB3612S6
|
Gain Block Amplifier
|
950 ~ 6500
|
950-6500 MHz
|
950
|
15.5
|
1.5
|
12.5
|
24.5
|
3
|
27
|
SOT363
|
选型表 - ASB 立即选型
AHL5417T8 InGaAs e-p高电子迁移率晶体管放大器的平均寿命预测
本资料主要针对AHL5417T8 InGaAs E-pHEMT放大器的MTTF(平均无故障时间)进行预测。内容包括热阻、加速寿命测试结果、MTTF预测值、FIT(时间故障数)预测值以及结温与引脚温度的关系。资料还详细介绍了MTTF的确定方法,包括加速寿命测试、计算MTTF与故障率的关系,以及应用Arrhenius经验方程进行温度依赖性分析。
ASB - INGAAS电子迁移率晶体管放大器,INGAAS E-PHEMT AMPLIFIERS,AHL5417T8
ASW214 InGaP HBT放大器MTTF预测
本资料主要介绍了ASW214 InGaP HBT放大器的MTTF(平均无故障时间)预测。内容包括热阻、加速寿命测试结果、MTTF预测和FIT(失效时间)预测。资料详细描述了测试条件、失效标准、测试标准、样本大小和故障数量,并提供了在不同置信水平下的MTTF和FIT预测值。此外,还讨论了MTTF的计算方法和热阻对器件性能的影响。
ASB - INGAP HBT AMPLIFIERS,INGAP HBT放大器,ASW214
ASB MMIC Amplifier 选型表
ASB提供以下技术参数的Amplifier MMIC选型,Frequency Range(MHz) :+0~+18000 ;Vd(V):+1.8V~+8V;Id(mA) +6~+700;Gain(dB) range:+12.5~+37;NF(dB) range:+0.37~+5.7;OP1dB(dBm) range:-5~+27.5;OIP3(dBm)range:+12~+44;Psat(dBm)range:+0.5~+43,ASB的Amplifier MMIC产品有TDFN8、SOT363、UQFN6等多种封装,可广泛应用于4G/5G基站(宏站/小站/直放站),无线通讯,卫星通讯,车载通讯,广电传输,雷达,军事通信,测试仪器、CMMB、DVB等领域。
产品型号
|
品类
|
Frequency Range(MHz)
|
Application
|
Gain(dB)
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NF(dB)
|
OP1dB(dBm)
|
OIP3(dBm)
|
Vd(V)
|
Id(mA)
|
Package
|
ASL33C
|
Low Current,Low Noise Amplifier MMIC
|
0 ~ 3000
|
DVB, CMMB (30-860)
|
19.7
|
1.1
|
11
|
24
|
3.7
|
20
|
SOT363
|
选型表 - ASB 立即选型
AHL5419T8 InGaAs e-p高电子迁移率晶体管放大器的平均寿命预测
本资料主要针对AHL5419T8 InGaAs E-pHEMT放大器的MTTF(平均无故障时间)进行预测。内容包括热阻、加速寿命测试结果、MTTF预测值、FIT(时间故障数)预测值以及结温与引脚温度的关系。资料还详细介绍了MTTF的确定方法,包括加速寿命测试、计算MTTF与故障率的关系,以及应用Arrhenius经验方程进行温度依赖性分析。
ASB - INGAAS电子迁移率晶体管放大器,INGAAS E-PHEMT AMPLIFIERS,AHL5419T8
ASX420 InGaP-HBT放大器的MTTF预测
本资料主要针对ASX420 InGaP HBT放大器的MTTF(平均无故障时间)进行预测。内容包括热阻、加速寿命测试结果、MTTF预测值、FIT(时间至故障数)预测值以及结温与引脚温度的关系。资料还详细介绍了MTTF的确定方法,包括加速寿命测试、故障率计算、Arrhenius经验方程以及温度依赖性分析。
ASB - INGAP HBT AMPLIFIERS,INGAP HBT放大器,ASX420
ASL33C InGaAs e-p高电子迁移率晶体管放大器的MTTF预测
本资料主要针对ASL33C InGaAs E-pHEMT放大器的MTTF(平均无故障时间)进行预测。内容包括热阻、加速寿命测试结果、MTTF预测值、FIT(时间故障数)预测以及结温与引脚温度的关系。资料还详细介绍了MTTF的确定方法,包括加速寿命测试、故障率计算、Arrhenius经验方程以及置信水平下的MTTF预测。
ASB - INGAAS电子迁移率晶体管放大器,INGAAS E-PHEMT AMPLIFIERS,INGAAS ENHANCED-MODE PHEMT AMPLIFIERS,INGAAS增强型高电子迁移率晶体管放大器,ASL33C
ASX521 InGaP-HBT放大器的MTTF预测
本资料主要针对ASX521 InGaP HBT放大器的MTTF(平均无故障时间)进行预测。内容包括热阻、加速寿命测试结果、MTTF预测值、FIT(时间内的故障数)预测值以及结温与引脚温度的关系。资料还详细介绍了MTTF的确定方法,包括加速寿命测试、故障率计算、Arrhenius经验方程以及温度依赖性分析。
ASB - INGAP HBT AMPLIFIERS,INGAP HBT放大器,ASX521
RQR-HBT-SOT89-A ASB的InGaP HBT放大器可靠性和鉴定报告
本报告为ASB公司InGaP HBT放大器的可靠性及认证报告。报告内容涵盖产品可靠性定义、认证程序、测试方法及结果。产品采用InGaP HBT半导体工艺制造,封装类型为SOT89。报告详细介绍了产品的高温操作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型静电放电和机器模型静电放电等测试,所有测试均符合相关标准,未出现故障。
ASB - INGAP HBT AMPLIFIERS,INGAP HBT放大器,ASW214,ASW105,ASW215,ASW205,ASF240,ASX201,ASX101,ASW101,ASW212,ASW103,ASW301,ASW220
AWB577 InGaAs e-p高电子迁移率晶体管放大器的平均寿命预测
本资料主要针对AWB577 InGaAs E-pHEMT放大器的MTTF(平均无故障时间)进行预测。内容包括热阻、加速寿命测试结果、MTTF预测值、FIT(时间故障数)预测值以及结温与引脚温度的关系。资料还详细介绍了MTTF的确定方法,包括加速寿命测试、故障率计算、Arrhenius经验方程以及结温的推断。
ASB - INGAAS电子迁移率晶体管放大器,INGAAS E-PHEMT AMPLIFIERS,AWB577
ASL550 InGaAs电子迁移率晶体管放大器MTTF预测
本资料主要针对ASL550 InGaAs E-pHEMT放大器的MTTF(平均无故障时间)进行了预测和分析。内容包括了热阻、加速寿命测试结果、MTTF预测以及FIT(时间内的故障数)预测。资料详细介绍了加速寿命测试的条件、失效标准和样本数量,并提供了不同温度下的MTTF预测值。此外,还讨论了MTTF与失效率的关系,以及如何通过Arrhenius方程和卡方方法预测MTTF。
ASB - INGAAS电子迁移率晶体管放大器,INGAAS E-PHEMT AMPLIFIERS,ASL550
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