eGaN® FETs and ICs for Lidar

2021-07-01 EPC
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●激光雷达(lightdistanceandranging)利用脉冲激光快速生成周围区域的三维图像或地图。

●如今的egallium氮化物场效应管的开关速度比老化的功率MOSFET快十倍,这使激光雷达系统具有更高的分辨率、更快的响应时间和更高的精度。

●这些特性为激光雷达提供了新的更广泛的应用,例如视频游戏的实时运动检测、对手势做出响应的计算机以及完全自主的车辆。

■氮化镓技术在激光雷达设计中的优势
●更快的切换–更精确和更小的脉冲
●更高的效率–更高的脉冲重复率
●更小的占地面积-更高的功率密度,更低的电感,与激光二极管集成

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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017
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品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥7.9172

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