AP30H80G N-Channel Enhancement Mosfet

2021-11-09


●特性
■30V,70A
▲R-DS(on)<6mΩ@V-GS=10V
▲R-DS(on)<12mΩ@V-GS=4.5V
■先进的沟槽技术
■获得无铅产品
■出色的R-DS(on)和低栅极电荷

AP30H80G N沟道增强型MOSFET

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