EG3012芯片数据手册

2021-07-13
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EG3012是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
EG3012高端的工作电压可达100V,Vcc的电源电压范围宽11V~30V, 静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8封装。特点
■高端悬浮自举电源设计,耐压可达100V
■内建死区控制电路
■电源电压欠压关断输出
■自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通
■采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力
■专用于无刷电机N沟道MOS管、IGBT管栅极驱动
■HIN输入通道高电平有效,控制高端HO输出
■LIN输入通道高电平有效,控制低端LO输出
■外围器件少
■静态电流小:4.5mA
■封装形式:SOP-8

屹晶微电子

EG3012

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芯片大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

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