eGaN® FETs and ICs for 48 V Buck Converters

时间： 2018-03-21

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●egallium氮化物FET和IC在48 V降压转换器中的优势：

■在减小尺寸的同时增加输出电流
■超低Q-GD和零Q-RR=高效切换大电流和高电压
■晶圆级封装=低电感、低噪音、低成本
■高频开关=更小、更便宜的无源器件和更快的瞬态响应
■超低电容=轻负载下的高效率

中文标题（翻译）:	egallium氮化物®FET和IC用于48 V降压转换器
厂牌:	EPC
型号:
品类:	氮化镓场效应晶体管、集成电路查看更多
应用:	[ 48V降压转换器 ] 查看更多
资料类型:	技术文档查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2018/01/02
过期日期:
版本号:
文档编码:	AB009
文件大小:	569 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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氮化镓集成电路简化仿人机器人电机关节逆变器设计

本文介绍了基于氮化镓（GaN）技术的逆变器设计，特别是在人形机器人电机关节逆变器中的应用。文章强调了GaN技术在提高开关频率、降低无源元件数量、减少开关损耗和提高功率密度方面的优势。EPC ePower™ Stage ICs技术简化了逆变器设计，并介绍了EPC23102/3/4系列GaN集成电路及其在逆变器性能中的应用。文章还讨论了EPC提供的参考设计板，这些设计板展示了GaN技术在电机驱动逆变器设计中的简化与空间减少。实验结果表明，GaN技术的应用提高了系统效率，并实现了更紧凑的逆变器设计。

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June 2024 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

用于egallium®氮氧化物转换器和负载点网络

本文介绍了eGaN® FETs和ICs在点负载转换器（POL）中的应用。eGaN FETs以其高效率、低导通和开关损耗、零反向恢复损耗等优势，在POL转换器中表现出色。文章强调了eGaN FETs在提高电流能力、降低功耗、实现单级转换等方面的优势，并提供了相关器件的详细规格和推荐配置。

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2023/5/5 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务查看更多版本

用于egallium®氮氧化物转换器和负载点网络

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其高效率、低导通和开关损耗、零反向恢复损耗以及低电感等特性，在POL转换器中具有显著优势。这些优势包括高效率、高电流、小尺寸、高降压比和单级转换能力。文档还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号、配置、关键参数和开发板信息。

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2023/4/25 - 应用笔记或设计指南

用于egallium®氮氧化物转换器和负载点网络

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其低QOSS、低QG、低电感等特性，在提高POL转换器的效率、电流能力和功率密度方面具有显著优势。文档详细列出了适用于POL转换器的eGaN FET和IC的推荐型号、配置、关键参数和开发板信息，并提供了设计支持材料链接。

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2022/5/18 - 应用笔记或设计指南

用于egallium®氮氧化物转换器和负载点网络

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其低QOSS、低QG、低电感等特性，在提高POL转换器的效率、电流能力和功率密度方面具有显著优势。文章详细列出了适用于POL转换器的eGaN FET和IC的产品型号、配置、关键参数等，并提供了相关的设计支持材料。

EPC - 开发板,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,DEVELOPMENT BOARD,ICS,集成电路,EPC9001C,EPC2014C,EPC2218,EPC2030,EPC2031,EPC2053,EPC9041,EPC90137,EPC9060,EPC90138,EPC9061,EPC90139,EPC9005C,EPC2069,EPC9002C,EPC2024,EPC2101,EPC2302,EPC2001C,EPC2105,EPC2015C,EPC9018,EPC9019,EPC9118,EPC2065,EPC2021,EPC9078,EPC9034,EPC2020,EPC2100,EPC2023,EPC2067,EPC2045,EPC9036,EPC9037,EPC9059,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90142,EPC9033,EPC9093,负载转换器的网络点,NETWORKING POINT OF LOAD CONVERTERS

2021/12/16 - 应用笔记或设计指南

用于egallium®氮氧化物转换器和负载点网络

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其高效率、低开关损耗和快速瞬态响应等优势，成为实现高效率、高电流和高频率的单级转换的关键组件。文档还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号、配置、关键参数和开发板信息，以支持POL转换器的设计。

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2021 - 应用笔记或设计指南

用于egallium®氮氧化物转换器和负载点网络

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL) Converters中的应用。eGaN FETs因其高效率、低QOSS和低QG、低电感等特性，在POL转换器中具有显著优势。这些器件能够实现高效率和高电流的单一阶段转换，降低能耗，并快速响应瞬态变化。文档还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号、配置、关键参数以及开发板信息。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,EPC9001C,EPC2014C,EPC2030,EPC2031,EPC2053,EPC9046,EPC9041,EPC9060,EPC9061,EPC9005C,EPC9002C,EPC2024,EPC2101,EPC2001C,EPC2029,EPC2105,EPC2015C,EPC2021,EPC9034,EPC9078,EPC2020,EPC2100,EPC2023,EPC2045,EPC9036,EPC9037,EPC9031,EPC9032,EPC9033,EPC9093,POL转换器,负载转换器的网络点,POL CONVERTERS,NETWORKING POINT OF LOAD CONVERTERS

2020/09/08 - 应用笔记或设计指南

用于egallium®氮氧化物转换器和负载点网络

本文介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL) Converters中的应用。eGaN FETs以其高效率、高电流和高速度响应的特点，在POL转换器中具有显著优势。文章强调了eGaN FETs在提高电流能力、降低功耗、减小尺寸和实现单级转换方面的优势。此外，还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号及其技术参数。

EPC - EGAN FETS,ICS,氮化镓场效应晶体管,集成电路

2018/01/02 - 技术文档

egallium氮化物®FET和IC，用于48 V-12 V稳压砖式转换器

本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在48V-12V稳压砖式转换器中的应用。eGaN®技术通过降低QOSS、零QRR和低QGD，以及低电感和低电阻，实现了硬开关转换器中的高功率密度。EPC的eGaN FETs和ICs使得500W 1/8砖DC-DC转换器成为可能，提高了电流能力、效率，并减小了尺寸。资料还提供了推荐器件和设计支持材料。

EPC - EGAN FETS,ICS,氮化镓场效应晶体管,集成电路

2018/01/02 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer

Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.

2022-08-26 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC‘s New 200 V eGaN FETs Double The Performance Edge over The Aging Silicon Power MOSFET

Efficient Power Conversion (EPC) is doubling the performance distance between the aging silicon power MOSFET and eGaN transistors with 200V ratings.

2020-08-30 - 新产品代理服务技术支持采购服务

用于DC-DC转换的镓氮®FET和IC应用简介

本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在DC-DC转换中的应用，重点强调了其高效能、高功率密度和小型化的特点。资料中详细展示了不同型号的产品及其在48V至12V转换中的应用，包括高效能计算和电信应用，以及汽车电子领域。此外，还提供了相关产品的详细规格和开发板信息，以帮助工程师进行设计和评估。

EPC - SMALL, SYNCHRONOUS BUCK, ANALOG CONTROLLER,SYNCHRONOUS, BUCK OR BOOST, DIGITAL CONTROLLER, QFN-PACKAGED GAN FETS,氮化镓®场效应晶体管,SYNCHRONOUS, BUCK OR BOOST, DIGITAL CONTROLLER,EGAN®集成电路,半桥开发板,同步，降压，数字控制器，氮化镓功率IC,DUAL OUTPUT, ANALOG CONTROLLER,砖式模块,同步、降压或升压、数字控制器、QFN封装氮化镓场效应晶体管,同步降压或升压数字控制器,氮化镓场效应晶体管,HIGH POWER DENSITY, LOW PROFILE,SYNCHRONOUS BUCK AND BOOST CONVERTER,LLC, HIGH EFFICIENCY AND HIGH POWER DENSITY EVALUATION BOARD,小面积、扁平、同步降压转换器,高效率薄型降压转换器,非隔离式48 V–12 V转换器,HIGH EFFICIENCY, SMALL, SINGLE-PHASE, BUCK CONVERTER,高功率密度、扁平、同步降压和升压转换器,EGAN® ICS,SMALL (1/16TH BRICK), SYNCHRONOUS BUCK, ANALOG CONTROLLER,NON-ISOLATED 48 V – 12 V CONVERTER,功率转换器,EGAN ICS,小型同步降压模拟控制器,SMALL AREA, LOW-PROFILE, SYNCHRONOUS BUCK CONVERTER,SMALL (1/16TH BRICK), SYNCHRONOUS BUCK OR BOOST, FEATURING POWER STAGE GAN IC, DIGITAL CONTROLLER,SYNCHRONOUS, BUCK, DIGITAL CONTROLLER, GAN POWER IC,POWER CONVERTERS,开发板,EGAN FETS,氮化镓集成电路,EGAN® FETS,BOOST, ANALOG CONTROLLER,升压，模拟控制器,小型（1/16砖）、同步降压、模拟控制器,双输出模拟控制器,双向电源模块,EFFICIENCY, THIN BUCK CONVERTER,超薄型多电平转换器,高效、小型、单相降压转换器,LLC，高效率、高功率密度评估板,ULTRA-THIN, MULTI-LEVEL CONVERTER,DEVELOPMENT BOARDS,小型（1/16砖），同步降压或升压，采用功率级氮化镓IC，数字控制器,HALF-BRIDGE DEVELOPMENT BOARDS,BI-DIRECTIONAL POWER MODULE,BRICK MODULE,EPC2057,N/A,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC2055,EPC90155,EPC90156,EPC90153,EPC2101,EPC2106,EPC2105,EPC90151,EPC2065,EPC90152,EPC2067,EPC2100,EPC9014,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90146,EPC90147,EPC9091,EPC2619,EPC2014C,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2033,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC9195,EPC2019,EPC9166,EPC2252,EPC9047,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9165,EPC9160,EPC2302,EPC2304,EPC2306,EPC9010C,EPC2305,EPC9177,EPC2020,EPC9179,EPC2023,EPC9174,EPC9055,EPC9170,EPC9006C,EPC2234,EPC2010C,EPC9148,EPC23101,EPC2071,EPC23102,EPC23103,EPC23104,EPC90140,EPC9143,EPC90132,EPC90137,EPC91106,EPC90138,EPC90135,EPC91108,EPC9159,EPC2007C,EPC2361,EPC9157,EPC9036,EPC9158,EPC9037,EPC2088,EPC9151,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC90120,EPC9033,EPC90124,SERVERS,云数据中心,CLOUD DATA CENTER,高性能计算,AUTOMOTIVE ELECTRONICS,TELECOMMUNICATION APPLICATIONS,服务器,DC-DC CONVERSION,直流-直流转换,汽车电子,HIGH-PERFORMANCE COMPUTING,电信应用

2024/11/5 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

用于DC-DC转换的镓氮®FET和IC应用简介

本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在DC-DC转换中的应用，包括高效能、高功率密度和低剖面设计的48 V至12 V功率转换器。资料中展示了多种eGaN®技术解决方案，如EPC9149 1 kW LLC模块和EPC2218等，适用于高性能计算和电信应用。此外，还介绍了适用于汽车电子的高效率、小尺寸eGaN FETs和ICs，以及适用于数据中心的高效eGaN FETs和ICs解决方案。资料还提供了相关产品的详细规格和配置信息。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN®集成电路,输入升压转换器,半桥开发板,薄型降压变换器,PCB-BASED HALF-BRIDGE CIRCUIT MODULE,1/16TH BRICK MODULE,BIDIRECTIONAL 1/16TH BRICK MODULE,EGAN® ICS,THIN BUCK CONVERTER,功率转换器,砖式评估模块,开发板,EGAN® FETS,MULTI-LEVEL CONVERTER,双向电源模块,多电平变换器,1/8砖尺寸模块,基于PCB的半桥电路模块,1/16砖式模块,DEVELOPMENT BOARDS,POWERCONVERTERS,DEVELOPMENT BOARD,1/8TH BRICK SIZE MODULE,INPUT BOOST CONVERTER,HALF-BRIDGE DEVELOPMENT BOARDS,BI-DIRECTIONAL POWER MODULE,BRICK EVALUATION MODULE,双向1/16砖式模块,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC9203,EPC2052,EPC2051,EPC9166,EPC2053,EPC9201,EPC9047,EPC2055,EPC9041,EPC2024,EPC2101,EPC2302,EPC2106,EPC2105,EPC2306,EPC9010C,EPC9137,EPC2021,EPC2065,EPC2020,EPC2023,EPC2100,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90146,EPC90147,EPC9091,EPC9006C,EPC2010C,EPC2034C,EPC2014C,EPC9148,EPC9149,EPC23101,EPC2071,EPC23102,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2033,EPC9143,EPC90132,EPC90137,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC9048C,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC9157,EPC2045,EPC9036,EPC9037,EPC9151,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC90120,EPC9032,EPC9033,EPC90124,高性能计算,DC-DC POWER CONVERSION,TELECOMMUNICATION APPLICATIONS,AUTOMOTIVE ELECTRONICS,直流-直流功率转换,DC-DC CONVERSION,直流-直流转换,汽车电子,HIGH-PERFORMANCE COMPUTING,电信应用

2022/9/7 - 应用笔记或设计指南

How to Design a 12V-to-60V Boost Converter with Low Temperature Rise Using eGaN FETs

This Talk EPC will examine the design of a 12V to 60V, 50W DC/DC power module with low temperature rise using eGaN FETs in the simple and low-cost synchronous boost topology.

2021-11-01 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

EPC GaN ICs Simplify Motor Joint Inverter Design for Humanoid Robots

This article introduces the latest generation of GaN integrated circuits (EPC23102/3/4) for inverter applications. Several evaluation boards with new features, discussed in the following sections, have been developed to demonstrate the effectiveness of implementing ICs in inverter performance. In particular, the ICs’ temperature versus the motor phase current will be reported and discussed.

2024-07-27 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

eGaN FETs Are Low EMI Solutions!

GaN FETs can switch significantly faster than Si MOSFETs causing many system designers to ask − how does higher switching speeds impact EMI? In this blog, EPC discusses simple mitigation techniques for consideration when designing switching converter systems using eGaN® FETs and will show why GaN FETs generate less EMI than MOSFETs, despite their fast-switching speeds.

2020-08-15 - 新产品代理服务技术支持采购服务

How to Design a 12V to 48V Boost Converter Using EGaN FETs and the Renesas ISL81807 Controller？

In this post, the design of a 12V to 48V, 500 W DC-DC power module using eGaN FETs directly driven by eGaN FET compatible ISL81807 controller IC from Renesas in the simple and low-cost synchronous boost topology is evaluated.

2022-01-12 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

Design High-Performance Class-D Audio Amplifiers with EPC’s New Reference Design EPC9192 and eGaN FETs

EPC is pleased to announce the launch of the EPC9192, reference design enabling powerful, compact, and efficient Class-D audio amplifiers. The EPC9192 showcases the capabilities of EPC‘s 200 V, EPC2307, eGaN FETs in a ground-referenced, split dual supply Single-Ended (SE) design.

2024-04-12 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

设计EPC egallium氮化物FET和IC的PCB封装

本文介绍了如何设计适用于EPC eGaN® FETs和ICs的PCB焊盘布局。重点包括使用SMD焊盘以降低电感并提高对齐精度，以及根据数据手册中的建议调整焊盘尺寸和开孔大小。文章还提供了LGA和BGA封装的实例，并讨论了丝印设计、铜焊盘设计和焊膏开孔建议。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,ICS,集成电路,EPC2012C,EPC2016C,EPC2XXX,EPC2019,EPC2050,EPC2051,EPC2102,EPC2024,EPC2101,EPC8009,EPC2104,EPC2001C,EPC2103,EPC2106,EPC2029,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC2100,EPC8004,EPC2022,EPC2036,EPC2035,EPC2112,EPC2010C,EPC2038,EPC2115,EPC2037,EPC8XXX,EPC2039,EPC2014C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2111,EPC2034,EPC2110,EPC2033,EPC8010,EPC2047,EPC2046,EPC2203,EPC2049,EPC2202,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC2040,EPC2045

2019/05/05 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

【应用】基于eGaN FETs的150W/8Ω D类音频放大器应用案例

与MOSFETs相比，eGaN FETs的特性将使系统性能得到改善，显着提高了D类放大器的整体声音性能。EPC公司推出的EPC2016是高开关速度增强型GaN（eGaN）FET，与MOSFET相比具有更低的传导损耗，更快的开关速度和零反向恢复损耗，其应用于D类音频放大器时具有超高的音质和更高的经济效益。

2018-06-06 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介

本文介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用优势。eGaN®技术能够提高输出电流，同时减小尺寸，实现高效开关，降低功耗。文章还探讨了数据中心服务器电源架构的重新思考，eGaN® FETs和ICs使单级转换成为可能，从而提高能效和降低运营成本。此外，文章还提供了相关产品信息和推荐设备。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,演示电路,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,DEMO CIRCUIT,半桥式开发板,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,EPC2071,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2031,EPC9041,EPC90156,EPC90153,EPC90137,EPC9061,EPC9040,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2204,EPC2306,EPC2206,EPC2107,EPC9115,EPC9038,EPC9039,EPC2021,EPC2065,EPC2020,EPC2361,EPC2100,EPC9179,EPC9059,EPC2088,EPC9037,EPC9510,EPC90122,EPC9097,EPC90145,EPC90123,EPC90142,EPC9055,EPC9092,EPC90146,EPC9091,EPC2619,48 V降压转换器,48 V BUCK CONVERTERS

2024/3/7 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用。eGaN®技术通过提高输出电流、降低尺寸、实现高效开关、低电感、低噪声和低成本等优势，显著提升了数据中心的能源效率和降低运营成本。文档还提供了eGaN FETs和ICs在单级转换中的应用实例，以及相关产品信息和开发板。

EPC - HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARDS,开发板,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,演示电路,¹/8TH砖式转换器,EGAN® ICS,DEVELOPMENT BOARD,EGAN®集成电路,半桥开发板,DEMO CIRCUITS,¹/₈TH BRICK CONVERTER,EPC2071,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2031,EPC9041,EPC90153,EPC90137,EPC9061,EPC9040,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2204,EPC2306,EPC2206,EPC2107,EPC9115,EPC9038,EPC9039,EPC2065,EPC2021,EPC2020,EPC2100,EPC9179,EPC9059,EPC2088,EPC9037,EPC9510,EPC90122,EPC9097,EPC90145,EPC90123,EPC90142,EPC9055,EPC9092,EPC90146,EPC9091,EPC2619,48 V降压转换器,48 V BUCK CONVERTERS

2023/10/13 - 应用及方案

用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用。eGaN®技术通过提高输出电流、降低尺寸、实现高效开关、低电感、低噪声和低成本等优势，显著提升了数据中心的能源效率和降低运营成本。文章还展示了eGaN® FETs在单级转换中的应用，与传统多级转换相比，具有更高的功率密度和更低的系统成本。

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2023/1/10 - 应用笔记或设计指南

用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在48V降压转换器中的应用优势。eGaN®技术能够提高输出电流，同时减小尺寸，实现高效开关，降低电感、噪声和成本。此外，高频率切换使得被动元件更小、更便宜，并提高瞬态响应速度。文章还探讨了eGaN® FETs在数据中心服务器电源架构中的应用，以及如何通过单级转换提高效率。

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2022/10/11 - 应用笔记或设计指南

用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在48V降压转换器中的应用。eGaN®技术通过提高输出电流、降低尺寸、实现高效开关、低电感、低噪声和低成本等优势，显著提升了数据中心效率。文章还对比了传统多级转换和单级转换的效率，并提供了相关产品信息和设计支持材料。

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2022/9/7 - 应用笔记或设计指南

用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用优势。eGaN®技术能够提高输出电流，同时减小尺寸，实现高效开关，降低噪声和成本。文章还探讨了数据中心服务器电源架构的重新思考，eGaN® FETs和ICs使单级转换成为可能，从而提高数据中心效率。此外，文档提供了eGaN® FETs和ICs的推荐产品、演示电路和设计支持材料。

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2022/5/6 - 应用笔记或设计指南

用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介

EPC - EGAN FETS,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN®集成电路,半桥开发板,DEMO CIRCUIT,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,氮化镓场效应晶体管,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARDS,演示电路,EGAN® ICS,EGAN FET,半桥式开发板,DEMO CIRCUITS,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC9041,EPC90153,EPC9040,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2001C,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2306,EPC2107,EPC9010C,EPC2021,EPC2065,EPC2020,EPC2100,EPC9059,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9055,EPC9092,EPC90146,EPC9091,EPC9006C,EPC2619,EPC2071,EPC2031,EPC9064,EPC90137,EPC9061,EPC2204,EPC2206,EPC9115,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC9037,EPC9510,EPC90122,EPC90123,EPC9033,48 V降压转换器,48 V BUCK CONVERTERS

2022/11/18 - 应用笔记或设计指南 - AB009

The Power and Evolution of GaN: Bringing Precision Control to Surgical Robots with eGaN FETs and IC

Robotic surgical systems require a motor with high efficiency, minimal vibration, and precision control. eGaN FETs and ICs are ideal devices for sinusoidally modulated motor drives given their higher efficiency and higher operating frequency. eGaN FETs and ICs used in the motor control circuit yield higher precision and result in a more compact drive for the motors. This combination allows designers to design surgical robots that are more compact and with superior dexterity over MOSFET equivalent solutions.

2020-07-06 - 应用方案代理服务技术支持采购服务