BDX33B, BDX33C (NPN), BDX34B, BDX34C (PNP) Darlington Complementary Silicon Power Transistors

时间： 2021-10-12

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●这些设备是为通用和低速开关应用而设计的。

●特征：

■高直流电流增益− IC=4.0时hFE=2500（典型值）
■收藏家−100毫安时的发射极维持电压
◆VCEO（sus）=80 Vdc（最小值）− BDX33B，BDX334B=100 Vdc（最小值）− BDX33C，BDX334C
■低收集器−发射极饱和电压
◆IC=3.0 Adc时的VCE（sat）=2.5 Vdc（最大值）− BDX33B、33C/34B、34C
■整体式建筑−在基地−发射极并联电阻器
■这些设备是Pb−免费，符合RoHS标准吗

中文标题（翻译）:	BDX33B、BDX33C（NPN）、BDX34B、BDX34C（PNP）达林顿互补型硅功率晶体管
厂牌:	ONSEMI
型号:	BDX33B、BDX33C、BDX34B、BDX34C、BDX33BG、BDX33CG、BDX34BG、BDX34CG 查看更多 Part#
品类:	互补硅功率晶体管、达林顿互补硅功率晶体管查看更多
应用:	[ 低速开关 ][ 通用开关 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,Datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO−220 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	November, 2014
过期日期:
版本号:	Rev. 14
文档编码:	BDX33B/D
文件大小:	236 KB
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
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