PCDE0465G1 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

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●特征：
■与温度无关的开关行为
■高浪涌电流能力
■V-F上的正温度系数
■低传导损耗
■零反向恢复
■高结温度175℃
■无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
■符合IEC 61249标准的绿色模塑料

中文标题（翻译）:	PCDE0465G1碳化硅肖特基势垒二极管
厂牌:	PANJIT
型号:	PCDE0465G1 查看更多 Part#
品类:	碳化硅-肖特基势垒二极管查看更多
应用:	[ 全氟化碳 ][ PV逆变器 ][ 不间断电源 ][ 焊机 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,数据表,Data sheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO-263 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	June 7,2021
过期日期:
版本号:	REV.00
文档编码:
文件大小:	2 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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PCDP10120G1碳化硅肖特基势垒二极管

本资料介绍了硅碳化物肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的技术规格和应用。该二极管具有1200伏电压额定值、10安培正向电流和1.5伏典型正向压降。它具备温度独立开关行为、高浪涌电流能力、正温度系数VF、低导通损耗、零反向恢复等特点。适用于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站和焊接机等领域。

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November 9,2020 - 数据手册 - REV.00 代理服务技术支持采购服务

PCDP08120GB碳化硅肖特基势垒二极管

本资料介绍了PCDP08120GB型号碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的技术规格和应用。该器件具有高耐压、低导通损耗和高浪涌电流能力等特点，适用于电源因子校正（PFC）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站和焊接机等领域。

PANJIT - 碳化硅-肖特基势垒二极管,SILICON CARBIDE SCHOTTKY BARRIER DIODE,PCDP08120GB,EV CHARGING STATION,WELDER,全氟化碳,PV逆变器,不间断电源,PV INVERTER,UPS,EV充电站,PFC,焊机

July 1,2024 - 数据手册 - REV.00 代理服务技术支持采购服务

PCDD10120G1碳化硅肖特基势垒二极管

本资料介绍了PCDD10120G1碳化硅肖特基势垒二极管的技术规格和应用。该器件具有高耐压（1200V）、大电流（10A）和高效率的特点，适用于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站和焊接机等领域。

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September 15,2021 - 数据手册 - REV.00 代理服务技术支持采购服务

强茂（PANJIT）碳化硅二极管选型表

SiC Diodes，VRRM = 650 - 1200V, IF = 2 - 40A，高导热材料材料让元件在高温运转仍可保持良好特性，同时兼具「高耐压」，「低导通电阻」，「高速」，提高整体电路设计效能。已开发 650V 与 1200V 相关的品料，适合工业电源供应与车用电子的高稳度与低需求需求。

选型表 - PANJIT 立即选型

G3S06503R 650V/3A碳化硅功率肖特基势垒二极管

本资料为650V/3A碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Power Schottky Barrier Diode）的数据手册。该器件具有零反向恢复电流、零正向恢复电压、温度独立开关行为和高频操作等特点，适用于不间断电源（UPS）、电机驱动、太阳能应用等领域。

泰科天润 - SILICON CARBIDE POWER SCHOTTKY BARRIER DIODE,碳化硅功率肖特基势垒二极管,G3S06503R,MOTOR DRIVES,开关模式电源,风力涡轮机,EV/HEV,CCM,PFC,SOLAR APPLICATION,电动机驱动,全氟化碳,不间断电源,UPS,太阳能应用,SMPS,电动汽车/混合动力汽车,WIND TURBINE,RAIL TRACTION,钢轨牵引

数据手册 - V2020.A.1 代理服务技术支持采购服务

PCDP0865GC碳化硅肖特基势垒二极管

该资料详细介绍了PCDP0865GC碳化硅肖特基势垒二极管的产品特性、电气特性、机械数据、应用领域以及包装信息。该二极管具有高耐压、高电流、低开关损耗等特性，适用于PFC、UPS、光伏逆变器、电动汽车充电站、焊接机等领域。

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March 4,2024 - 数据手册 - REV.01 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PCDE0665G1碳化硅肖特基势垒二极管

本资料介绍了硅碳化物肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的技术规格和应用。该器件具有650伏电压额定值、6安培正向电流和1.5伏典型正向压降。它具备温度独立开关行为、高浪涌电流能力、正温度系数VF、低导通损耗、零反向恢复等特点，适用于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、焊接机等领域。

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June 7,2021 - 数据手册 - REV.00 代理服务技术支持采购服务

PCDB0865G1碳化硅肖特基势垒二极管

本资料介绍了硅碳化物肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的技术规格和应用。该器件具有高耐压、低导通损耗和高浪涌电流能力等特点，适用于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站和焊接机等领域。

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June 3,2021 - 数据手册 - REV.00 代理服务技术支持采购服务

PCDP1065GC碳化硅肖特基势垒二极管

本资料详细介绍了PCDP1065GC碳化硅肖特基势垒二极管的产品特性、电气特性、机械数据、应用领域以及包装信息。该二极管具有高耐压、高电流、低开关损耗等特性，适用于PFC、UPS、光伏逆变器、电动汽车充电站、焊接机等领域。

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March 4,2024 - 数据手册 - REV.01 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PCDB0465G1碳化硅肖特基势垒二极管

本资料介绍了硅碳化物肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的技术规格和应用。该器件具有650伏电压额定值、4安培正向电流和1.5伏典型正向压降。它具备温度独立开关行为、高浪涌电流能力、正温系数VF、低导通损耗、零反向恢复等特点，适用于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、焊接机等领域。

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June 3,2021 - 数据手册 - REV.00 代理服务技术支持采购服务

PCDE10120G1碳化硅肖特基势垒二极管

本资料介绍了硅碳化物肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的技术规格和应用。该器件具有高耐压、大电流和高效率的特点，适用于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、焊接机等领域。

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June 7,2021 - 数据手册 - REV.00 代理服务技术支持采购服务

PCDP2065GB碳化硅肖特基势垒二极管

本资料详细介绍了PCDP2065GB碳化硅肖特基势垒二极管的产品特性、电气特性、典型特性曲线、应用领域和包装信息。该二极管具有高耐压、高电流、低导通损耗等特性，适用于PFC、UPS、光伏逆变器、电动汽车充电站、焊接机等领域。

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March 4,2024 - 数据手册 - REV.01 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

PCDE20120G1碳化硅肖特基势垒二极管

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June 7,2021 - 数据手册 - REV.00 代理服务技术支持采购服务

PCDD05120G1碳化硅肖特基势垒二极管

本资料介绍了PCDD05120G1碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的技术规格和应用。该器件具有高耐压、低导通损耗和高浪涌电流能力等特点，适用于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、焊接机等领域。

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September 15,2021 - 数据手册 - REV.00 代理服务技术支持采购服务

PCDP1065GB碳化硅肖特基势垒二极管

本资料详细介绍了PCDP1065GB碳化硅肖特基势垒二极管的产品特性、电气特性、机械数据、应用领域以及包装信息。该二极管具有高耐压、高电流、低导通损耗等特点，适用于PFC、UPS、光伏逆变器、电动汽车充电站、焊接机等领域。

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品类：Small Signal Switching Diode

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品类：Small Signal Switching Diode

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品类：二极管

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