ASC60N650MT4 650V N-Channel MOSFET
碳化硅（SiC）MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。
●特征：
■低电容高速开关
■高阻塞电压和低RDS（on）
■使用标准栅极驱动，易于驱动
■100%雪崩测试
■最高结温150°C
■符合ROHS标准
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ASC60N650MT4 650V N沟道MOSFET |
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[ 电动汽车充电 ][ 电机驱动 ][ DC-AC逆变器 ][ 高压dc/dc变换器 ][ 功率因数校正模块 ][ 模式电源开关 ] |
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DATA SHEET,数据手册,数据表 |
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详见资料 |
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TO-247 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2021/09/09 |
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872 KB |
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage（V）
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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