eGaN® FETs and ICs for Networking Point of Load Converters

时间： 2018-03-21

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●负载变换器对小型、高效、高速响应点的需求不断增加，推动了对更快、更高效功率开关的需求。

●egallium氮化物场效应晶体管在小型转换器中提供高效率
●低Q-OSS和低Q-G，以及低电感，是egallium氮化物FET在POL转换器中优势的关键。

●egallium氮化物场效应晶体管能够：

■高效率、高频大电流
■单级转换
■轻载节能
■快速瞬态响应

中文标题（翻译）:	用于egallium®氮氧化物转换器和负载点网络
厂牌:	EPC
型号:
品类:	氮化镓场效应晶体管、集成电路查看更多
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资料类型:	技术文档查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
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语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2018/01/02
过期日期:
版本号:
文档编码:	AB006
文件大小:	1.3 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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氮化镓集成电路简化仿人机器人电机关节逆变器设计

本文介绍了基于氮化镓（GaN）技术的逆变器设计，特别是在人形机器人电机关节逆变器中的应用。文章强调了GaN技术在提高开关频率、降低无源元件数量、减少开关损耗和提高功率密度方面的优势。EPC ePower™ Stage ICs技术简化了逆变器设计，并介绍了EPC23102/3/4系列GaN集成电路及其在逆变器性能中的应用。文章还讨论了EPC提供的参考设计板，这些设计板展示了GaN技术在电机驱动逆变器设计中的简化与空间减少。实验结果表明，GaN技术的应用提高了系统效率，并实现了更紧凑的逆变器设计。

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June 2024 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

egallium氮化物®FET和IC，用于48 V-12 V稳压砖式转换器

本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在48V-12V稳压砖式转换器中的应用。eGaN®技术通过降低QOSS、零QRR和低QGD，以及低电感和低电阻，实现了硬开关转换器中的高功率密度。EPC的eGaN FETs和ICs使得500W 1/8砖DC-DC转换器成为可能，提高了电流能力、效率，并减小了尺寸。资料还提供了推荐器件和设计支持材料。

EPC - EGAN FETS,ICS,氮化镓场效应晶体管,集成电路

2018/01/02 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

egallium氮化物®FET和IC用于48 V降压转换器

本文档主要介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用优势。eGaN®技术能够提高输出电流，同时减小尺寸，实现高效开关，降低功耗。文章还探讨了数据中心服务器电源架构的重新思考，eGaN® FETs和ICs使单级转换成为可能，从而提高数据中心效率。此外，文档还提供了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用示例和推荐设备。

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2023/5/5 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务查看更多版本

egallium氮化物®FET和IC用于48 V降压转换器

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在48V降压转换器中的应用。eGaN®技术通过提高输出电流、降低尺寸、实现高效开关、低电感、低噪声和低成本等优势，显著提升数据中心效率。文章还提供了eGaN FETs和ICs在单级转换中的应用实例，以及相关开发板和推荐器件信息。

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2023/4/25 - 应用笔记或设计指南

egallium氮化物®FET和IC用于48 V降压转换器

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用优势。eGaN®技术能够提高输出电流，同时减小尺寸，实现高效开关，降低电感、噪声和成本。此外，高频率切换使得被动元件更小、更便宜，并加快瞬态响应。文章还探讨了eGaN® FETs在数据中心服务器电源架构中的应用，以及如何通过单级转换提高效率。

EPC - 开发板,EGAN FETS,氮化镓®场效应晶体管,氮化镓集成电路,EGAN® FETS,EGAN®集成电路,半桥开发板,DEMO CIRCUIT,氮化镓场效应晶体管,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARDS,1/8TH BRICK CONVERTER,演示电路,EGAN® ICS,DEVELOPMENT BOARD,EGAN ICS,1/8砖式转换器,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC9041,EPC90153,EPC9040,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2001C,EPC2106,EPC2105,EPC2306,EPC2107,EPC9010C,EPC2021,EPC2065,EPC2020,EPC2100,EPC9179,EPC9059,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9055,EPC9092,EPC90146,EPC9091,EPC9006C,EPC2619,EPC2071,EPC2031,EPC90137,EPC9061,EPC2204,EPC2206,EPC9115,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC2088,EPC9037,EPC9510,EPC90122,EPC90123,EPC9033,48 V降压转换器,48 V BUCK CONVERTERS

2023/3/8 - 应用笔记或设计指南

egallium氮化物®FET和IC用于48 V降压转换器

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用优势。eGaN®技术能够提高输出电流，同时减小尺寸，实现高效开关，降低噪声和成本。文章还探讨了数据中心服务器电源架构的重新思考，eGaN® FETs和ICs使单级转换成为可能，从而提高数据中心效率。此外，文档提供了eGaN® FETs和ICs的推荐产品、封装、配置和性能参数，以及相关的设计支持材料。

EPC - EGAN FETS,ICS,氮化镓场效应晶体管,集成电路,48V BUCK CONVERTERS,48V降压转换器

2018/01/02 - 技术文档

BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer

Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.

2022-08-26 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC‘s New 200 V eGaN FETs Double The Performance Edge over The Aging Silicon Power MOSFET

Efficient Power Conversion (EPC) is doubling the performance distance between the aging silicon power MOSFET and eGaN transistors with 200V ratings.

2020-08-30 - 新产品代理服务技术支持采购服务

How to Design a 12V-to-60V Boost Converter with Low Temperature Rise Using eGaN FETs

This Talk EPC will examine the design of a 12V to 60V, 50W DC/DC power module with low temperature rise using eGaN FETs in the simple and low-cost synchronous boost topology.

2021-11-01 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

eGaN FETs Are Low EMI Solutions!

GaN FETs can switch significantly faster than Si MOSFETs causing many system designers to ask − how does higher switching speeds impact EMI? In this blog, EPC discusses simple mitigation techniques for consideration when designing switching converter systems using eGaN® FETs and will show why GaN FETs generate less EMI than MOSFETs, despite their fast-switching speeds.

2020-08-15 - 新产品代理服务技术支持采购服务

EPC GaN ICs Simplify Motor Joint Inverter Design for Humanoid Robots

This article introduces the latest generation of GaN integrated circuits (EPC23102/3/4) for inverter applications. Several evaluation boards with new features, discussed in the following sections, have been developed to demonstrate the effectiveness of implementing ICs in inverter performance. In particular, the ICs’ temperature versus the motor phase current will be reported and discussed.

2024-07-27 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

How to Design a 12V to 48V Boost Converter Using EGaN FETs and the Renesas ISL81807 Controller？

In this post, the design of a 12V to 48V, 500 W DC-DC power module using eGaN FETs directly driven by eGaN FET compatible ISL81807 controller IC from Renesas in the simple and low-cost synchronous boost topology is evaluated.

2022-01-12 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

Design High-Performance Class-D Audio Amplifiers with EPC’s New Reference Design EPC9192 and eGaN FETs

EPC is pleased to announce the launch of the EPC9192, reference design enabling powerful, compact, and efficient Class-D audio amplifiers. The EPC9192 showcases the capabilities of EPC‘s 200 V, EPC2307, eGaN FETs in a ground-referenced, split dual supply Single-Ended (SE) design.

2024-04-12 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

用于负载转换器网络点的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其高效率、低导通和开关损耗、零反向恢复损耗以及低电感等特性，在POL转换器中具有显著优势。这些器件能够实现高效率和高电流输出，支持单级转换，降低能耗，并快速响应瞬态变化。文档还提供了eGaN FETs和ICs的详细规格和推荐配置，以帮助设计人员选择合适的器件。

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2024/3/7 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

用于负载转换器网络点的氮化镓®FET和IC应用简介

本文介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其低QOSS、低QG、低电感等特性，在POL转换器中表现出高效率、高电流和高速度响应的优势。文章强调了eGaN FETs在实现单级转换、节能和快速瞬态响应方面的关键作用，并提供了相关器件的详细规格和推荐配置。

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2023/10/13 - 应用及方案

用于负载转换器网络点的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其高效率、低导通和开关损耗、零反向恢复损耗以及低电感等特性，在POL转换器中具有显著优势。这些优势包括高效率和高电流输出、单级转换、轻载节能和快速瞬态响应。文档还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号、配置、关键参数和开发板信息。

EPC - 开发板,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,DEVELOPMENT BOARD,EGAN®集成电路,EPC2014C,EPC2071,EPC2030,EPC2031,EPC2055,EPC9041,EPC90153,EPC90132,EPC90137,EPC90138,EPC9061,EPC2307,EPC90139,EPC9005C,EPC2069,EPC9002C,EPC2101,EPC2302,EPC2001C,EPC2105,EPC2204,EPC2306,EPC2206,EPC2065,EPC2020,EPC2100,EPC2023,EPC2067,EPC9036,EPC2066,EPC2088,EPC9037,EPC90150,EPC90122,EPC9031,EPC9097,EPC90145,EPC90123,EPC90142,EPC9033,EPC90149,EPC90146,EPC2619,NETWORKING POINT,POL转换器,负载转换器,LOAD CONVERTERS,POL CONVERTERS,联网点

2023/1/7 - 应用笔记或设计指南

用于负载转换器网络点的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档主要介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其高效率、低QOSS和低QG、低电感等特性，在POL转换器中具有显著优势。这些器件能够实现高频下的高效率和高速响应，同时提供单级转换，降低能耗和成本。文档还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号、配置、关键参数以及相关开发板信息。

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2022/11/18 - 应用笔记或设计指南

用于负载转换器网络点的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档主要介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL) Converters中的应用。eGaN FETs以其高效率、高电流和高速度响应的特点，在POL转换器中具有显著优势。文章强调了eGaN FETs在提高转换效率、降低导通和开关损耗、减小尺寸和降低成本方面的优势。文档还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号、配置、关键参数和开发板信息。

EPC - 开发板,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,DEVELOPMENT BOARD,EGAN®集成电路,EPC91U,EPC9001C,EPC2014C,EPC2218,EPC2071,EPC2030,EPC2031,EPC2053,EPC9041,EPC90137,EPC9060,EPC90138,EPC9061,EPC90139,EPC9005C,EPC2069,EPC9002C,EPC2024,EPC2101,EPC2302,EPC2001C,EPC2105,EPC2015C,EPC2306,EPC9019,EPC2065,EPC2021,EPC9078,EPC9034,EPC2020,EPC2100,EPC2023,EPC2067,EPC2045,EPC9036,EPC2066,EPC9037,EPC9031,EPC90145,EPC90123,EPC9032,EPC90142,EPC9033,EPC90149,EPC9093,EPC90146,POL转换器,负载转换器,LOAD CONVERTERS,负载转换器的网络点,POL CONVERTERS,NETWORKING POINT OF LOAD CONVERTERS,小转换器,LITTLE CONVERTER

2022/9/7 - 应用笔记或设计指南

用于负载转换器网络点的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档主要介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL) Converters中的应用。eGaN FETs因其高效率、低QOSS和低QG、低电感等特性，在POL转换器中具有显著优势。这些器件能够实现高效率和高电流输出，同时具备单级转换能力，从而降低能耗、提高响应速度，并减少电路板空间占用。文档还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号、配置、关键参数以及相关开发板信息。

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2022/5/6 - 应用笔记或设计指南

用于负载转换器网络点的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档主要介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL) Converters中的应用。eGaN FETs因其高效率、低QOSS和低QG、低电感等特性，在POL转换器中具有显著优势。这些优势包括高效率、高电流、低能耗、快速瞬态响应和单级转换。文档还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号、配置、关键参数和开发板信息。

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2021 - 应用笔记或设计指南

设计EPC egallium氮化物FET和IC的PCB封装

本文介绍了如何设计适用于EPC eGaN® FETs和ICs的PCB焊盘布局。重点包括使用SMD焊盘以降低电感并提高对齐精度，以及根据数据手册中的建议调整焊盘尺寸和开孔大小。文章还提供了LGA和BGA封装的实例，并讨论了丝印设计、铜焊盘设计和焊膏开孔建议。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,ICS,集成电路,EPC2012C,EPC2016C,EPC2XXX,EPC2019,EPC2050,EPC2051,EPC2102,EPC2024,EPC2101,EPC8009,EPC2104,EPC2001C,EPC2103,EPC2106,EPC2029,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC2100,EPC8004,EPC2022,EPC2036,EPC2035,EPC2112,EPC2010C,EPC2038,EPC2115,EPC2037,EPC8XXX,EPC2039,EPC2014C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2111,EPC2034,EPC2110,EPC2033,EPC8010,EPC2047,EPC2046,EPC2203,EPC2049,EPC2202,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC2040,EPC2045

2019/05/05 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

【应用】基于eGaN FETs的150W/8Ω D类音频放大器应用案例

与MOSFETs相比，eGaN FETs的特性将使系统性能得到改善，显着提高了D类放大器的整体声音性能。EPC公司推出的EPC2016是高开关速度增强型GaN（eGaN）FET，与MOSFET相比具有更低的传导损耗，更快的开关速度和零反向恢复损耗，其应用于D类音频放大器时具有超高的音质和更高的经济效益。

2018-06-06 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC to Showcase the Latest Generation of GaN FETs and ICs, Cutting-Edge Power Electronics Solutions at APEC 2024

APEC 2024 will be held from February 25 to February 29 in Long Beach, CA, brings together industry experts and thought leaders to explore the latest advancements in power electronics. EPC’s GaN Experts will be available during APEC, showcasing the latest generation of GaN FETs and ICs in a wide variety of real-world applications.

2024-03-01 - 产品代理服务技术支持采购服务

The Power and Evolution of GaN: Bringing Precision Control to Surgical Robots with eGaN FETs and IC

Robotic surgical systems require a motor with high efficiency, minimal vibration, and precision control. eGaN FETs and ICs are ideal devices for sinusoidally modulated motor drives given their higher efficiency and higher operating frequency. eGaN FETs and ICs used in the motor control circuit yield higher precision and result in a more compact drive for the motors. This combination allows designers to design surgical robots that are more compact and with superior dexterity over MOSFET equivalent solutions.

2020-07-06 - 应用方案代理服务技术支持采购服务