EPC9149: 36 - 60 V Input, 9 - 15 V, 83 A Output Fixed Conversion Ratio1 kW LLC, 1/8th Brick Size Module Quick Start Guide

EPC9176演示板快速入门指南

EPC9176演示板是一款基于EPC23102 eGaN IC的3相BLDC电机驱动逆变器板，具有14V至65V宽输入直流电压范围。该板可提供高达35Apk（25ARMS）的稳态输出电流和高达40Apk（28.3ARMS）的脉冲输出电流。EPC9176包含所有必要的功能电路，以支持完整的电机驱动逆变器，包括栅极驱动器、辅助电源轨、电压和温度感应、精确的电流感应和保护功能。该板与多种兼容控制器配合使用，支持快速开发。

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演示板EPC9182快速入门指南

本资料介绍了EPC9182低电压交流负载固态继电器演示板。该板采用双向、100伏额定、60毫欧（D1至D2）的EPC2121 eGaN®场效应晶体管，可传导高达2安培均方根连续交流负载电流。支持3.3V/5V逻辑使能，并设计有防止FET过压的保护电路。适用于恒温器等应用，可以替代传统继电器。 主要特点包括： - 双向电压阻断能力 - 低静态功耗 - 小型尺寸 - 隔离逻辑和电源电路 - 过压保护 资料还提供了详细的电路图、推荐工作条件、电路描述、连接方式、测试点和测量设置等内容。

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EPC9149：36-60V输入，9-15V，83A输出固定转换率1 kW LLC，1/8砖式大小模块快速入门指南；EPC2218和EPC2024

本资料介绍了EPC9149 1 kW LLC 1/8th Brick模块，这是一种1 kW、48 V输入至12 V输出的LLC转换器，具有固定的4:1转换比。该模块采用EPC2218和EPC2024 GaN FET、uP1966E和LMG1020栅极驱动器以及Microchip dsPIC33CK32MP102 16位数字控制器。主要特点包括：峰值效率97.5%，满载效率96.7%，固定开关频率1 MHz，高功率密度1227 W/in3。资料还提供了快速启动指南、电气特性、热性能、控制器编程和热管理指南等内容。

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最大限度冷却氮化镓®FET的PCB设计指南

本文介绍了如何通过PCB设计优化eGaN FET的散热性能。主要内容包括：PCB面积、铜面积、铜厚度、过孔和器件间距等设计参数对散热的影响；利用底部PCB进行额外散热的方法；电流通过PCB产生的焦耳热效应；布局配置对散热的影响；以及结合多种技术降低RθJA的效果。通过优化PCB设计，可以显著提高GaN FET的散热性能，降低系统成本。

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将氮化镓场效应晶体管与专为硅MOSFET设计的控制器和栅极驱动器结合使用

本文探讨了使用通用门驱动器与氮化镓（GaN）FET配合使用时需要注意的关键因素。文章详细介绍了GaN FET与硅MOSFET之间的主要差异，包括门电压水平、开关速度、反向导通电压降和物理结构等。此外，文章还提供了将MOSFET驱动器转换为适用于GaN FET的建议步骤，包括使用外部自举二极管、自举钳位、门返回电阻和反向导通钳位等。最后，文章强调了在设计使用集成门驱动器的控制器IC时，需要考虑的布局和设计折衷方案。

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【视频】EPC2302，100V耐压，1.8mΩ超低导通电阻，尺寸仅3mm*5mm，QFN封装

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USB功率传输的进步：氮化镓技术的效率和高功率密度

本文探讨了USB技术，特别是USB Power Delivery (USB PD) 3.1规范的演变，以及GaN技术在提高功率传输效率和密度中的作用。文章强调了现代电子设备日益增长的功率需求带来的挑战，并说明了GaN技术如何解决这些挑战。文章以EPC9195为例，展示了高功率密度USB PD充电器的设计，强调了GaN晶体管和模拟控制器在实现高效率和紧凑性方面的优势。实验结果证明了该设计的性能和效率，使其成为需要USB PD 3.1兼容性的下一代电子设备的理想解决方案。

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