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EPC（宜普）EPC9001C开发板电路原理图
本资料为EPC9001C开发板原理图，版本5.0。图示包含J5至J8的连接器、VCC电源、Q1至Q2的晶体管、C21至C23的电容、LM5113TM稳压器等元器件。还包括TP3至TP1的测试点、EPC2015C芯片、SW OUT开关输出等。资料提供详细电路连接和元件参数。
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【产品】最大输出电压达40V的半桥式开发板EPC9001C，可简化对EPC2015 eGaN FET的评估过程
宜普电源转换公司（EPC）推出的EPC9001C开发板，总线的最大输入电压为28V，开发板的最大输出电压为40V，且最大输出电流为15A，采用半桥式配置并配有板载栅极驱动器，栅极驱动器的输入电压范围为7-12V，并且该开发板内含EPC2015C增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。
EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版（AB003）
本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR)，从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。
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面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。
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用于机器人和无人机的氮化镓®FET和IC
本文介绍了eGaN® FETs和ICs在机器人、无人机、激光雷达和医疗设备等领域的应用。eGaN®技术提高了效率、减小了尺寸并降低了系统成本。文章详细列出了适用于不同应用的eGaN®器件，包括其特性、配置和性能参数。
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面向直流无刷（BLDC）电机的eGaN® FET 及集成电路
本文介绍了eGaN®技术在直流无刷电机（BLDC）应用中的优势，尤其是在工业自动化、汽车制造和医疗设备领域的应用。eGaN® FET相比传统硅基MOSFET具有更高的开关速度、更低的开关损耗和更小的噪声，适用于线性电机、伺服电机、机器人驱动器等。文章还提供了EPC公司推荐的eGaN® FET器件型号及其配置参数。
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用于机器人和无人机的镓氮®场效应晶体管和集成电路市场简介
本文介绍了eGaN® FETs和ICs在机器人、无人机、激光雷达和家用设备等领域的应用。eGaN®技术提高了效率、减小了尺寸并降低了系统成本。文章详细介绍了不同型号的eGaN®器件及其在特定应用中的优势，如高效率、小型化、轻量化、高分辨率和低电磁干扰等。
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【应用】效率最高可达99%的eGAN场效应晶体管助力激光雷达设计
EPC 推出的eGAN场效应晶体管有着6ns低脉冲，开关速度可达13.6MHz ；效率最高可达99%。
面向无线充电应用的eGaN® FET 及集成电路
本文介绍了eGaN® FET及集成电路在无线充电应用中的优势，包括低功耗、高效率、低EMI等特点。文章重点介绍了AirFuel™无线充电标准和eGaN FET在无线充电系统中的应用，以及不同功率等级的eGaN FET及集成电路产品。此外，还提供了eGaN FET及集成电路的详细参数和评估套件信息。
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面向机器人技术的氮化镓场效应晶体管及集成电路市场简介
本文介绍了eGaN®技术及其在机器人技术中的应用。重点介绍了氮化镓场效应晶体管和集成电路在DC/DC功率转换、无人机、激光雷达/TOF、家用机器技术、BLDC电机、手术和医疗应用等方面的应用和优势。文章还提供了相关器件型号、配置、性能参数和开发板信息。
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无刷直流（BLDC）电机用egallium氮化物®FET和IC
eGaN® FETs和ICs在无刷直流电机（BLDC）应用中提供高性能开关，相较于硅基MOSFET，具有更高的性能。eGaN FET的特性包括无寄生p-n二极管、零QRR和较低的QOS，这些特性降低了BLDC电机中的电流噪声生成，并提供5倍的开关电流噪声降低。GaN的高频能力允许设计更小的电机驱动器，实现更轻、更美观、成本更低的解决方案。此外，GaN的高效率对于延长电池寿命、增加充电间隔距离至关重要。资料还介绍了eGaN FET在电动自行车、机器人、汽车和医疗设备等领域的应用。
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增强型氮化镓技术
本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率转换技术，eGaN®技术具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术在汽车、DC-DC转换器、POL转换器、激光雷达、无线电源、射频放大器、电机驱动、医疗设备、模拟开关和LED照明等领域的应用。
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开发板EPC9001C快速入门指南
EPC9001C开发板是一款基于40V半桥栅极驱动器LM5113的评估板，集成了EPC2015C增强型eGaN FET，用于简化eGaN FET的性能评估。该板提供15A最大输出电流，包含所有关键组件和布局，便于波形测量和效率计算。资料中提供了性能总结、快速启动步骤、热管理注意事项、电路图和物料清单。
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面向机器人技术的氮化镓场效应晶体管及集成电路
本文介绍了Efficient Power Conversion（EPC）公司推出的eGaN®技术及其在机器人技术中的应用。文章重点介绍了EPC公司针对机器人系统设计的氮化镓场效应晶体管和集成电路，如EPC2152、EPC2218、EPC2103、EPC2215等，这些器件在提高效率、减小尺寸和降低成本方面具有显著优势。此外，还提到了eGaN®技术在无人机、激光雷达/TOF、家用机器人技术、BLDC电机和医疗应用等领域的应用。
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EPC9001C开发板 物料清单
本资料为EPC9001C元器件清单，包括电容、二极管、连接器、晶体管、电阻、测试点、集成电路等组件。清单详细列出了每个组件的型号、数量、制造商和参考编号。
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