PANJIT（强茂）与NEXPERIA / VISHAY / DIODES / FAIRCHILD / ON SEMI / INFINEON / NXP / APEC / LRC / ST MOSEFT型号对照表

时间： 2021-07-14

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厂牌:	PANJIT、Nexperia、VISHAY、DIODES、FAIRCHILD、ONSEMI、INFINEON、NXP、ApECOR、LRC、ST
型号:	NX2301P、Si2319CDS‐T1‐GE3、DMN67D7L‐7、2N7002、2N7002,215、2N7002/q、2N7002‐7‐F、2N7002A、2N7002A‐7、2N7002AQ、2N7002AQ‐13、2N7002AQ‐7、2N7002BK、2N7002BK‐215、2N7002BKS、2N7002BKV、2N7002BKW、2N7002CK、2N7002CK,215、2N7002DW、2N7002DW 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N 查看更多 Part#
品类:	最左撇子查看更多
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资料类型:	对照表查看更多
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工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
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封装:	SOT‐223;SOT‐23;SOT‐723;SOT‐363;SOP‐8;SOT23‐6L;SOT‐323;SOT‐523;TO‐252AA;DFN5060B‐8L;DFN338L;SOT‐563;DFN2020B‐6L;ITO‐220AB‐F 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
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全部评论（2）

zwjiang Lv9. 科学家 2023-06-20

学习
好运常伴吾 Lv8. 研究员 2022-03-17

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【应用】基于低成本N沟道MOSFET 2N7002K实现低速接口自动双向电平转换

在通信电路的设计中，经常会需要在不同电平之间进行相互转换，比如CPU的IO是3.3V，外设的IO电压是5V，这时就需要进行电平转换。对于低速通信电路，本文中笔者采用MOSFET来做，具体型号是PANJIT的2N7002K。从测试波形图可以看到，使用该器件的电路完全可以满足低速通信接口的双向电平转换要求，可用于如GPIO、I2C、UART等通信接口的电平转换。

2020-01-16 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【选型】国产N沟道增强型2N7002K可替代2N7002，内置ESD保护二极管，漏极持续电流为300mA

PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管，采用先进的沟槽处理技术，高密度单元设计实现超低导通电阻。该器件漏源电压为60V，漏极持续电流为300mA，最大耗散功率为350mW（TA=25℃时），采用SOT-23封装，符合欧盟RoHS 2.0标准。

2021-11-06 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

2N7002K 60V N沟道增强型MOSFET–ESD保护

本资料介绍了2N7002K型60V N-Channel增强型MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有超低导通电阻、极低的关断漏电流，适用于电池供电系统、固态继电器驱动器等领域。

PANJIT - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N通道增强模式MOSFET,2N7002K_R1_00501,2N7002K

November 23,2022 - 数据手册 - REV.00 代理服务技术支持采购服务

2N7002K 60V N沟道增强型MOSFET-ESD保护机械数据

本资料介绍了2N7002K型60V N-Channel增强型MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有超低导通电阻和极低的关断漏电流，适用于电池供电系统和固态继电器等应用。

PANJIT - 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET - ESD PROTECTED,60V N沟道增强型MOSFET-ESD保护,2N7002K_R1_00001,2N7002K,2N7002K_R2_00001

September 18,2019 - 数据手册 - REV.04 代理服务技术支持采购服务

请问有没有可以Pin-Pin替代MCC的2N7002KDW的MOS管？应用在信号控制电路中，谢谢。

有的，强茂电子有一款双N沟道MOS管2N7002KDW可实现pin-pin替换，具有更低导通电阻及更小总门极电荷，成本和供货周期都有优势，附上规格书链接，https://www.sekorm.com/product/105613.html，欢迎垂询。

2020-09-07 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

三合一电源项目，需要一款N型场效应管，且内部集成ESD保护管，漏源耐压值60V左右，漏极电流值大于200mA；是否有合适的方案推荐？

你好，可以评估以下强茂的2N7002K-AU_R1_000A2，此方案内部集成ESD静电保护管，漏源耐压值60V，漏极电流值300mA；详细评估资料如下：https://www.sekorm.com/doc/2227691.html。

2023-04-04 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

最近在做APA降本选型，寻一款可替代2N7002LT1 NMOS管，车规级，最好平台上有现货样品。

可推荐强茂2N7002K-AU_R1_000A2，60V/0.3A，GS间有内置ESD防护二极管，SOT23封装，通过AEC-Q101，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/1575266.html。

2020-10-12 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

2N7002KDW-AU 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET–ESD Protected

本资料介绍了P2N7002KDW-AU型号的60V N-Channel增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有超低导通电阻、极低的关断漏电流和良好的ESD保护特性。适用于电池供电系统、固态继电器驱动器等领域。

PANJIT - 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,60V N沟道增强型MOSFET,2N7002KDW-AU,2N7002KDW-AU_R1_000A1,BATTERY OPERATED SYSTEMS, SOLID-STATE RELAYS DRIVERS: RELAY, DISPLAYS, MEMORIES, ETC,电池操作系统，固态继电器驱动器：继电器，显示器，存储器等

October 27,2017 - 数据手册 - REV.05 代理服务技术支持采购服务

我现在一个电能表上需要一款NMOS，Vds是60V，以前有用到SSM6N7002BFE帮忙推荐一款替换方案

您好，推荐强茂2N7002KDW_R1_00001，数据手册：https://www.sekorm.com/doc/1576190.html

2023-04-03 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

一个25G LR光模块项目，缓启动设计采用P MOS管来搭建，要求封装小，内部导通电阻阻值越低越好，请问有合适物料可以推荐吗？

您好，根据您的需求，推荐国产强茂2N7002KDW_R1_00001，封装为SOT363小封装，内部导通电阻低至4Ω，详细数据手册可参考链接https://www.sekorm.com/doc/1576190.html

2022-11-28 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

10G光模块项目需求一款双通道NMOS信号管，要求电压在60V左右，采用强茂的2N7002KDW发现电流小了一点，有电流大一点的同封装推荐吗？

强茂的2N7002KDW是Id电流为115mA的双通道NMOS信号管，如果电流偏小，推荐强茂的PJT7002H，其Id电流为250mA，封装和2N7002KDW是P2P兼容，详细资料参考：https://www.sekorm.com/doc/1579288.html。

2020-05-20 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

目前做一个汽车单电控项目有降本需求，需要替换一颗MOS MMBT7002K-Q，不要欧美厂牌，世强有无合适产品推荐？

您好，根据您的需求推荐强茂的2N7002K-AU_R1_000A2，有AEC-Q100车规认证，满足汽车电控应用要求，数据手册链接：https://www.sekorm.com/doc/2227691.html

2023-04-03 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【下线】2N7002/A/W/DW报废通知（20006-3）

PANJIT - MOSFET,2N7002KDW,2N7002A,2N7002KW,2N7002K,2N7002DW,2N7002W

16th September, 2020 - 产品变更通知及停产信息代理服务技术支持采购服务

SOT-363封装产品/工艺变更通知（2211002）的额外装配地点

PANJIT International Inc.发布PCN#2211002，宣布将PANJIT Semiconductor (Xuzhou) Co., Ltd.（位于中国江苏省）作为SOT-363选产品的备用组装和测试地点。新组装/测试地点生产的产品的外形、尺寸和功能与当前合格的制造地点兼容。变更包括新的物料清单（BOM）集，包括使用高密度引线框架、线类型和线径的改变。电气特性和高可靠性测试已完成，以确保设备功能或电气规格在数据表中没有变化。影响的产品类型为MOSFET，有效日期为2023年2月10日。

PANJIT - MOSFET,2N7002KDW,2N7002KDW_R2_00001,2N7002KDW_R1_000A2,2N7002KDW_R1_00001

10th November, 2022 - 产品变更通知及停产信息代理服务技术支持采购服务

强茂（PANJIT）Small Signal MOSFET选型表

强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：-60~600,ID(A)：-0.75~0.6,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：1450~700000等。强茂开发了不同封装的一系列小信号MOSFET有助于减小电子设备的尺寸，适合驱动电路和讯号线路开关，微型化封装适合用于高整合性的PC板。